电路(F)包括第二电容(Ct)、第三稳压二极管(Z3)和二极管(Dt)0
[0023]所述的输入的电源为直流低压，经交直流识别模块(E)，交直流识别模块(E)识别出电源性质，确认安全后经延时触发电路(F)，并触发可控硅(C)导通，从而使第二电源转换模块(DC/DC) (D)通电，从而输出工作所需电源电压，此时由于输入电源电压低于第一电源转换模块(DC/DC) (B)的最小工作电压，从而使得第一电源转换模块(DC/DC) (B)不工作。
[0024]所述的输入电源为交流电源，经交直流识别模块(E)，交直流识别模块(E)识别确认为不输出，则可控硅(C)不导通。第二电源转换模块(DC/DC)(D)输入被断开，不工作并保证了安全，同时交流电源经整流电路模块(A)桥堆整流后，输入至第一电源转换模块(DC/DC) (B)，第一电源转换模块(DC/DC) (B)通电，从而输出工作所需电源电压，使电器正常工作。
[0025]所述的输入电源为交流电时，交流电经第一电容(Cd)、第一电阻(Rd)后，光親UpU2在正负半周轮流导通，导通后第二电容(Ct)上储存的电能被释放，导致二极管(Dt)无法触发，因此可控硅(C)因二极管(Dt)无法触发而不能导通。
[0026]所述的如输入电压为直流高压，输入电压的输入极性无关，并且电压高于τχ、4的击穿电压，则光耦仏或U 2仍会导通，导通后第二电容(Ct)上储存的电能被释放，导致触发二极管(Dt)无法触发，因此可控硅(C)因二极管(Dt)无法触发而不能导通；所述的如输入电压为直流且低于Zp Z2的击穿电压，则光耦…、队均不导通，电源通过第二电阻(Rt);向第二电容(Ct)充电，第二电容(Ct)电压超过二极管(Dt)触发电压后，触发可控硅(C)，使其导通而正常工作。
[0027]当电源断电时，所述的第二电容(Ct)上储存的电能经三极管(V1)的发射极流向基极，将储存的电能瞬间泄放到第一保护电阻(R1)和第二保护电阻(R2)上，以防止在电源线接触不良或电源不稳定时造成误触发而引起低压模块的损坏。
【主权项】
1.一种保护电路，其特征在于包括整流电路模块(A)、电源转换模块、保护电路模块，所述的电源转换模块包括第一电源转换模块(DC/DC) (B)和第二电源转换模块(DC/DC)Φ)。2.根据权利要求1所述的一种保护电路，其特征在于所述的保护电路模块包括交直流及高低压识别模块(E)、延时触发电路(F)和可控硅(C)。3.根据权利要求2所述的一种保护电路，其特征在于所述的整流电路模块(A)与第一电源转换模块(DC/DC) (B)串联，所述的保护电路模块与第一电源转换模块(DC/DC) (B)串联，所述的第一电源转换模块(DC/DC) (B)和第二电源转换模块(DC/DC) (D)并联。4.根据权利要求3所述的一种保护电路，其特征在于所述的第一电源转换模块(DC/DC) (B)为直流高压转直流低压，为100-300V转为24V;所述的第二电源转换模块(DC/DC)(D)为直流低压转直流低压，为18-40V转为24V;所述的第二电源转换模块(DC/DC) (D)为直流低压转直流高压，为8-40V转为100-300V。5.根据权利要求4所述的一种保护电路，其特征在于所述的交直流及高低压识别模块(E)包括第一电容(Cd)、第一稳压二极管(Z1X第二稳压二极管(Z2)、第一光親(U1X第二光耦(U2)、第一保护电阻(R1X第二保护电阻(R2)和三极管(V1),所述的延时触发电路(F)包括第二电容(Ct)、第三稳压二极管(Z3)和二极管(Dt)。6.根据权利要求5所述的一种保护电路的保护方法，其特征在于所述的输入的电源为直流低压，经交直流识别模块(E)，交直流识别模块(E)识别出电源性质，确认安全后经延时触发电路(F)，并触发可控硅(C)导通，从而使第二电源转换模块(DC/DC) (D)通电，从而输出工作所需电源电压，此时由于输入电源电压低于第一电源转换模块(DC/DC) (B)的最小工作电压，从而使得第一电源转换模块(DC/DC) (B)不工作。7.根据权利要求6所述的一种保护电路的保护方法，其特征在于所述的输入电源为交流电源，经交直流识别模块(E)，交直流识别模块(E)识别确认为不输出，则可控硅(C)不导通；第二电源转换模块(DC/DC) (D)输入被断开，不工作并保证了安全，同时交流电源经整流电路模块(A)桥堆整流后，输入至第一电源转换模块(DC/DC) (B)，第一电源转换模块(DC/DC) (B)通电，从而输出工作所需电源电压，使电器正常工作。8.根据权利要求6所述的一种保护电路的保护方法，其特征在于所述的输入电源为交流电时，交流电经第一电容(Cd)、第一电阻(Rd)后，光耦U1、U2在正负半周轮流导通，导通后第二电容(Ct)上储存的电能被释放，导致二极管(Dt)无法触发，因此可控硅(C)因二极管(Dt)无法触发而不能导通。9.根据权利要求6所述的一种保护电路的保护方法，其特征在于所述的如输入电压为直流高压，输入电压的输入极性无关，并且电压高于Z1' Z2的击穿电压，则光耦U 1或U 2仍会导通，导通后第二电容(Ct)上储存的电能被释放，导致触发二极管(Dt)无法触发，因此可控硅(C)因二极管(Dt)无法触发而不能导通；所述的如输入电压为直流且低于τχ、Z2的击穿电压，则光耦Up队均不导通，电源通过第二电阻(Rt);向第二电容(Ct)充电，第二电容(Ct)电压超过二极管(Dt)触发电压后，触发可控硅(C)，使其导通而正常工作。10.根据权利要求6所述的一种保护电路的保护方法，其特征在于当电源断电时，所述的第二电容(Ct)上储存的电能经三极管(V1)的发射极流向基极，将储存的电能瞬间泄放到第一保护电阻(R1)和第二保护电阻(R2)上，以防止在电源线接触不良或电源不稳定时造成误触发而引起低压模块的损坏。
【专利摘要】本发明公开了一种保护电路，包括整流电路模块(A)、电源转换模块、保护电路模块，所述的电源转换模块包括第一电源转换模块（DC/DC）(B)和第二电源转换模块（DC/DC）(D)，所述的保护电路的保护方法，所述的输入的电源为直流低压，经交直流识别模块（E），交直流识别模块（E）识别出电源性质，确认安全后经延时触发电路（F），并触发可控硅（C）导通，从而使第二电源转换模块（DC/DC）（D）通电，从而输出工作所需电源电压，此时由于输入电源电压低于第一电源转换模块（DC/DC）（B）的最小工作电压，从而使得第一电源转换模块（DC/DC）（B）不工作。
【IPC分类】H02M1/10, H02H11/00
【公开号】CN104883041
【申请号】CN201510306335
【发明人】蔡永来, 赵胜林
【申请人】嘉兴星网通信技术有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年6月8日