1.一种用于多晶体管串联射频开关的电压均匀化方法，其特征在于在串联组成射频开关的各晶体管的源极和漏极之间分别增设电容作为寄生电容，通过调整各晶体管的寄生电容实现各晶体管的压降均匀性。
2.如权利要求1所述的电压均匀化方法，其特征在于：
所述寄生电容通过各晶体管上设置的金属条以及各晶体管自身的金属层予以实现。
3.如权利要求2所述的电压均匀化方法，其特征在于：
所述射频开关由N个晶体管的源极和漏极依次连接，构成包括N+1个节点的串联结构；
每个节点通过金属与硅接触孔连接到在第一金属层上的第一金属条上，同时在第二金属层上有一个或多个第二金属条，所述第二金属条与部分第一金属条相连；所述第一金属条、所述第二金属条与N+1个节点构成N个寄生电容；
通过调整第一金属条的尺寸和间距、第二金属条的尺寸和间距以及第一金属条与第二金属条之间的位置关系，分别调节N个寄生电容的大小；其中，N为正整数。
4.如权利要求3所述的电压均匀化方法，其特征在于：
在栅宽方向增加/减小金属条尺寸以增加/减小金属条之间的寄生电容面积，从而增大/减小寄生电容。
5.如权利要求3所述的电压均匀化方法，其特征在于：
在栅长方向增加/减小金属条间距以增加/减小电容极板间距，从而减小/增大寄生电容。
6.如权利要求4或5所述的电压均匀化方法，其特征在于：
所述第二金属条有M个，分别与第一金属层上的前M个第一金属条垂直连接，其中M为正整数且不大于N。
7.如权利要求4或5所述的电压均匀化方法，其特征在于：
所述第二金属条有M个，保持浮空状态；所述第二金属条在水平方向上分布在第一金属条之间的间距中，在垂直方向上与第一金属条在金属条边缘处存在少量交叠或无交叠。
8.如权利要求4或5所述的电压均匀化方法，其特征在于：
所述第二金属条有M个，分别与第一金属层中的M个第一金属条连接，从而与第一金属层中的N+1－M个金属条构成层间寄生电容，其中M为正整数且不大于N。
9.一种射频开关，由多个晶体管的源极和漏极依次连接构成，其特征在于采用权利要求1～8中任意一项所述的电压均匀化方法实现各晶体管的压降均匀性。
10.一种通信终端，其特征在于所述通信终端中包括有权利要求9所述的射频开关。