专利名称：Smd型高基频石英晶体谐振器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种闻基频石英晶体谐振器，具体地说是一种SMD型闻基频石英晶体谐振器。
背景技术：
石英晶体谐振器是一种闻精度和闻稳定度的频率器件，被称为数字电路的心脏。它的基本构成是一块石英晶片，在晶片中间位置的两个对应面上涂覆金属膜层作为电极，在每个电极上通过引带连接到引线上，再加上封装上盖组成。石英晶体的主要性能由晶片决定，其频率由晶片的厚度决定，与晶片厚度成反比(AT切晶片，频率=1660/晶片厚度)。传统的石英晶片为平面结构，主要加工方法为机械双面研磨。由于加工工艺和晶片强度的原因，频率范围一般在I 40MHz(晶片厚度O. 04mm),最高也只能达到60MHz (晶片厚度O. 027mm)。随着电子电路小型化、高频化，越来越多的场合需要用到60MHz以上的石英晶体，故传统的晶片无法满足高基频产品要求。
发明内容本实用新型的目的是针对现有技术的不足，提供一种SMD型高基频石英晶体谐振器，振荡频率可以提高至60MHz以上。本实用新型采用了以下技术方案包括绝缘底座、晶片和上盖，绝缘底座上端设有电极，晶片通过点I父固定在绝缘底座上，所述晶片呈长方形，其厚度为O. 05 O. 08mm,晶片上下两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽，使得凹槽底部形成振荡区域。上述振荡区域可以通过离子刻蚀法形成，用该方法加工可以将振荡区域的厚度加工至6 27 μ m，使得振荡 频率可以提高至60 255MHz。上述振荡区域的直径随晶片大小而改变，分别为1. 5mm、0. 65mm和O. 4mm。本实用新型通过离子刻蚀法形成可以在晶片中间形成厚度在O. 05 O. 08mm的振荡区域，使得振荡频率可以提高至60 255MHz，可以满足高基频石英晶体谐振器的需要，并且还具有等效串联阻抗小和Ts值大的优点，可以满足电子电路低消耗功率和可调性要求。
图1为本实用新型结构示意图。图2为图1中去掉上盖后的俯视图。
具体实施方式
由图1、图2所示，本实用新型包括绝缘底座1、晶片3和上盖2，绝缘底座I上端设有电极4，晶片3在电极4处通过点胶固定在绝缘底座I上端，所述晶片3呈长方形，其厚度为O. 05 O. 08mm。晶片3上下两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽32，使得凹槽32底部形成振荡区域31。该振荡区域31的直径随晶片大小而改变，分别为1. 5mm、0. 65mm和
O.4mm,厚度为6 27 μ m。该振荡区域通过在晶片两侧采用离子刻蚀法形成。晶片3表面设有通过镀膜形成的导电层(图中末画出)，该导电层通过点胶与电极4电连接。电极4与设有绝缘底座I底部的外电极电连接。晶片的长、 宽尺寸可以分别为3. 5*1. 8mm、2. 0*1. Omm和1. 2*0. 6mm。
权利要求1.SMD型高基频石英晶体谐振器，包括绝缘底座(I)、晶片(3)和上盖(2)，绝缘底座(I)上端设有电极(4)，晶片(3)通过点胶固定在绝缘底座(I)上，其特征是所述晶片(3)呈长方形，其厚度为O. 05 O. 08mm,晶片(3)上下两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽(33)，使得凹槽(33)底部形成振荡区域(31)。
2.根据权利要求1所述的SMD型高基频石英晶体谐振器，其特征是振荡区域(31)的厚度为6 27 μ m。
专利摘要本实用新型涉及一种SMD型高基频石英晶体谐振器，包括绝缘底座、晶片和上盖，绝缘底座上端设有电极，晶片通过点胶固定在绝缘底座上，所述晶片呈长方形，其厚度为0.05～0.08mm，晶片上下两侧中间区域对称设置呈盲孔状圆形凹槽，使得凹槽底部形成振荡区域。本实用新型晶片中间形成厚度在6～27μm的振荡区域，使得振荡频率可以提高至60～255MHz，可以满足高基频石英晶体谐振器的需要，并且还具有等效串联阻抗小和Ts值大的优点。
文档编号H03H9/19GK202906850SQ20122049376
公开日2013年4月24日 申请日期2012年9月25日 优先权日2012年9月25日
发明者唐劲, 张帮岭 申请人:铜陵晶越电子有限公司