专利名称：高精度温补晶体振荡器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种应用于通信设备、导航、测试仪器等军用、及消费类民用电子产品的晶体振荡器，尤其涉及一种数字补偿的高精度温补晶体振荡器。
背景技术：
目前，数字补偿的晶体振荡器具有较高的频率稳定性，应用前景较好。但是由于其体积较大、成本太高，使其应用受到了较大的限制。且市场上的同类产品，其稳定度在士5 X 10_7，稳定度一般。
实用新型内容为解决上述技术问题，本实用新型提供一种体积小，在宽温度范围内温度稳定度高的高精度温补晶体振荡器。本实用新型的一种高精度温补晶体振荡器，其创新点在于包括晶体振荡器、温度传感器、A/D转换器、微处理器以及D/A转换器，所述晶体振荡器为压控振荡器，所述温度传感器设置在压控振荡器旁，所述温度传感器的信号输出端与A/D转换器的输入端电连接， 所述A/D转换器的输出端与微处理器的信号输入端电连接，微处理器的信号输出端与D/A 转换器的输入端电连接，所述D/A转换器的输出端与压控振荡器电连接。所述压控振荡器为变容二极管。与现有技术相比本实用新型的有益效果为温度传感器测出晶体谐振器的温度 T，经A/D转换为代表该温度的数字量NT，再用NT作为地址，由微处理器从数据段中读出该地址所存储的温度补偿控制电压数据Nk后送到D/A转换器，再由D/A转换器转变为相对应的模拟温度补偿控制电压UK并加到压控振荡器的变容二极管两端。本实用新型体积小，功耗低，在宽温度范围内，温度稳定度高。体积为20mmX12mmX9mm ；功耗不大于50mW。 在-40 V +85 °C温度范围内，稳定度优于士 2 X 10_7。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。如图1所示，一种高精度温补晶体振荡器，包括晶体振荡器、温度传感器1、A/D转换器2、微处理器3以及D/A转换器4，所述晶体振荡器为压控振荡器vctcxo，所述温度传感器1设置在压控振荡器VCtcxo旁，所述温度传感器1的信号输出端与A/D转换器2的输入端电连接，所述A/D转换器2的输出端与微处理器3的信号输入端电连接，微处理器3 的信号输出端与D/A转换器4的输入端电连接，所述D/A转换器4的输出端与压控振荡器VCtCXO电连接。所述压控振荡器vctcxo为变容二极管。在各个不同温度点上保持振荡频率为标称频率fO时所需要的温度补偿数据由实验得到并写进微处理器3的数据段中.温度传感器1测出晶体振荡器的温度T，经A/D转换为代表该温度的数字量NT，再用NT作为地址，由微处理器从数据段中读出该地址所存储的温度补偿控制电压数据Nk后送到D/A转换器，再由D/A转换器转变为相对应的模拟温度补偿控制电压UK并加到压控振荡器VCTCXO的变容二极管两端，以控制VCTCXO振荡频率按给定误差趋近于标称频率fO。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种高精度温补晶体振荡器，其特征在于包括晶体振荡器、温度传感器(1)、A/D转换器( 、微处理器(3)以及D/A转换器，所述晶体振荡器为压控振荡器(vctcxo)，所述温度传感器(1)设置在压控振荡器(vctcxo)旁，所述温度传感器(1)的信号输出端与A/D 转换器( 的输入端电连接，所述A/D转换器( 的输出端与微处理器C3)的信号输入端电连接，微处理器(3)的信号输出端与D/A转换器的输入端电连接，所述D/A转换器的输出端与压控振荡器(vctcxo)电连接。
2.根据权利要求1所述的高精度温补晶体振荡器，其特征在于所述压控振荡器 (vctcxo)为变容二极管。
专利摘要本实用新型涉及一种高精度温补晶体振荡器，包括晶体振荡器、温度传感器、A/D转换器、微处理器以及D/A转换器，所述晶体振荡器为压控振荡器，所述温度传感器设置在压控振荡器旁，所述温度传感器的信号输出端与A/D转换器的输入端电连接，所述A/D转换器的输出端与微处理器的信号输入端电连接，微处理器的信号输出端与D/A转换器的输入端电连接，所述D/A转换器的输出端与压控振荡器电连接。本实用新型体积小，在宽温度范围内温度稳定度高。
文档编号H03B5/04GK202231673SQ20112039617
公开日2012年5月23日 申请日期2011年10月18日 优先权日2011年10月18日
发明者孔攻玉, 王巨, 董长波 申请人:北京科瑞思特电子有限公司