专利名称：超高基频石英晶体谐振器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种超高基频石英晶体谐振器。
背景技术：
石英晶体谐振器是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、航空 航天等领域。它的基本构成是在一块石英晶片的中间位置两个对应面上涂敷膜层作为电 极，在每个电极上通过引带各焊一根支架到基板上，再通过引线接到管脚上，加上封装外壳 而构成(如图l所示，图中未画出外壳)，传统的圆形镀膜结构(镀膜层面积较大，为2mm)， 超高基频石英晶体要求镀膜面积较小，而采用传统的圆形镀膜结构无法保证两极的对称， 从而造成石英晶体谐振器的工作性能的不稳定。 传统的镀膜结构主要考虑频率较低，频率范围一般在lMHz-40MHz范围(普通产品 可以考虑到60MHz)，镀膜振荡有效面积直径在小1. Omm-小8. Omm(频率越高，镀膜面积必须 越小)，正面镀膜形状同反面镀膜形状呈180。，振荡面积必需重合(才能很好地满足产品 电参数要求)，当振荡面积有效直径小于小O. 5mm以下时，振荡面积的有效重合镀膜夹具精 度无法保证，直接影响产品电参数，故传统的镀膜结构无法满足高基频产品设计要求。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述现有石英晶体谐振器圆形镀膜结构容易造成镀 膜层两极不对称的不足之处，而提供一种超高基频石英晶体谐振器，它能保证产品参数符 合设计要求。
本实用新型的目的是通过如下措施来达到的超高基频石英晶体谐振器，它包括 石英晶体、支架、基板、支架通过导电胶焊接在石英晶体上，其特征在于位于石英晶体的中 间位置两个对应面上镀膜层为正方形，有引带位于镀膜层和支架之间。 在上述技术方案中，所述镀膜层的正方形边长为0. 2mm。 在上述技术方案中，所述正面镀膜形状与反面镀膜形状呈90。在中心点交叉。
本实用新型超高基频石英晶体谐振器具有如下优点①.采用方形被铝电极，比 圆形设计的对称性好，从而保证了产品参数的一致性，②.采用方形镀膜设计，加工方便， 可满足大批量生产实用性强。
图1为圆形镀膜石英晶体谐振器的结构示意图。 图2为本实用新型方形镀膜石英晶体谐振器的结构示意图。 图3为本实用新型的频率扫描图。
具体实施方式
以下结合附图详细说明本实用新型的实施情况，但它们并不构成对本实用新型的 限定，仅作举例而已。同时通过说明本实用新型的优点将变得更加清楚和容易理解。
参阅附图可知本实用新型超高基频石英晶体谐振器，它包括石英晶体1、支架2、基板3、支架2通过导电胶5焊接在石英晶体1上，位于石英晶体的中间位置两个对应面上 镀膜层4为正方形，有引带6位于镀膜层4和支架2之间，镀膜层4的正方形边长为0. 2mm。 正面镀膜形状与反面镀膜形状呈90°在中心点交叉(如图2所示)。 本实用新型超高基频石英晶体谐振器经频率扫描，除主振峰外，无寄生峰。 本实用新型超高基频石英晶体谐振器，在设计过程中充分考虑了产品的寄生抑制 水平，产品的谐振电阻，经综合设计考虑，镀膜振荡面积有效面积直径选用小O. 2mm，采用正 面镀膜形状同反面镀膜形状呈90°在中心点交叉，使产品振荡面积为方形交叉，有效振荡 面积得以保证(面积大小可以进行计算转换)，可以消除镀膜夹具对称误差，从设计上考虑 到投入实际生产问题，保证产品电参数水平稳定。
权利要求超高基频石英晶体谐振器，它包括石英晶体(1)、支架(2)、基板(3)、支架(2)通过导电胶(5)焊接在石英晶体(1)上，其特征在于位于石英晶体的中间位置两个对应面上镀膜层(4)为正方形，有引带(6)位于镀膜层(4)和支架(2)之间。
2. 根据权利要求l所述的超高基频石英晶体谐振器，其特征在于所述镀膜层(4)的正方形边长为0. 2mm。
3. 根据权利要求1或2所述的超高基频石英晶体谐振器，其特征在于所述正面镀膜形状与反面镀膜形状呈90。在中心点交叉。
专利摘要超高基频石英晶体谐振器，它包括石英晶体(1)、支架(2)、基板(3)、支架(2)通过导电胶(5)焊接在石英晶体(1)上，位于石英晶体的中间位置两个对应面上镀膜层(4)为正方形，有引带(6)位于镀膜层(4)和支架(2)之间。本实用新型克服现有石英晶体谐振器圆形镀膜结构容易造成镀膜层两极不对称的缺点。本实用新型超高基频石英晶体谐振器采用方形被铝电极，比圆形设计的对称性好，从而保证了产品参数的一致性，加工方便，可满足大批量生产实用性强。
文档编号H03H9/19GK201536354SQ20092008765
公开日2010年7月28日 申请日期2009年7月28日 优先权日2009年7月28日
发明者卢美芝, 吴刚, 徐承红, 毛晶 申请人:武汉海创电子股份有限公司