1.一种栅极保护电路，连接于栅极驱动模块和MOS管的栅极之间，所述栅极驱动模块向所述MOS管的栅极输出栅极驱动信号，其特征在于，所述栅极保护电路包括：
主传输线路，连接于栅极驱动模块和MOS管的栅极之间；
参考信号模块，用于生成参考信号；
比较模块，所述比较模块的两个输入端分别连接至所述栅极驱动模块和所述参考信号模块，用于对所述栅极驱动信号与所述参考信号进行比较；
压控模块，连接于所述主传输线路的输出端与地线之间，所述压控模块的驱动端连接于所述比较模块的输出端，
其中，在所述栅极驱动信号大于或等于所述参考信号时，所述比较模块向所述压控模块输出导通信号，以控制所述压控模块导通，所述压控模块的分压信号作为保护信号输出至所述MOS管的栅极，所述分压信号小于所述栅极驱动信号。
2.根据权利要求1所述的栅极保护电路，其特征在于，
所述主传输线路中设有第一保护电阻；
所述压控模块包括：
串联连接的压控开关和第二保护电阻，所述压控开关的驱动端连接至所述比较模块的输出端，在所述压控开关的驱动端接收到所述导通信号时，所述压控开关导通，所述第一保护电阻、所述压控开关和所述第二保护电阻对所述栅极驱动信号进行分压处理，所述压控模块输出所述压控开关和所述第二保护电阻的分压值作为所述保护信号。
3.根据权利要求2所述的栅极保护电路，其特征在于，
所述压控开关为三极管时，所述驱动端为所述三极管的基极。
4.根据权利要求2所述的栅极保护电路，其特征在于，
所述压控开关为MOS管时，所述驱动端为所述MOS管的栅极。
5.根据权利要求2或3所述的栅极保护电路，其特征在于，所述比较模块包括：
比较器，所述比较器的正输入端连接至所述栅极驱动模块，以获取所述栅极驱动信号，所述比较器的负输入端连接至所述参考信号模块，以获取所述参考信号；
所述三极管为NPN型三极管，所述比较器的输出端连接至所述NPN型三极管的基极，
其中，在所述比较器判定所述栅极驱动信号大于或等于所述参考信号模块时，所述比较器的输出端输出高电平信号，即作为所述导通信号以控制所述NPN型三极管导通。
6.根据权利要求2或4所述的栅极保护电路，其特征在于，所述比较模块包括：
比较器，所述比较器的正输入端连接至所述栅极驱动模块，以获取所述栅极驱动信号，所述比较器的负输入端连接至所述参考信号模块，以获取所述参考信号；
所述MOS管为P沟道MOS管，所述比较器的输出端连接至所述P沟道MOS管的栅极，
其中，在所述比较器判定所述栅极驱动信号大于或等于所述参考信号模块时，所述比较器的输出端输出高电平信号，即作为所述导通信号以控制所述P沟道MOS管导通。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的栅极保护电路，其特征在于，
在所述比较模块判定所述栅极驱动信号小于所述参考信号时，所述比较模块向所述压控模块输出关断信号，以控制所述压控模块关断，所述栅极驱动信号通过所述主传输线路传输至所述MOS管的栅极。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的栅极保护电路，其特征在于，所述栅极驱动模块还包括：
驱动信号发生器，用于生成所述栅极驱动信号；
内置保护电阻，连接至所述驱动信号发生器和所述栅极驱动模块的输出端。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的栅极保护电路，其特征在于，
所述MOS管为氮化镓MOSFET器件或碳化硅MOSFET器件。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的栅极保护电路，其特征在于，所述参考模块包括：
串联连接的电阻元件和稳压二极管，串联连接于直流源和地线之间，所述电阻元件和所述稳压二极管的公共端作为所述参考模块的输出端，连接至所述压控模块的驱动端。
11.一种电力电子设备，其特征在于，包括：
如权利要求1至10中任一项所述的栅极保护电路。
12.根据权利要求11所述的电力电子设备，其特征在于，
所述电力电子设备为空调器。