专利名称：高基频石英晶体谐振器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高基频石英晶体谐振器。
背景技术：
石英晶体谐振器是一种高精度和高稳定度的频率器件，被称为数字电路的心脏。它的基本构成是一块石英晶片，在晶片中间位置的两个对应面上涂覆金属膜层作为电极，在每个电极上通过引带连接到引线上，再加上封装外壳组成。石英晶体的主要性能由晶片决定，其频率由晶片的厚度决定，与晶片厚度成反比 (AT切晶片，频率=1660/晶片厚度)。传统的石英晶片为平面结构，主要加工方法为机械双面研磨。由于加工工艺和晶片强度的原因，频率范围一般在I 40MHz(晶片厚度O. 04mm),最高也只能达到60MHz (晶片厚度O. 027mm)。随着电子电路小型化、高频化，越来越多的场合需要用到60MHz以上的石英晶体，故传统的晶片无法满足高基频产品要求。
发明内容本实用新型的目的是针对现有技术的不足，提供一种高基频石英晶体谐振器，振荡频率可以提高至60MHz以上。本实用新型采用了以下技术方案包括绝缘底座、支架、晶片、外壳，绝缘底座下端固定有与支架电连接的插脚，支架上开有固定晶片的夹持孔，所述晶片呈圆形，其厚度为O. 05 O. 08mm,晶片两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽，使得凹槽底部形成振荡区域。上述振荡区域可以通过离子刻蚀法形成，用该方法加工可以将振荡区域的厚度加工至6 27 μ m，使得振荡频率可以提高至60 255MHz。上述振荡区域的直径可以为2.5mm。上述晶片的直径可以为8. 0mm。本实用新型通过离子刻蚀法形成可以在晶片中间形成厚度在6 27 μ m的振荡区域，使得振荡频率可以提高至60 255MHz，可以满足高基频石英晶体谐振器的需要，并且还具有等效串联阻抗小和Ts值大的优点，可以满足电子电路低消耗功率和可调性要求。
图1为本实用新型结构示意图。图2为图1中晶片沿A — A线剖视图。
具体实施方式
由图1所示，本实用新型包括绝缘底座1、支架2、晶片3、外壳5，绝缘底座I下端固定有与支架2电连接的插脚4，支架2上开有固定晶片3的夹持孔21，晶片3呈圆形，直径为8. 0mm，其厚度为O. 05 O. 08mm，晶片3通过夹持孔21固定在支架2上。图1中外壳5处于末封装状态。晶片结构如图2所示，晶片两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽33，使得凹槽底部形成振荡区域31。该振荡区域31的直径为2. 5mm，厚度为6 27 μ m。该振荡区域通过在晶片两侧采用离子刻蚀法形成。振荡区域31四周为圆环状基体32。 晶片3表面通过镀膜形成的导电层(图中末画出)，晶片3由夹持孔21垂直设置在支架2上并通过点胶方式与支架固连。晶片上的导电层通过点胶与支架2电连接。
权利要求1.高基频石英晶体谐振器，包括绝缘底座(I)、支架(2)、晶片(3)、外壳(5)，绝缘底座(I)下端固定有与支架⑵电连接的插脚(4)，支架(2)上开有固定晶片(3)的夹持孔(21)，其特征是所述晶片(3)呈圆形，其厚度为O. 05 O. 08mm,晶片(3)两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽(33)，使得凹槽(33)底部形成振荡区域(31)。
2.根据权利要求1所述的高基频石英晶体谐振器，其特征是振荡区域(31)的厚度为6 27 μ m0
3.根据权利要求1所述的高基频石英晶体谐振器，其特征是振荡区域(31)的直径为.2.5mmο
4.根据权利要求1所述的高基频石英晶体谐振器，其特征是晶片(3)的直径为.8. Omm0
专利摘要本实用新型涉及一种高基频石英晶体谐振器，包括绝缘底座、支架、晶片、外壳，绝缘底座下端固定有与支架电连接的插脚，支架上开有固定晶片的夹持孔，所述晶片呈圆形，其厚度为0.05 ～0.08mm，晶片两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽， 使得凹槽底部形成振荡区域。本实用新型晶片中间形成厚度在6～27μm的振荡区域，使得振荡频率可以提高至60～255MHz，可以满足高基频石英晶体谐振器的需要，并且还具有等效串联阻抗小和Ts值大的优点。
文档编号H03H9/19GK202841074SQ20122049456
公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月25日 优先权日2012年9月25日
发明者唐劲, 张帮岭 申请人:铜陵晶越电子有限公司