小型漏电过欠压保护控制电路的制作方法

文档序号:12540330阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种小型漏电过欠压保护控制电路,其包括电源输入,其特征在于:其还包括与电源输入连接的脱扣电源电路、与脱扣电源电路连接的过欠压延时动作控制电路、与脱扣电源电路连接的剩余电流动作控制电路以及与剩余电流动作控制电路连接的剩余电流检测电路,

所述过欠压延时动作控制电路包括可控硅控制电路、过压保护电路以及欠压保护电路,

所述剩余电流动作控制电路包括集成芯片IC1,所述集成芯片的输出脚与可控硅Q3的触发极连接,所述集成芯片IC1的检测脚与剩余电流检测电路连接。

2.根据权利要求1所述的小型漏电过欠压保护控制电路,其特征在于,所述过欠压延时动作控制电路包括可控硅Q1,可控硅Q1的阳极和阴极分别与脱扣电源电路连接,所述可控硅Q1的触发极分别与二极管D5的阳极、二极管D6的阴极以及电解电容C3的正极连接,电解电容C3的负极接地,二极管D6的阳极分别通过电阻R8接三极管Q2的集电极以及电解电容C4接地,二极管D5的阴极接三极管Q2的基极,且通过电解电容C2接地,三极管Q2的发射极接双电源脱扣电路,三极管Q2的发射极接稳压管D7的阴极,稳压管D7的阳极接地。

3.根据权利要求1所述的小型漏电过欠压保护控制电路,其特征在于,所述剩余电流检测电路包括漏电检测端Z2和漏电检测端Z3,所述漏电检测端Z2和漏电检测端Z3分别串联电阻R11和电阻R12与集成芯片连接,所述漏电检测端Z2和漏电检测端Z3之间分别并联电阻R10、电容C10以及电容C11,所述电阻R11与集成芯片之间通过电容C9接地,所述电阻R12与集成芯片之间通过电容C13接地。

4.根据权利要求1所述的小型漏电过欠压保护控制电路,其特征在于,所述电源输入包括电源输入L端和电源输入N端,所述电源输入L端与电源输入N端之间并联压敏电阻RV。

5.根据权利要求1所述的小型漏电过欠压保护控制电路,其特征在于,小型漏电过欠压保护控制电路还设有漏电试验电路,所述漏电试验电路包括试验开关T以及与其串联的电阻R1一端,所述电阻R1的另一端与电源输入连接。

6.根据权利要求1所述的小型漏电过欠压保护控制电路,其特征在于,所述剩余电流动作控制电路包括稳压电路,所述稳压电路包括并联设置的电解电容C8和稳压管D8,所述电解电容C8的阴极与稳压管的阳极连接且接地,所述电解电容C8正极和稳压管D8的阴极与集成芯片的电源脚连接。

7.根据权利要求1所述的小型漏电过欠压保护控制电路,其特征在于,所述脱扣电源电路包括成整流桥设置的二极管D1、二极管D2、二极管D3以及二极管D4以及串联在一个电源输入与整流桥之间的脱扣器线圈L1。

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