本发明是应用于无线通信技术中的射频LDMOS功率放大器的温度效应抑制装置，特别涉及WCDMA,CDMA制式的通信系统中对采用射频LDMOS器件的大功率功率放大器的输出功率稳定有较大作用的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置。
背景技术：
LDMOS管是专为射频功放放大器设计的改进型N沟道MOSFET，常工作在AB类，在工作点附近具有正的温度特性，即在一定的栅压下，当工作温度升高时，其静态电流IDQ升高；当工作温度降低时，IDQ降低。一般地，当LDMOS管热沉温度从20℃升高到100℃时，其静态工作电流IDQ变化140％；当温度降低至0℃时，变化量也有30％。IDQ变化会影响系统的增益、效率和线性等指标，其中又以线性影响最大。因此，在工作中维持功率管IDQ稳定，是功放板设计的关键点之一。
技术实现要素：
本发明要解决上述现有技术的缺点，提供一种具有温度补偿机制、不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置。本发明解决其技术问题采用的技术方案：这种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻R0、三极管T1、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。所述限流电阻R0和三极管T1、T2的基级之间连接有分压电阻R1、R2。所述三极管T1、T2的发射极接地。所述LDMOS功率放大器的管脚1为射频信号输入端，射频信号通过电容C从LDMOS功率放大器的管脚1输入。本发明有益的效果是：本发明结构通过结合三极管的温度特性和NTC（NegativeTemperatureCoefficient负温度系数）热敏电阻，对LDMOS管子的温度效应实 现较好的抑制作用，针对现有LDMOS管的特性，提供一种具有温度补偿机制的，可使大功率射频LDMOS放大器在不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的目的。附图说明图1是本发明电路示意图。具体实施方式下面结合附图对本发明作进一步说明：如图所示，这种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻R0、三极管T1、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1（栅极）连通，限流电阻R0和三极管T1、T2的基级之间连接有分压电阻R1、R2，三极管T1、T2的发射极接地。LDMOS功率放大器的管脚2（源极）接地，管脚3（漏极）为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通，由微控制器MCU来控制电源模块输出一个合适的电压（按照LDMOS功率放大器的输出功率来定），LDMOS功率放大器的管脚1为射频信号输入端，射频信号通过电容C从LDMOS功率放大器的管脚1输入。LDMOS功率放大器的正温度特性被NTC电阻R3的负温度特性所抵消，最终实现了功放管的额输出功率稳定。电路通过三极管T1来牵制三极管T2的集电极电流，温度升高，使三极管T2的UBE电压变小，三极管T2的集电极电流增加，三极管T2集电极对地的电压升高，这时，同样由于温度升高使得三极管T1的UBE电压也变小，这样就削弱了三极管T2基极电流的增大，从而抑制了三极管T2集电极电流的增加，使得三极管T2集电极对地电压随温度的升高保持一定的稳定。当温度降低时三极管T1牵制三极管T2的效果相同，从而不管是温度升高还是降低三极管T2集电极对地的电压都保持在一定的恒定值下。而三极管T2集电极的电压在保持恒定的同时，NTC电阻R3与分压电阻R1、R2组成的LDMOS功率放大器栅极供电电压却在有序变化，当温度升高时NTC电阻R3的阻值会变小，从而使得整体上加到栅极的电压会变小，抵制了由于温度升高而使LDMOS功率放大器漏极的电流增大的因素。当温度降低时原理相同，最终使LDMOS功率放大器的栅压也就实现了相对的“负温度特性”，最终保证了LDMOS功率放大器的输出功率稳定。本发明利用三极管本身的温度特性互相制约实现LDMOS功率放大器栅极供电电源的温度特性稳定，从而为NTC电阻R3的负温度特性提供了一个精准的电压参考，而NTC电阻R3的负温度特性通过电路实现了与LDMOS功率放大器正温度特性的相互抵消，最终实现了有效抑制功放管的温度效应。除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围。