技术总结
本实用新型公开了一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、IGBT1、IGBT2、变压器、二极管D3和二极管D5、二极管D4和二极管D6，二极管D3与二极管D4反相串联构成第一保护电路，二极管D5与二极管D6反相串联构成第二保护电路。本实用新型涉及的用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路利用瞬变电压抑制二极管来保护IGBT的驱动级，它响应速度快的特点可以保证IGBT不会被高频驱动电压中的干扰造成的尖峰高电压损坏，并且用反向串联另一个二极管来阻隔来自下管和地的反向电流和串扰，效果明显且有效。
技术研发人员：高新忠;甘嵩;冯祥远;冯子琪;李海龙
受保护的技术使用者：杭州信多达电器有限公司
文档号码：201620879860
技术研发日：2016.08.12
技术公布日：2017.01.25