专利名称：电压控制型振荡器的制作方法
技术领域：
本发明，涉及一种使用电压可变电容元件的电压控制型振荡器。
背景技术：
作为现有的电压控制型振荡器，有使用变容二极管的、和使用由MOS晶体管的开关切换的电阻值的装置。
根据专利文献1、2所述的现有技术，通过利用MOS晶体管的导通电阻的切换，来切换串联连接在固定电容上的MOS晶体管的导通电阻，从而改变从振子所见的负载电容，实施频率的变化。
在给栅极设定偏置电压、并将漏极连接在晶体振子上的形态下，当漏极电压相比栅极电压为阈值电压以下时(MOS晶体管为导通状态)，源极一侧的电容变为可见。另外，通过给栅极施加温度补偿电压等，还能构成为TCXO。
图14为表示现有的电压控制型振荡器的第1构成例的图，图15为表示MOS晶体管M1的开关动作的图，图16为表示现有的电压控制型振荡器的第2结构例的图。
例如在图14所示的第1结构例中，晶体振子3的连接端子XT、XTB上并联连接着放大器1以及反馈电路2，并再将MOS晶体管M1、M2的漏极连接在晶体振子3的连接端子XT、XTB上，各个源极端子和GND端子间连接固定电容C1、C2。另外，连接MOS晶体管M1、M2的栅极端子，作为控制电压的施加端子。
图15所示的MOS晶体管M1的开关动作中，MOS晶体管M1的漏极端子的电压波形，因晶体振子3形成为AC振幅。因此，在例如将作为控制信号的MOS晶体管M1的栅极电压设定为3V的情况下，漏极的振幅比栅极电压低了MOS晶体管的阈值电压VT量时(图15中，VT＝1V)、即2V以下的时间区域为MOS晶体管M1的导通时间。此导通时间中，MOS晶体管M1的导通电阻极小，源极-GND之间的电容作为晶体振子3的负载电容极大地工作，实施减小频率的方向的控制。
这里，通过MOS晶体管M1的导通-截止切换时间之比，来从表观上改变电容值，从而可以控制频率。对于MOS晶体管M2，漏极也有较大的振幅，因此进行相同的动作。
图15中，在将图14的控制电压分为2种来对振荡器的频率进行控制的情况下，将MOS晶体管M1、M2的大小分为2分之一，连接各个栅极。这样，能够制成相同控制灵敏度的输入端子。也可分割为两个以上。
从而，能够将温度补偿信号和外部频率控制信号(VCO)的控制电压分开输入，并进行控制。另一方面，在图16所示的第2结构例的情况下，连接晶体振子3的两个端子(XT端子和XTB端子)上，分别连接MOS晶体管M1、M3和M2、M4的漏极，多个MOS晶体管M1和M3的源极共用、通过电容C1与接地端子相连，MOS晶体管M2和M4的源极共用、通过电容C2与接地端子相连。除此之外的其他结构，与图14所示的第1结构例基本相同，这里省略对其动作进行的说明。
图14所示的现有例中，必须在MOS晶体管的源极上分别设计固定电容，若从芯片面积等角度出发则不希望如此。另外，易受到MOS晶体管的VT的散差影响，很难达成期待的特性。
专利文献1特开平09-102714号公报专利文献2美国专利第5764112号说明书发明内容本发明的目的在于，解决上述技术问题，提供一种实现电路简化的电压控制型振荡器。
为了达到上述目的，第1发明的电压控制型振荡器，由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成，其特征在于将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的两个MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，令所述各个MOS晶体管的栅极共用，将温度补偿信号电压和外部频率控制信号电压相加后的电压信号施加在两个栅极端子上，来实施频率控制。
第2发明是在第1发明的电压控制型振荡器中，将所述各个MOS晶体管的共用源极、通过电容(C3)连接在接地端子上而构成的。
第3发明的电压控制型振荡器，由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成，其特征在于通过电容(C4、C5)，将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的两个MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，对所述各个MOS晶体管的漏极和栅极的任意一方施加温度补偿信号电压，对另一方施加外部频率控制信号电压，来实施频率控制。
第4发明是在第3发明的电压控制型振荡器中，将所述各个MOS晶体管的共用源极、通过电容(C3)连接在接地端子上而构成的。
第5发明的电压控制型振荡器，由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成，其特征在于将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的多组MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，令连接在所述放大器的输出侧上的MOS晶体管(M4、M2)的栅极、和连接在所述放大器的输入侧上的MOS晶体管(M1、M3)的栅极分别共用，将多个控制电压从所述多组MOS晶体管的栅极施加。
第6发明是在第5发明的电压控制型振荡器中，将所述各个MOS晶体管的共用源极、通过电容(C3)连接在接地端子上而构成的。
第7发明的电压控制型振荡器，由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成，其特征在于通过电容(C4、C5)，将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的多组MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，令连接在所述放大器的输出侧上的MOS晶体管(M4、M2)的栅极、和连接在所述放大器的输入侧上的MOS晶体管(M1、M3)的栅极分别共用，将多个控制电压从所述多组MOS晶体管的栅极以及漏极施加。
第8发明是在第7发明的电压控制型振荡器中，将所述各个MOS晶体管的共用源极、通过电容(C3)连接在接地端子上而构成的。
第9发明的电压控制型振荡器，由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成，其特征在于将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的两个MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，对所述MOS晶体管的栅极端子，分别单独施加温度补偿信号电压和外部频率控制信号电压，来实施频率控制。
第10发明是在第9发明的电压控制型振荡器中，将所述各个MOS晶体管的共用源极、通过电容(C1)连接在接地端子上而构成的。
第11发明，是根据第1～10发明的任一项的电压控制型振荡器，其特征在于，将VT补正电路连接在所述多个MOS晶体管的共用栅极端子侧上，并产生抵消该多个MOS晶体管的VT散差和温度特性的信号电压，叠加在用于实施所述频率控制的控制电压上。
通过如此构成，将MOS晶体管的大小最佳化以及将源极连接，可将现有技术中所必须的两个固定电容减少为1个或0个。即，通过将MOS晶体管的栅极电容最佳化，能够实现与现有例相同的特性。而且，可以削除现有技术中连接在源极上的电容，从而能够简化电路并实现小型化。另外，还可用散差检测电路、补正电路，来抵消MOS晶体管的散差。
通过本发明，可削除现有技术中源极上连接的电容，从而能够简化电路并实现小型化。
图1为表示本发明的第1实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图2为本发明的第1实施方式中的MOS晶体管的特性图。
图3为表示本发明的第2实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图4为表示本发明的第3实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图5为表示本发明的第4实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图6为表示本发明的第5实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图7为表示本发明的第6实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图8为表示本发明的第7实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图9为表示本发明的第8实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图10为表示本发明的第9实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图11为表示本发明的第10实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图12为表示本发明的第11实施方式的电压控制型振荡器的结构图。
图13为表示第11实施方式的VT补正电路的一例的电路图。
图14为表示现有的电压控制型振荡器的第1结构例的图。
图15为现有的电路的动作说明图。
图16为表示现有的电压控制型振荡器的第2结构例的图。
图中1-放大电路，2-反馈电路，3-晶体振子具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。再者，对与图14所示的现有例中的部件相同的部件、或功能相同的部件，标以相同的符号，并省略详细说明。
(第1实施方式)图1为表示第1实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图，图2为第1实施方式中的MOS晶体管的特性图。如图1所示，在由放大器1、反馈电路2、晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有两个MOS晶体管M1、M2，作为用于实施此频率调整的可变电容元件。连接晶体振子3的XT端子以及XTB端子上，分别连接MOS晶体管M1、M2的漏极。另外，MOS晶体管M1、M2的源极共用，通过电容C3连接在接地端子上。并且，令MOS晶体管M1、M2的栅极共用，通过将作为温度补偿信号的电压和作为外部频率控制信号的电压相加来对此端子施加，实施频率控制。
MOS晶体管M1、M2的漏极电压的波形，与以往例相同AC振幅较大。如图2所示，漏极电压若低于栅极电压则形成沟道(channel)，并利用在沟道形成前仅为漏极电容、而突然切换为漏极电容+栅极电容的MOS的特性。
现有技术，是将MOS晶体管作为SW使用、将源极下的电容作为负载电容来切换的动作，相对与此本实施方式是通过切换MOS晶体管M1、M2自身的电容来实现相同的特性。从而，能削除现有技术中的源极下的电容。
另外，虽然存在在漏极的电压的振荡幅度小的情况下、D范围较窄的问题，但若将MOS晶体管的L值设定得较大，则花费到通道完全形成为止的时间，切换特性不急剧，能够确保期望的D范围。
(第2实施方式)图3为表示第2实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图3所示，在由放大器1、反馈电路2和晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有两个MOS晶体管M1、M2，作为用于实施此频率调整的可变电容元件。连接晶体振子3的两个端子(XT端子以及XTB端子)上，分别连接两个MOS晶体管M1、M2的漏极。MOS晶体管M1、M2的源极共用，再有，还令MOS晶体管M1、M2的栅极也共用。然后，通过将温度补偿信号的电压、和外部频率控制信号的电压相加来对MOS晶体管M1、M2的栅极端子施加，实施频率控制。
通过第2实施方式，省略了第1实施方式中的源极下的电容。即，在第1实施方式中，由于源极下的电容C3对频率可变没有太大效果，因此如第2实施方式这样，通过将MOS晶体管最优化，能够削除源极下的电容。
(第3实施方式)图4为表示第3实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图4所示，在由放大器1、反馈电路2和晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有两个MOS晶体管M1、M2，作为用于实施此频率调整的可变电容元件。该MOS晶体管M1、M2，分别在连接晶体振子3的两个端子(XT端子以及XTB端子)、和两个MOS晶体管M1、M2的漏极之间，分别连接有电容C4、C5。MOS晶体管M1、M2的源极共用，并通过电容C3连接在接地端子上。
通过对MOS晶体管M1、M2的漏极电压进行调整，可以实施频率控制，另外，实施此频率控制的MOS晶体管M1、M2的漏极上，通过电阻R1、R2施加温度补偿信号的电压，并在MOS晶体管M1、M2的栅极上施加电压控制信号。这样，通过第3实施方式，能够分别施加温度补偿信号和外部频率控制信号。
(第4实施方式)图5为表示第4实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图5所示，在由放大器1、反馈电路2、晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有两个MOS晶体管M1、M2，作为用于实施该频率调整的可变电容元件。该MOS晶体管M1、M2，分别在连接晶体振子3的两个端子(XT端子以及XTB端子)、和两个MOS晶体管M1、M2的漏极之间，分别连接有电容C4、C5。MOS晶体管M1、M2的源极共用。
另外，通过对MOS晶体管M1、M2的漏极电压进行调整，可以实施频率控制，另外，实施此频率控制的MOS晶体管M1、M2的漏极上，通过电阻R1、R2施加温度补偿信号的电压，并在MOS晶体管M1、M2的栅极上施加电压控制信号。这样，通过第4实施方式，能够分别施加温度补偿信号和外部频率控制信号，而且，还省略了第3实施方式中的源极下的电容。
(第5实施方式)图6为表示第5实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图6所示，在由放大器1、反馈电路2和晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有MOS晶体管M1、M2、M3、M4，作为用于实施此频率调整的可变电容元件。即，在连接晶体振子3的两个端子(XT端子和XTB端子)上，分别连接MOS晶体管M1、M3和M2、M4的漏极。另外，令多个MOS晶体管M1、M2、M3、M4的源极共用，并通过电容C3连接在接地端子上。
另外，各个MOS晶体管的栅极连接，是根据下述方式构成的连接令在放大器1的输出侧上连接的MOS晶体管M4的栅极和在放大器1的输入侧上连接的MOS晶体管M1的栅极、以及在放大器1的输出侧上连接的MOS晶体管M2的栅极和在放大器1的输入侧上连接的MOS晶体管M3的栅极共用，能够由MOS晶体管M1、M3、M2、M4的栅极施加多个控制电压。
如此，第5实施方式，将图1所示的第1实施方式中的MOS晶体管M1、M2分别分割为两个，如图6所示作成MOS晶体管M3、M4。然后，将放大器1的输入侧和输出侧的MOS晶体管分别连接，并令控制电压施加端子为多个。这样，能够单独电压施加例如TCXO中所需的温度补偿控制电压和外部频率控制电压。
(第6实施方式)图7为表示第6实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图7所示，在由放大器1、反馈电路2和晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有MOS晶体管M1、M2、M3、M4，作为用于实施此频率调整的可变电容元件。即，在连接晶体振子3的两个端子(XT端子以及XTB端子)上，分别连接MOS晶体管M1、M3和M2、M4的漏极。另外，令多个MOS晶体管M1、M2、M3、M4的源极共用。
另外，各个MOS晶体管的栅极连接，是按照下述方式构成的连接令在放大器1的输出侧上连接的MOS晶体管M4的栅极和在放大器1的输入侧上连接的MOS晶体管M1的栅极、以及在放大器1的输出侧上连接的MOS晶体管M2的栅极和在放大器1的输入侧上连接的MOS晶体管M3的栅极共用，能够由MOS晶体管M1、M4、M2、M3的栅极施加多个控制电压。
由此，第6实施方式，与图6所示的第5实施方式相比，省略了源极下的电容，能够由MOS晶体管的栅极施加多个控制电压。
(第7实施方式)图8为表示第7实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图8所示，在由放大器1、反馈电路2和晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有MOS晶体管M1、M2、M3、M4，作为用于实施此频率调整的可变电容元件。即，在连接晶体振子3的两个端子(XT端子和XTB端子)上，分别连接MOS晶体管M1、M3和M2、M4的漏极。另外，在两个MOS晶体管M1、M3的漏极和XT端子之间连接有电容C4，在另外两个MOS晶体管M2、M4的漏极和XTB端子之间连接有电容C5。再有，令多个MOS晶体管M1、M2、M3、M4的源极共用，并通过电容C3连接在接地端子上。
另外，各个MOS晶体管的栅极连接，是按照下述方式构成的连接令在放大器1的输出侧上连接的MOS晶体管M4的栅极和在放大器1的输入侧上连接的MOS晶体管M1的栅极、以及在放大器1的输出侧上连接的MOS晶体管M2的栅极和在放大器1的输入侧上连接的MOS晶体管M3的栅极共用，能够由MOS晶体管M1、M4、M2、M3的栅极施加多个控制电压。
通过如此构成的第7实施方式，可由MOS晶体管的栅极施加多个控制电压，还能从MOS晶体管的漏极施加控制电压。即，在晶体振子3和MOS晶体管M1、M2的漏极之间，插入固定电容C4、C5，并通过令漏极偏置，来令振荡器的频率控制端子为3个。从而，能够将例如TCXO所需的温度补偿电压施加给MOS晶体管M1、M4的栅极，将作为VCO的外部频率控制电压施加给MOS晶体管M2、M3的栅极，并将MOS散差补正电压通过电阻R1、R2，分别单独电压施加在MOS晶体管M1(M3)、M2(M4)的漏极和固定电容C4、C5之间。
(第8实施方式)图9为表示第8实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图9所示，在由放大器1、反馈电路2和晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有MOS晶体管M1、M2、M3、M4，作为用于实施此频率调整的可变电容元件。即，在连接晶体振子3的两个端子(XT端子以及XTB端子)上，分别连接MOS晶体管M1、M3和M2、M4的漏极。另外，在两个MOS晶体管M1、M3的漏极和XT端子之间连接有电容C4，在另外两个MOS晶体管M2、M4的漏极和XTB端子之间连接有电容C5。再有，令多个MOS晶体管M1、M2、M3、M4的源极共用。
另外，各个MOS晶体管的栅极连接，是按照下述方式构成的连接令在放大器1的输出侧上连接的MOS晶体管M4的栅极和在放大器1的输入侧上连接的MOS晶体管M1的栅极、以及在放大器1的输出侧上连接的MOS晶体管M2的栅极和在放大器1的输入侧上连接的MOS晶体管M3的栅极共用，能够由MOS晶体管M1、M2的栅极施加多个控制电压。
通过如此构成的第8实施方式，与图8所示的第7实施方式相比，省略了源极下的电容，能由MOS晶体管的栅极施加多个控制电压，还能从MOS晶体管的漏极施加控制电压。
(第9实施方式)图10是表示第9实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图10所示，在由放大器1、反馈电路2、晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有两个MOS晶体管M1、M2，作为用于实施该频率调整的可变电容元件。连接晶体振子3的XT端子以及XTB端子上，分别连接MOS晶体管M1、M2的漏极。另外，MOS晶体管M1、M2的源极共用，并通过电容C1连接在接地端子上。然后，对该MOS晶体管M1的栅极端子施加温度补偿信号的电压，对MOS晶体管M2的栅极端子施加外部频率控制电压，实施频率控制。
这样，通过将端子分开以便对MOS晶体管M1、M2的栅极分别施加控制电压，能够单独施加温度补偿电压、作为VCO的外部频率控制电压。
(第10实施方式)图11是表示第10实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图11所示，在由放大器1、反馈电路2、晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有两个MOS晶体管M1、M2，作为用于实施该频率调整的可变电容元件。连接晶体振子3的XT端子以及XTB端子上，分别连接MOS晶体管M1、M2的漏极。另外，MOS晶体管M1、M2的源极共用。然后，对该MOS晶体管M1的栅极端子施加温度补偿信号的电压，对MOS晶体管M2的栅极端子施加外部频率控制电压，实施频率控制。
这样第10实施方式省略了第9实施方式中源极下的电容，并通过将端子分开以便对MOS晶体管M1、M2的栅极分别施加控制电压，能够单独施加温度补偿电压、外部频率控制电压。
(第11实施方式)图12是表示第11实施方式中的电压控制型振荡器的结构的图。如图12所示，在由放大器1、反馈电路2、晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，连接有两个MOS晶体管M1、M2，作为用于实施该频率调整的可变电容元件。连接晶体振子3的XT端子以及XTB端子上，分别连接MOS晶体管M1、M2的漏极。另外，MOS晶体管M1、M2的源极共用，并通过电容C3连接在接地端子上。然后，令MOS晶体管M1、M2的栅极共用，通过将作为温度补偿信号的电压、和外部频率控制电压相加后施加给其端子，同时叠加来自VT补正电路的信号电压来进行施加，来实施频率控制。
这样第11实施方式，是在由放大器1、反馈电路2、晶体振子3构成的电压控制型振荡器中，通过在MOS晶体管M1、M2的共用栅极端子侧上连接VT补正电路，能针对MOS晶体管M1、M2的VT散差和温度特性产生抵消信号并叠加在控制电压上的实施防方式，从而与第1实施方式的振荡电路相比，可以抑制可变电容元件MOS晶体管M1、M2的VT散差。
图13为表示VT补正电路的结构例的电路图，设计例如图13这种与VT成比例的电流ICO，将此电流合成在控制电压上，施加给MOS晶体管M1、M2。通过上述结构，用下式求出叠加在控制电压施加端子上的IOC。
IOC=VREG×R2R1+R2-VTR3]]>再者，除了图1所示的第1实施方式之外，这种VT补正电路，也能在图3至图11所示的第2至第10实施方式的结构中同样连接。
如上所述，本发明由于可使电压控制型振荡器的结构更小、更简单，因此有用。
权利要求
1.一种电压控制型振荡器，是由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成的电压控制型振荡器，其特征在于将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的两个MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，令所述各个MOS晶体管的栅极共用，将温度补偿信号电压和外部频率控制信号电压相加后的电压的信号施加在两个栅极端子上，来实施频率控制。
2.根据权利要求1所述的电压控制型振荡器，其特征在于将所述各个MOS晶体管的共用源极，通过电容(C3)连接在接地端子上。
3.一种电压控制型振荡器，是由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成的电压控制型振荡器，其特征在于通过电容(C4、C5)，将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的两个MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，对所述各个MOS晶体管的漏极和栅极的任意一方施加温度补偿信号电压，对另一方施加外部频率控制信号电压，来实施频率控制。
4.根据权利要求3所述的电压控制型振荡器，其特征在于将所述各个MOS晶体管的共用源极，通过电容(C3)连接在接地端子上。
5.一种电压控制型振荡器，是由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成的电压控制型振荡器，其特征在于将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的多组MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，令连接在所述放大器的输出侧上的MOS晶体管(M4、M2)的栅极、和连接在所述放大器的输入侧上的MOS晶体管(M1、M3)的栅极分别共用，将多个控制电压从所述多组MOS晶体管的栅极施加。
6.根据权利要求5所述的电压控制型振荡器，其特征在于将所述各个MOS晶体管的共用源极，通过电容(C3)连接在接地端子上。
7.一种电压控制型振荡器，是由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成的电压控制型振荡器，其特征在于通过电容(C4、C5)，将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的多组MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，令连接在所述放大器的输出侧上的MOS晶体管(M4、M2)的栅极、和连接在所述放大器的输入侧上的MOS晶体管(M1、M3)的栅极分别共用，将多个控制电压从所述多组MOS晶体管的栅极以及漏极施加。
8.根据权利要求7所述的电压控制型振荡器，其特征在于将所述各个MOS晶体管的共用源极，通过电容(C3)连接在接地端子上。
9.一种电压控制型振荡器，是由放大器和并联连接在该放大器的输入侧端子和输出侧端子上的反馈电路以及晶体振子构成的电压控制型振荡器，其特征在于将所述晶体振子的两个端子分别和作为用于实施频率调整的可变电容元件的两个MOS晶体管的漏极连接，并令所述各个MOS晶体管的源极共用，对所述MOS晶体管的栅极端子，分别各施加温度补偿信号电压和外部频率控制信号电压，来实施频率控制。
10.根据权利要求9所述的电压控制型振荡器，其特征在于将所述各个MOS晶体管的共用源极，通过电容(C1)连接在接地端子上。
11.根据权利要求1～10的任一项所述的电压控制型振荡器，其特征在于将VT补正电路连接在所述多个MOS晶体管的共用栅极端子侧上，并产生抵消该多个MOS晶体管的VT散差和温度特性的信号电压，叠加在用于实施所述频率控制的控制电压上。
全文摘要
本发明提供一种结构简单、适于小型化的电压控制型振荡器。在由放大器(1)、反馈电路(2)、晶体振子(3)构成的电压控制型振荡器中，连接两个MOS晶体管(M1、M2)，作为实施此频率调整的可变电容元件，并在连接晶体振子(3)的XT端子以及XTB端子上，分别连接MOS晶体管(M1、M2)的漏极，并令MOS晶体管(M1、M2)的源极共用，通过电容(C3)连接在接地端子上，并令MOS晶体管(M1、M2)的栅极共用，将作为温度补偿信号的电压和作为电压控制信号的电压相加后施加给栅极端子，来实施频率控制。
文档编号H03B5/32GK1722608SQ20051008339
公开日2006年1月18日 申请日期2005年7月14日 优先权日2004年7月14日
发明者竹内久人, 新宫圭悟, 大塚崇 申请人:松下电器产业株式会社