半导体开关元件驱动电路的制作方法

文档序号:11142801阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体开关元件驱动电路,具备:

半导体开关元件,通过向该半导体开关元件的栅极端子施加的栅极电压,在该半导体开关元件的第一端子与第二端子间流过主电流;

过电流保护电路,其在与所述主电流的大小成比例的电流值或者电压值超过第一阈值的情况下,判断为所述主电流在规定时间内成为超过规定电流值的过电流,使所述主电流下降;

短路保护电路,其在所述主电流在比所述规定时间短的短时间内成为比所述过电流更大的过电流的情况下,使所述栅极电压比由所述过电流保护电路引起的所述主电流的下降更快地下降;以及

判定时间变更电路,其根据所述过电流保护电路的判断结果与第二阈值之间的比较结果,将是否使所述过电流保护电路进行工作的判定所需的判定时间设为在所述主电流的大小越小时所述判定时间越长。

2.根据权利要求1所述的半导体开关元件驱动电路,其特征在于,

所述判定时间变更电路根据所述半导体开关元件的传感电压来判定所述主电流的大小。

3.根据权利要求2所述的半导体开关元件驱动电路,其特征在于,

还具备阈值变更电路,该阈值变更电路与所述传感电压成比例地变更所述第二阈值。

4.根据权利要求1所述的半导体开关元件驱动电路,其特征在于,

所述判定时间变更电路根据所述栅极电压来判定所述主电流的大小。

5.根据权利要求4所述的半导体开关元件驱动电路,其特征在于,

还具备阈值变更电路,该阈值变更电路与所述栅极电压成比例地变更所述第二阈值。

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