1.一种变频器控制电路，其特征在于，所述变频器控制电路包括：
两个并联的可控硅，用于接收交流电源信号，并将所述交流电源信号整流成直流电源信号；
滤波电容电路，与所述可控硅连接，用于对所述直流电源信号进行滤波处理；
驱动信号检测电路，与所述滤波电容电路连接，用于接收所述交流电源信号，并根据所述交流电源信号和经滤波处理后的所述直流电源信号输出驱动输入信号；
均流电路，与所述驱动信号检测电路以及所述可控硅连接，用于根据所述驱动输入信号输出第一驱动信号和第二驱动信号，以控制所述可控硅对所述交流电源信号进行整流。
2.根据权利要求1所述的变频器控制电路，其特征在于，所述驱动信号检测电路用于：比较所述交流电源信号的峰值与所述直流电源信号，当所述交流电源信号的峰值大于所述直流电源信号时，输出所述驱动输入信号。
3.根据权利要求1所述的变频器控制电路，其特征在于，所述均流电路包括：
RC滤波电路，用于接收所述驱动输入信号，并对所述驱动输入信号进行滤波处理，以抑制高频干扰信号；
迟滞比较电路，与所述RC滤波电路连接，用于将经滤波处理后的所述驱动输入信号的电压与第一参考电压进行比较，输出驱动控制信号，所述驱动控制信号的波形为标准的数字量；
电流放大电路，与所述迟滞比较电路连接，用于对所述驱动控制信号进行电流放大；
光耦驱动电路，与所述电流放大电路连接，用于将经电流放大的所述驱动控制信号隔离转换为所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，以驱动并联的可控硅对所述交流电源信号进行整流。
4.根据权利要求3所述的变频器控制电路，其特征在于，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号分别驱动两个并联的所述可控硅对所述交流电源信号进行整流，并控制流过两个并联的所述可控硅的电流近似相等。
5.根据权利要求3所述的变频器控制电路，其特征在于，所述RC滤波电路包括：第一电阻、第二电阻、第一电容以及第二电容，所述第一电阻的第一端接收所述驱动输入信号，所述第二电阻的第一端接所述第一参考电压，所述第一电阻第二端和所述第二电阻的第二端与所述迟滞比较电路连接，所述第一电阻的第二端还通过所述第一电容接地，所述第二电阻的第二端还通过所述第二电容接地。
6.根据权利要求5所述的变频器控制电路，其特征在于，所述迟滞比较电路包括：比较器、第三电阻以及第四电阻，所述比较器的正输入端与所述第一电阻的第二端连接，所述比较器的负输入端与所述第二电阻的第二端连接，所述第三电阻连接在所述比较器的正输入端与输出端之间，所述比较器的输出端还通过所述第四电阻接第二参考电压。
7.根据权利要求3所述的变频器控制电路，其特征在于，所述电流放大电路包括：第五电阻、第六电阻、第三电容以及开关管，所述第五电阻的第一端与所述迟滞比较电路连接，所述第五电阻的第二端与所述开关管的第一端连接，所述第五电阻的第二端还分别通过所述第六电阻和所述第三电容接地，所述开关管的第二端与所述光耦驱动电路连接，所述开关管的第三端接地。
8.根据权利要求7所述的变频器控制电路，其特征在于，所述开关管为双极结型晶体管，所述开关管的第一端为基极，第二端为集电极，第三端为发射极；或
所述开关管为场效应晶体管，所述开关管的第一端为栅极，第二端为漏极，第三端为源极。
9.根据权利要求3所述的变频器控制电路，其特征在于，所述光耦驱动电路包括：第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第四电容以及光耦，所述光耦的第一端通过串联的所述第七电阻和所述第八电阻接第二参考电压，所述光耦的第一端还与所述电流放大电路连接，所述光耦的第二端连接在所述第七电阻与所述第八电阻之间，所述第四电容连接在所述光耦的第一端和第二端之间，所述光耦的第三端与第四端连接在一起，并分别经所述第九电阻输出所述第一驱动信号，经所述第十电阻输出所述第二驱动信号。
10.根据权利要求1所述的变频器控制电路，其特征在于，所述变频器控制电路还包括：预充电电路，与所述滤波电容电路连接，用于根据所述交流电源信号对所述滤波电容电路进行预充电以防止所述滤波电容电路中的滤波电容发生电压突变。