1.一种双工器(D)，包括Tx滤波器(TX)和Rx滤波器(RX)，其中，
-所述Tx滤波器(TX)包括各自与电声谐振器串联的基本构件(GG)以及串联在所述基本构件(GG)之间的阻抗变换器(IW)，
-所述Rx滤波器(RX)包括各自与电声谐振器串联的所述基本构件(GG)以及串联在所述基本构件(GG)之间的所述阻抗变换器(IW)，
-所述Tx滤波器(TX)中的所述阻抗变换器(IW)是阻抗逆变器(K)，
-所述Tx滤波器(TX)中的所述基本构件(GG)的谐振器(R)仅是串联谐振器(S)，
-所述Rx滤波器(RX)中的所述阻抗变换器(IW)是导纳逆变器(J)，
-所述Rx滤波器(RX)中的所述基本构件(GG)的所述谐振器(R)仅是并联谐振器(P)。
2.根据前一项权利要求所述的双工器，其中，作为阻抗元件，所述阻抗变换器(IW)包括：
-电容性元件(CE)和电感性元件(IE)，或者
-仅所述电容性元件(CE)，或者
-仅所述电感性元件(IE)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的双工器，其中，所述阻抗变换器(IW)包括相移线路。
4.根据前述权利要求中任一项所述的双工器，其中，所述Tx滤波器(TX)中的所述谐振器(R)和所述Rx滤波器(RX)中的所述谐振器(R)中的至少一个可调谐。
5.根据前一项权利要求所述的双工器，其中，所述可调谐谐振器(R)中的至少一个包括谐振器元件(RE)以及与所述谐振器元件(RE)串联或并联的所述可调谐阻抗元件(CE，IE)。
6.根据权利要求4所述的双工器，其中，所述可调谐谐振器(R)包括发自所述谐振器元件(RE)的场，由其借助开关(SW)可将每个所述元件(RE)耦合至所述谐振器(R)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的双工器，其中，所述开关(SW)是CMOS开关、基于GaAs的开关、JFET开关或者MEMS开关。
8.根据前两项权利要求中任一项所述的双工器，其中，全部所述谐振器(R)可调谐至不同的频带。
9.根据前四项权利要求中任一项所述的双工器，其中，所述谐振器(R)的可调谐性能够实现：
-补偿温度波动，
-针对阻抗适配调整两个所述滤波器(TX、RX)中的至少一个，
-针对插入衰减调整两个所述滤波器(TX、RX)中的至少一个，或者
-针对隔离调整两个所述滤波器(TX，RX)中的至少一个。
10.根据前五项权利要求中任一项所述的双工器，其中，每个所述谐振器(R)包括可通过开关(SW)控制的等效所述谐振器元件(RE)，这些开关可通过MIPI接口做出响应。
11.根据前述权利要求中任一项所述的双工器，其中，所述Tx滤波器(TX)和/或所述Rx滤波器(RX)包括：
-两个并联的所述电容性元件(CE)，以及
-一个并联的所述电感性元件(IE)。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的双工器，其中，所述Tx滤波器(TX)和/或所述Rx滤波器(RX)包括：
三个并联的所述电容性元件(CE)。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的双工器，其中，所述Tx滤波器(TX)和/或所述Rx滤波器(RX)包括：
三个并联的所述电感性元件(IE)。
14.根据前述权利要求中任一项所述的双工器，其中，所述Tx滤波器(TX)和/或所述Rx滤波器(RX)包括：
-两个并联的所述电感性元件(IE)，以及
-一个并联的所述电容性元件(CE)。
15.根据前四项权利要求中任一项所述的双工器，其中，所述Tx滤波器(TX)和/或所述Rx滤波器(RX)包括两个串联的所述基本构件(GG)以及与两个串联的所述基本构件(GG)并联的所述电容性元件(CE)。
16.根据权利要求1所述的双工器，其中，选自所述Tx滤波器(TX)和所述Rx滤波器(RX)的其中一个滤波器包括：
-一个信号路径(SP)，
-四个所述电容性元件(CE)，它们在所述信号路径(SP)中，
-六个可切换的所述谐振器(R)，它们分别具有一个所述谐振器元件(RE)以及一个在接地的分流支路中与其串联的所述开关(SW)，
-一个所述电感性元件(IE)，其与四个所述电容性元件(CE)中的两个并联。