专利名称：压电部件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种例如用于手机等移动通讯设备、用于SAW双工器和SAW过滤器的 声表面波(SAW)器件以及压电薄膜过滤器等的压电部件，特别是涉及一种压电部件及其制 造方法，该压电部件用晶片级以芯片尺寸封装压电元件，而且，在构成中空部的外围壁部以 及顶部，使用添加有纳米填料或云母填料的感光性树脂薄膜，使中空部的耐模压力性能提
尚ο
背景技术：
在手机中搭载的压电部件(SAW器件)中，根据压电效果有必要确保电极振动的空 间，在其栉状电极部(IDT电极部)的周围，规定的中空部是不可缺少的。在现有技术中，为了力求SAW器件的小型化，使用金(Au)焊点或者锡焊点将SAW 元件芯片倒装焊接(倒焊)在配线基板上，使用树脂等密封整个SAW元件芯片，构成SAW器 件的小型化的封装器件。再者，为了力求SAW器件的小型化和薄型化，在栉状电极部的周围形成规定的中 空部，保持该中空部不变，使用树脂密封栉状电极侧的整个集合压电基板(晶片)，形成外 部连接电极之后，通过刻模分割成各个SAW器件的超小型化的芯片尺寸和封装的SAW器件
已有提案。例如，在专利文献1 (日本特开2006-108993号公报)中记载的SAW器件中，在形 成栉状电极的SAW芯片(压电基板)的上表面上形成由感光性树脂构成的空隙(中空部) 形成层(外围壁)，在该空隙形成层的上方层压密封层(顶部)进行密封，在栉状电极的周 围形成空隙(中空部)。此外，在专利文献2 (日本特开2006-197554号公报)中记载的SAW器件中，与形 成栉状电极的SAW芯片(压电基板)面对面，通过金属接合部接合具有贯通电极的盖进行 密封，在SAW芯片和盖之间形成收容栉状电极的中空部。此外，在专利文献3 (日本特开2007-142770号公报)中记载的SAW器件中，设置 有设在压电基板的表面的SAW元件、在该SAW元件上具有中空部的第1树脂部、以及在该第 1树脂部上的第2树脂部，将硅填料添加于该第2树脂部，使第2树脂部(顶部)的弹性模
量提高。
发明内容
(发明要解决的问题)可是，在用户处通过转送成形等将该种压电部件安装于安装用基板等上进行模块 化时，因为通常施加从5MPa至15MPa的压力，所以，在专利文献1 (日本特开2006-108993 号公报)中记载的仅由有机材料构成的SAW器件的空隙(中空部)形成层和密封层的情况 下，如果不加厚构成顶部的密封树脂层或者不采用硬质材料构成，在采用转送成形等进行 树脂密封时，担心会压坏收容栉状电极的中空部，有损栉状电极的电特性。但是，仅在用于该种树脂密封的感光性树脂材料上，加厚密封树脂层和采用硬质材料构成密封树脂层，实 现所期望的耐模压力性能是非常困难的。此外，在专利文献2 (日本特开2006-197554号公报)中记载的SAW器件中，为了 形成设有贯通电极的贯通孔的盖，以及SAW芯片(压电基板)和盖(基板)的接合/粘合， 需要另外的电极，同时，在基板彼此之间粘合时，担心基板会产生翘曲，此外，通过粘合由相 同材料(压电基板)构成的基板(晶片)，担心压电部件的制造成本变高。再者，为了实现 压电部件的薄型化，基板(晶片)的薄片化是不可缺少的。但是，实现起来是非常困难的。此外，在专利文献3(日本特开2007-142770号公报)中记载的SAW器件中，虽然 对构成第2树脂部(顶部)的感光性树脂添加硅填料以力求提高弹性模量，但是所添加的 硅填料的粒径为0. 01 μ m至8 μ m较大，因此不能获得充分的耐模压力效果。(用于解决技术问题的手段)为了解决上述课题，本发明以低成本制造一种压电部件，其中在构成用于密封栉 状电极的中空部的外围壁部使用的感光性树脂中添加纳米填料，并且，在顶部使用的感光 性树脂中添加纳米填料或者云母填料，从而形成感光性树脂薄膜，使外围壁部和顶部的弹 性模量提高，耐模压力性能好，而且，实现了薄型化和小型化。为此，本发明的压电部件由压电基板、形成于该压电基板的主表面的栉状电极、由 具有邻接该栉状电极而配设的元件配线部的配线电极构成的压电元件、形成于所述元件配 线部的上表面的绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的再配线层、从该再配线层的上表面除 所述栉状电极以外，覆盖其整个面的由无机材料构成的保护膜层、将感光性树脂薄膜层压 在该保护膜层上而形成的外围壁部、将所述感光性树脂薄膜层压在该外围壁部的开口前端 部而形成的顶部、以及贯通该外围壁部和顶部而形成的电极柱构成，其中，所述感光性树脂 薄膜由含有平均粒径为l.Onm以下的无机材料构成的纳米填料或者云母填料、并且弹性模 量为3. OGPa以上的感光性树脂构成。并且，本发明的压电部件的制造方法的特征为，所述压电部件由集合压电基板、在 该集合压电基板的主表面上形成的压电元件、在所述集合压电基板上形成的配线部、连接 该配线部且在所述集合压电基板上形成的贯通电极、以及设置成包围所述压电元件的上表 面的中空部构成，所述压电部件的制造方法包括在所述集合压电基板的主表面上对感光 性树脂薄膜进行层压，形成围住在所述集合压电基板的主表面上形成的所述压电元件的外 围壁部的工序；以及在所述外围壁部的上表面层压感光性树脂薄膜形成第一顶部的工序； 其中，所述感光性树脂薄膜由包含平均粒径为1. Onm以下的无机材料构成的纳米填料和/ 或云母填料、并且弹性模量为3. OGPa以上的感光性树脂构成。(发明效果)能够在不增加部件的厚度的情况下，以低成本制造耐模压力性能极好、而且薄型 化和小型化的压电部件。
图1为示出作为本发明的压电部件的实施例的SAW器件的视图。图2为示出作为本发明的压电部件的实施例的SAW器件的制造方法的概略工序的 视图。
图3为表示向感光性树脂添加纳米填料的添加量(重量％ )与弹性模量(150°C ) 的关系的坐标图。图4为分别表示感光性树脂薄膜仅为树脂的情况(曲线A)、填充纳米填料的情况 (曲线B)、以及感光性树脂薄膜中充填云母填料的情况(曲线C)在规定温度范围(涉及常 温、成形温度、玻璃化转变温度以及回焊温度)内的各个弹性模量的坐标图。
具体实施例方式下面，基于附图1和附图2，对本发明的压电部件及其制造方法进行详细地说明。(压电部件(SAW器件))图1示出作为本发明的压电部件的实施例的SAW器件。如图1所示，该SAW器件1由钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等压电性基板或 者在基板上形成的具有压电性能的压电基板(晶片)2、由在该压电基板2的主表面上通过 溅射或者气相沉积形成的铝膜所构成的IDT电极3、由感光性树脂薄膜构成并且层压于压 电基板2的主表面上的在其上端部具有开口部的外围壁部4、层压于该外围壁部4的上端面 上的同样由感光性树脂薄膜构成的顶部5所构成，在层压的外围壁部4与顶部5与压电基 板2的主表面之间，形成包围IDT电极3和配线电极的中空部C。此外，在压电基板2的例如四角，通过电解电镀在形成于密封树脂P的孔(导通 孔)中形成4个电极柱(电极端子)6，电极柱6的上端部与形成在压电基板2的主表面的 配线电极，另外其他端部与端子电极7分别电连接。并且，根据需要，在这些贯通电极7的 下端部固定焊锡球电极10，在这些周围供给助焊剂，焊锡球电极10分别连接安装基板P(印 刷基板)的外部配线电极(无图示)。这里，使焊锡球电极10固定于贯通电极7的下端部 的理由是，贯通电极7之间的间隔，当变窄为例如200 μ左右时，因为向安装基板P的连接 作业变得非常困难，所以，为了半导体元件的模块化，在用户处对印刷基板上进行安装作业 时，预先使直径为150 μ左右的焊锡球固定于贯通电极7的下端部，以便构成焊锡球电极 10。另外，在用户处直接使用焊锡膏可以将贯通电极7连接于安装基板P上的情况，也可以 使焊锡球电极10不固定。这里，栉状电极3和配线电极构成压电元件，作为压电元件，除了声表面波(SAW) 元件外，可以适用通过薄膜体声波谐振器(Film BulkAcoustic Resonator)以及微型电子 机械系统(Micro-Electro-MechanicalSystems)制造的元件等。再者，构成配线电极的元件配线由铝、铜、金、铬、钌、镍、镁、钛、钨、钒、钽、钼、银、 铟、锶中的任一种作为主成份的材料、或者这些材料与氧、氮、硅的化合物构成，或者这些材 料的合金，或者金属间的化合物、这些材料多层层压后的配线构成。并且，在形成IDT电极3以及配线电极的压电基板2的主表面上，顺次形成SiO2 层、由感光树脂构成的绝缘层8以及在该绝缘层8的上表面的再配线层9，此外，在再配线层 9上形成除IDT电极3以外，覆盖其整个面的薄膜的由无机材料构成的保护膜层。这里，当形成在压电基板2的主表面的绝缘层8形成时，首先，形成由聚酰亚胺为 主成分的有机材料构成的绝缘层，此外，在该绝缘层的表面(上表面)也可以形成由无机材 料构成并且膜厚为200埃以上的绝缘层。并且，作为构成形成于上述再配线层的表面的保护膜层的无机材料，SiO2、石英玻璃、碳素纤维等是适合的。特别是，在作为本发明的压电部件的实施例的SAW器件中，在形成于再配线层9 的上表面的保护膜层的上表面，形成由感光性树脂薄膜构成的外围壁部4，此外，在外围 壁部4的上端面同样层压感光树脂薄膜而形成顶部5，作为形成外围壁部4和顶部5的 感光性树脂薄膜，使用添加平均粒径为l.Onm(纳米)以下的无机材料构成的纳米填料 (nano-filler)，并且其弹性模量为3.06 乂千兆帕斯卡)以上(在180°C以下的温度)的 感光性环氧树脂(参照图3)。通过在外围壁部4和顶部使用这种添加具有平均粒径为1. Onm以下的纳米填料， 并且其弹性模量为3. OGPa的感光性树脂薄膜(例如，环氧树脂薄膜)，能够在不增加部件的 厚度的情况下，以低成本制造耐模压力性能极好、而且薄型化和小型化的压电部件(SAW器 件)。特别是，在本发明的压电部件的实施例的SAW器件中，在用户处的对该SAW器件的 安装用基板的转送成形(树脂密封)时，为了足够承受施加于SAW器件的高压(例如，从 5MPa至15MPa)，以防止中空部压坏而有损栉状电极的电特性，对形成外围壁部和顶部的感 光性树脂使用添加了平均粒径为1. Onm以下的纳米填料的感光性树脂薄膜(例如，厚度为 50μπι-100μπι)。通常，纳米填料是指其平均粒径为1 μ m以下，特别是lnm-500nm的填料，但是作为 本发明的纳米填料，使用平均粒径为Inm以下，特别是0. Snm以下的纳米填料，并且使用添 加了重量比为0. 0% -30%的纳米填料的感光性树脂。—般来说，在添加的填料的尺寸(粒径)较大的情况下(例如，平均粒径为4μπι 的硅填料)，当填料填充率较低时，由于提高弹性模量的效果低，因此，当填料向感光性树脂 的添加量未到至少在30%以上时，不能获得所期待的提高弹性模量的效果。因此，存在感光 性树脂薄膜的价格为高价的同时，粘性变高，树脂密封时不能获得回焊效果的问题。对此，在本发明中，以重量比为-30%左右(少量的添加量，例如可以是5%左 右)添加了平均粒径为Inm以下特别是0. Snm以下的纳米填料的感光性树脂成形为薄膜 状，并将该感光性树脂薄膜加热/按压而粘贴在压电基板上，形成外围壁部，此外，在该外 围壁部的前端部同样加热/按压添加了纳米填料的感光性树脂薄膜并进行粘贴(层压)，形 成顶部，构成提高了弹性模量(硬)的中空部。此外，通过添加该纳米填料，除了能够减小感光树脂薄膜的热膨胀系数以外，在减 小其硬化时的收缩率的同时，玻璃化转变温度从150°C上升到195°C，在成形加热时的温度 范围(150°C -180°C )中，能够保持规定的弹性模量(3GPa)。并且，如上所述，由于纳米填料的添加量比硅填料的添加量少，因此，作为感光性 树脂材料，能够极力减少光刻以及显影后的外围壁部以及顶部的形状的劣化。此外，通常在感光性树脂材料中，能够通过将通常的填料添加至树脂材料来提高 感光性树脂材料的弹性模量。但是，在感光性树脂材料中进行感光时，由于光的折射率不同 而进行漫反射，因此在现有使用的光刻法中，难以将外围壁部和顶部形成所期望的形状。但 是，通过使用纳米填料，能够适当地构成其形状。这里，作为本发明中添加至感光性树脂材料的粒子状的纳米填料的材料，具有 SiO2、硅、云母等的透光性材料是最适合的。并且，除了纳米填料以外，将平均粒径为15 μ m以下的填料添加至感光性树脂材料，能够提高弹性模量。此外，在本发明中，在形成顶部5的感光性树脂材料中，除了纳米填料以外，还添 加平均粒径为15 μ m以下的云母填料，或者取代纳米填料，仅添加感光性树脂材料的10-45 重量％的所述云母填料，成形时相对于感光性树脂薄膜的表面使云母填料向同一方向进行 高取向，而形成感光性树脂薄膜。特别是，云母填料例如纵横尺寸比(短部与长部的比)大 为90时，薄且强度大，而且，以低价格(比由SiO2等构成的填料廉价)可以得到。由本发明人证实了通过对感光性树脂薄膜添加该云母填料，4. 6GPa左右的弹性模 量，提高到8. 3GPa左右而被高弹性化(参照图4)。此外，通过改变感光性树脂的硬化剂(玻璃化转变温度上升)，感光性树脂薄膜本 身的弹性模量能够从2GPa提高至2. SGPa而被高弹性化，同时其玻璃化转变温度(Tg)能够 例如从178°C上升至194°C，提高了转送成形时的强度。(压电部件的制造方法)下面，根据图2对本发明的压电部件的制造方法，有关其实施例的SAW器件的制造 方法进行说明。首先，如图2所示，准备钽酸锂(LiTa03)、铌酸锂(LiNbO3)、水晶等构成的集合压电 基板(晶片)，在工序(1)中，对分别与集合压电基板的主表面(切割后成为形成单片的各 个(例如7000个)压电部件(SAW器件)的压电基板)对应的栉状电极(IDT)和与其连接 的配线电极，通过将铝等构成的金属薄膜进行溅镀或者气相沉积，成膜为规定的厚度(例 如，2000-4000埃)，通过光刻法除去不要的金属薄膜和残存的抗蚀剂，形成栉状电极和配 线电极(下面称作“压电元件”)。接着，在工序(2)中，在压电元件的表面形成由SiO2等的无机材料或者有机材料 构成的保护膜(SiO2膜)。在压电元件的上表面上形成由SiO2等构成的保护膜(SiO2膜) 时，首先，在压电元件上形成SiO2膜，其后，在整个压电基板上涂布由感光性树脂构成的抗 蚀剂，通过利用光刻法、CF4气体等的干式蚀刻法形成保护膜(SiO2膜)。这里，在本发明的压电部件的制造方法的实施例中，在预先形成的压电元件的上 表面上涂布感光性抗蚀剂，使用光刻法形成图案，其后，溅镀SiO2等无机材料在压电元件的 表面上形成SiO2膜。进而，通过使用溶剂的剥离除去抗蚀剂，能够仅使压电元件上表面的 必要的部位保留SiO2保护膜。此夕卜，除了 IDT电极部以及配线电极以外，在SiO2保护膜上涂布介电常数为3. 5 以下的感光性树脂(例如，BCB树脂，Cyclotene (注册商标))，形成绝缘层，通过光刻法，使 IDT电极以及配线电极露出(工序3)。接着，使作为粘合层的Cr以及作为导体层的Cu气相沉积在于形成在SiO2膜上的 绝缘层，涂布抗蚀剂后，通过光刻法使IDT电极与配线电极露出之后，通过剥离(蚀刻)除 去附着在抗蚀剂上的Cr以及Cu，形成再配线层(工序4)。在工序5中，在刚形成的再配线层的上表面形成SiO2的厚度为100-500埃左右的 由无机材料或者有机材料构成的保护层，以便覆盖IDT电极，通过干式蚀刻法使IDT电极露 出之后，通过Cr/Al或者TiW/Cu等材料在压电基板的保护膜层的表面上形成电镀用电极。接着，使添加了纳米填料的感光性树脂薄膜加热/软化，在保护膜层上进行叠层 (层压)，通过光刻法进行图案形成、曝光、显影，形成具有前端开口部的外围壁部(工序6)。
此外，在刚形成的外围壁部的前端开口部，同样使添加了纳米填料或者云母填料 的感光性树脂薄膜加热/软化并进行层压，通过光刻法形成顶部(工序7)。如图1所示，通过这些工序6和7，在树脂密封部形成由密封树脂P构成的外围壁 部4和顶部5所包围的中空部C。此夕卜，在工序8中，在感光性树脂薄膜构成的外围壁部和顶部，实施Cu电解电镀埋 入已形成的孔(导通孔)中而形成电极柱，在工序9中，对形成于电极柱的下端的端子电极 实施Ni以及Au无电解电镀。这里，通过Cu电解电镀形成电极柱，在电极柱的下面实施Ni和Au电镀无电解电 镀而形成端子电极。因此，能够防止由Cu构成的电极柱的氧化，在用户进行焊锡时的电极 柱的焊锡性变的良好。这里，向端子电极的电镀，取代M和Au电镀，也可以是仅利用Au、或 者利用Ni、Pd以及Au的无电解电镀或者电解电镀。并且，电极柱除了电解电镀以外，也可以将溶融焊锡埋入电极形成用的孔(导通 孔)，或者通过埋入导电膏而形成。接着，在工序10中，在贯通电极的下端部焊着直径为150 μ左右的焊锡球，形成焊 锡球电极10。 并且，电解电镀完成后，将压电基板分割成各个压电部件，分割成单片的压电部件 (SAW器件)(工序11)。
权利要求
1.一种压电部件，其特征在于，包括由压电基板、形成于该压电基板的主表面的栉状电极、具有邻接该栉状电极而配设的 元件配线部的配线电极构成的压电元件、形成于所述元件配线部的上表面的绝缘层、形成 于该绝缘层的上表面的再配线层、以及从该再配线层的上表面除所述栉状电极以外，覆盖 其整个面的由无机材料构成的保护膜层；以及将感光性树脂薄膜层压在该保护膜层上而形成的外围壁部、将所述感光性树脂薄 膜层压在该外围壁部的开口前端部而形成的顶部、以及贯通该外围壁部和顶部而形成的电 极柱；其中，所述感光性树脂薄膜由添加了平均粒径为1. Onm以下的无机材料构成的纳米填 料、并且弹性模量为3. OGPa以上的感光性树脂构成。
2.根据权利要求1所述的压电部件，其特征在于在构成所述顶部的所述感光性树脂 薄膜中除了纳米填料以外，还添加云母填料。
3.根据权利要求1或2所述的压电部件，其特征在于所述外围壁部由弹性模量 为3GPa以下的感光性树脂通过光刻法形成，并且所述顶部由在感光性树脂中添加10重 量％ -45重量％的云母构成的填料的感光性树脂薄膜形成。
4.根据权利要求1或2所述的压电部件，其特征在于所述外围壁部由弹性模量 为3GPa以下的感光性树脂通过光刻法形成，并且所述顶部由在感光性树脂中添加10重 量％ -45重量％的云母构成的填料、并且弹性模量为5GPa以上的感光性树脂薄膜形成。
5.一种压电部件，其特征在于，包括由压电基板、形成于该压电基板的主表面的栉状 电极、由具有邻接该栉状电极而配设的元件配线部的配线电极构成的压电元件、形成于所 述元件配线部的上表面的绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的再配线层、以及从该再配线 层的上表面除去所述栉状电极并由覆盖其整个面的无机材料构成的保护膜层；将感光性树脂薄膜层压在该保护膜层上而形成的外围壁部、将所述感光性树脂薄膜层 压在该外围壁部的开口前端部而形成的顶部、以及贯通该外围壁部和顶部而形成的电极柱 构成；其中，构成所述顶部的所述感光性树脂薄膜由添加了云母填料的感光性树脂构成。
6.根据权利要求5所述的压电部件，其特征在于所述外围壁部由弹性模量为3GPa以 下的感光性树脂通过光刻法形成，并且所述顶部由在感光性树脂中添加10重量％ -45重 量％的云母构成的填料的感光性树脂薄膜形成。
7.根据权利要求5所述的压电部件，其特征在于所述外围壁部由弹性模量为3GPa以 下的感光性树脂通过光刻法形成，并且所述顶部通过在感光性树脂中添加10重量％ -45重 量％的云母构成的填料、并且弹性模量为5GPa以上的感光性树脂薄膜形成。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的压电部件，其特征在于所述纳米填料的添加 量为0.0% -30% (重量％ )。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的压电部件，其特征在于形成于所述配线部的 上表面的所述绝缘薄膜，由形成于所述配线部的上表面的有机材料构成的绝缘薄膜、以及 形成于该绝缘薄膜的上表面的厚度为200埃以上的无机材料构成的绝缘薄膜所构成。
10.根据权利要求9所述的压电部件，其特征在于所述无机材料构成的绝缘薄膜由介 电常数为3. 5以下的感光性材料形成。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的压电部件，其特征在于所述压电元件是声 表面波元件、由薄膜体声波谐振器或者微型电子机械系统制造的元件。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的压电部件，其特征在于所述元件配线由铝、 铜、金、铬、钌、镍、钛、钨、钒、钽、镁、钼、银、铟、锶中的任一种作为主成份的材料、或者这些 材料与氧、氮、硅的化合物构成，或者这些材料的合金，或者，金属间的化合物或这些材料多 层层压后的配线构成。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的压电部件，其特征在于所述压电基板为钽 酸锂、铌酸锂、水晶等压电性基板、或者在基板上形成的具有压电功能的基板、或在这些压 电性基板上粘合陶瓷或者结晶性材料形成的压电基板。
14.根据权利要求1-10中的任一项所述的压电部件，其特征在于在所述顶层和所述 外围壁层的外表面上形成由感光性的聚酰亚胺等有机材料、或者含有二氧化硅的石英玻璃 等构成的绝缘材料、或者金属氧化膜等绝缘材料构成的薄膜。
15.一种压电部件的制造方法，所述压电部件由集合压电基板、在该集合压电基板的主 表面上形成的压电元件、在所述集合压电基板上形成的配线部、连接该配线部且在所述集 合压电基板上形成的贯通电极、以及设置成包围所述压电元件的上表面的中空部构成，所 述压电部件的制造方法的特征在于，包括在所述集合压电基板的主表面上对感光性树脂薄膜进行层压，形成围住在所述集合压 电基板的主表面上形成的所述压电元件的外围壁部的工序、以及在所述外围壁部的上表面层压感光性树脂薄膜形成第一顶部的工序；在所述感光性树脂薄膜上使用包含平均粒径为l.Onm以下的无机材料构成的纳米填 料或者云母填料、并且弹性模量为3. OGPa以上的感光性树脂。
16.根据权利要求15所述的压电部件的制造方法，其特征在于通过电解电镀、利用熔 融焊锡埋入、或者利用导电膏埋入形成所述贯通电极。
17.根据权利要求15所述的压电部件的制造方法，其特征在于所述云母填料含有平 均粒径为15 μ m以下的填料，提高了弹性模量。
全文摘要
本发明涉及一种压电部件及其制造方法。压电部件由压电基板、形成于该压电基板的主表面的栉状电极、由具有邻接该栉状电极配设的元件配线部的配线电极构成的压电元件、形成于该元件配线部的上表面的绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的再配线层、从该再配线层的上表面除该栉状电极以外，覆盖其整个面的由无机材料构成的保护膜层、将感光性树脂薄膜层压在该保护膜层上而形成的外围壁部、将添加了纳米填料或云母的感光性树脂薄膜层压在该外围壁部的开口前端部而形成的顶部、以及贯通该外围壁部和顶部而形成的电极柱构成，其中，感光性树脂薄膜由添加了平均粒径为1.0nm以下的无机材料构成的纳米填料、且弹性模量为3.0GPa以上的感光性树脂构成。
文档编号H03H9/25GK101997511SQ20101025565
公开日2011年3月30日 申请日期2010年8月16日 优先权日2009年8月19日
发明者津田稔正 申请人:日本电波工业株式会社