具有共模反馈的宽带宽C类放大器的制造方法与工艺

本发明一般涉及放大器，并且，更具体地，涉及具有共模反馈的C类放大器。

背景技术：
伪差动C类放大器有共模电流消耗，其根据不可控制的输入摆幅而变化。因此，通常采用共模反馈回路，即使在电阻负载（resistivelyloaded）的宽带宽放大器中，以在变化的C类电流下稳定输出共模。这种共模反馈应该减少差动带宽的劣化并维持快速工作循环的第一稳定时间。然而，还没有开发出这种反馈电路。因此，需要具有共模反馈的改进的C类放大器。常规电路的一些示例在美国专利号No.5,721,500以及美国专利授权之前的公开号.No.2006/0082416中描述。

技术实现要素：
实施例提供一种装置。该装置包括具有第一对差动输出端的输入电路，并且提供共模电流；以及输出电路，其具有：第二对输出端；第一放大器，其耦合至第一和第二对输出端，并且包括电阻网络；第二放大器，其耦合至电阻网络，以便从感测到的共模电流和参考电压产生控制电压；第一共模反馈电路，其耦合至第二放大器，以便接收控制电压，并且当共模电流小于预定阈值时，其耦合到电阻网络以提供第一反馈电流到电阻网络；以及第二共模反馈电路，其连接至第二放大器，以便接收控制电压，并且当共模电流大于预定阈值时，其耦合到第一对输入端以提供第二电流到第一对输入端。根据实施例，该装置进一步包括供电轨，并且其中第一共模反馈电路进一步包括：晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中晶体管的第一无源电极耦合至供电轨，并且其中晶体管的第二无源电极耦合至电阻网络，并且其中晶体管的控制电极耦合至第二放大器；以及电容器，其耦合在晶体管的控制电极和第二无源电极之间。根据实施例，晶体管进一步包括第一晶体管，并且其中第二共模反馈电路进一步包括：第二晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中第二晶体管的第一无源电极耦合至供电轨，并且第二晶体管的控制电极耦合至第二放大器，并且其中第二晶体管的第二无源电极耦合至来自第一对差动输出端的第一输出端；以及第三晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中第三晶体管的第一无源电极耦合至供电轨，并且第三晶体管的控制电极耦合至第二放大器，并且其中第三晶体管的第二无源电极耦合至来自第一对差动输出端的第二输出端。根据实施例，第一放大器进一步包括：第四晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中第四晶体管的第一无源电极耦合至电阻网络，并且其中第四晶体管的第二无源电极耦合至来自第一对差动输出端的第一输出端；第五晶体管，其具有第一无源电极、第二无源电极和控制电极，其中第五晶体管的第一无源电极耦合至电阻网络，并且其中第五晶体管的第二无源电极耦合至来自第一对差动输出端的第二输出端，并且其中第五晶体管的控制电极耦合至第四晶体管的控制电极；第一电流镜，其耦合至第四晶体管的第二无源电极；以及第二电流镜，其耦合至第五晶体管的第二无源电极。根据实施例，该装置进一步包括调整电路，其耦合在第一晶体管的控制电极和第二放大器之间以便设置预定阈值。根据实施例，第一、第二、第三、第四和第五晶体管还包括双极晶体管。根据实施例，第一、第二和第三晶体管还包括PNP晶体管，并且其中第四和第五晶体管还包括NPN晶体管。根据实施例，提供一种装置。该装置包括具有第一对差动输出端并且提供共模电流的输入电路；以及输出电路，其具有：第二对输出端；共栅放大器，其耦合至第一和第二对输出端，并且共栅放大器包括电阻网络；反馈放大器，其耦合至电阻网络，以便从感测到的共模电流和参考电压产生控制电压；第一共模反馈电路，其耦合至反馈放大器，以便接收控制电压，并且当共模电流小于预定阈值时，其耦合到电阻网络以提供第一反馈电流到电阻网络；以及第二共模反馈电路，其耦合至反馈放大器，以便接收控制电压，并且当共模电流大于预定阈值时，其耦合到第一对输入端以提供第二电流到第一对输入端。根据实施例，该装置进一步包括供电轨，并且其中第一共模反馈电路进一步包括：MOS晶体管，其在其自身的源极耦合至供电轨，在其自身的漏极耦合至电阻网络，并且在其自身的栅极耦合至反馈放大器；以及电容器，其耦合在MOS晶体管的栅极和漏极之间。根据实施例，MOS晶体管进一步包括第一MOS晶体管，并且其中第二共模反馈电路进一步包括：第二MOS晶体管，其在其自身的源极耦合至供电轨，在其自身的栅极耦合至反馈放大器，并且在其自身的漏极耦合至来自第一对差动输出端的第一输出端；以及第三MOS晶体管，其在其自身的源极耦合至供电轨，在其自身的栅极耦合至反馈放大器，并且在其自身的漏极耦合至来自第一对差动输出端第二输出端。根据实施例，共栅放大器进一步包括：第四MOS晶体管，其在其自身的漏极耦合至电阻网络，并且在其自身的源极耦合至来自第一对差动输出端的第一输出端；第五MOS晶体管，其在其自身的漏极耦合至电阻网络，并且在其自身的源极耦合至来自第一对差动输出端的第二输出端，并且在其自身的栅极耦合至第四MOS晶体管的栅极；第一电流镜，其耦合至第四MOS晶体管的源极；以及第二电流镜，其耦合至第五MOS晶体管的源极。根据实施例，第一、第二和第三晶体管进一步包括PMOS晶体管，并且其中第四和第五晶体管进一步包括NMOS晶体管。根据实施例，电阻网络进一步包括：第一分压器，其耦合在第四和第五MOS晶体管的漏极之间，并且其耦合至第一MOS晶体管的漏极；第二分压器，其耦合在第四和第五MOS晶体管的漏极之间；以及第三分压器，其耦合在第四和第五MOS晶体管的漏极之间，并且...