提高并联功率mosfet均流性能的方法及其实现装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电源技术领域，具体涉及一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置。
【背景技术】
[0002]由于制造工艺所限，目前很难生产出高耐压大电流的MOSFET器件，市场上的MOSFET功率普遍较小，当电路要求的电流容量超过单只功率MOSFET的电流容量时，可以将多个MOSFET管并联来增大电流容量或功率。由于MOSFET的漏电流具有负的温度系数，当多个MOSFET并联时无须使用平衡各器件电流的限流电阻和温度补偿电路，因为它们具有自动均流和均温作用。但其不足之处是:由于MOSFET自身参数及电路参数不匹配，会导致器件并联应用时出现电流分配不均的问题，严重时，会使有关的并联功率MOSFET过载而损坏。即使可以采用一些措施来达到均流的目的，例如尽量选择参数一致的元件进行并联，为器件安装位置应尽量做到完全对称，所有连线必须一样长，且尽量加粗和缩短等。但是这些措施的可操作性较差，稍有出入就会影响实际的使用效果，甚至使MOSFET损坏。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于解决现有MOSFET电路各支路因参数不一致等问题造成的电流过大而烧坏器件的问题，提供一种能够提高多路并联功率MOSFET均流性能的提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置。
[0004]本发明是这样实现的:
[0005]一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法，包括如下步骤:
[0006]第一步:计算需并联的串联电路的路数；
[0007]第二步:各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系；
[0008]第三步:使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率M0SFET。
[0009]如上所述的计算需并联的串联电路的路数步骤，根据具体的输出电流值计算需并联的串联电路的路数；
[0010]并联路数η的计算公式为:
[0011]n = I/i ；
[0012]式中，i为各支路设计电流值，I为电路总的输出电流值。
[0013]如上所述的计算需并联的串联电路的路数步骤，电路总的输出电流值I = 16A，各支路设计电流值i = 2A,并联路数η = 8。
[0014]如上所述的各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系步骤，根据第一步计算得到的路数，在各并联支路中再串入一个同型号的功率M0SFET，使原功率MOSFET和新加入的MOSFET构成串流关系。
[0015]如上所述的使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET步骤，使用相关联的驱动电路分别驱动两个串联的功率M0SFET。
[0016]如上所述的使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET步骤，驱动电路保证两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步。
[0017]如上所述的驱动电路采用电阻分压形式。
[0018]一种使用如上所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法实现的装置，其特征在于:包括8条并联支路和驱动电路，每条并联支路包括两个串联的同型号的功率MOSFET，驱动电路与两个串联的同型号的功率MOSFET并联，分别驱动两个串联的同型号的功率M0SFET，驱动电路使两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步；驱动电路由串联的阻值分别为100K欧姆和200K欧姆的分压电阻组成，8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为100K的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接；8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200K的分压电阻的一端并联在53V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
[0019]如上所述的8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200K的分压电阻的一端并联在59V或61V电源的输出端。
[0020]本发明的有益效果在于:
[0021]本发明采用计算需并联的串联电路的路数、各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系和使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET三个步骤，能够在定性的基础上即可解决并联功率MOSFET由于参数不一致而造成的分流不均从而烧坏器件的问题。不必再采取要求极为苛刻且可操作性较差的措施来保证均流。该方法原理简单，操作方便，工艺稳定，重现性好。本发明的装置具有适应各类型需采用并联功率MOSFET均流的场合的特色，且适应于工业化规模生产。
【附图说明】
[0022]图1是本发明的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法的流程图；
[0023]图2是本发明的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置的结构原理图。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图和具体实施例对本发明的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置进行描述:
[0025]如图1所示，一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法，包括如下步骤:
[0026]第一步:计算需并联的串联电路的路数；
[0027]根据具体的输出电流值计算需并联的串联电路的路数。并联路数η的计算公式为:
[0028]n = I/i ；
[0029]式中，i为各支路设计电流值，I为电路总的输出电流值。
[0030]第二步:各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系；
[0031]根据第一步计算得到的路数，在各并联支路中再串入一个同型号的功率M0SFET，使原功率MOSFET和新加入的MOSFET构成串流关系。
[0032]第三步:使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET ；
[0033]使用相关联的驱动电路分别驱动两个串联的功率M0SFET。在本实施例中，驱动电路可以是电阻分压形式，也可采用其它形式，但须保证两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步。
[0034]下面结合以具体实施例对本发明的方法进行更进一步的介绍:
[0035]第一步:计算需并联的串联电路的路数；
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