1.一种电流复用型高频放大器电路，其特征是：包括采用堆叠形式的第一级放大器电路（21）和第二级放大器电路（22）、以及分别为第一级放大器电路（21）和第二级放大器电路（22）提供直流偏置电压的偏置电路（23）；所述第一级放大电路（21）和第二级放大电路（22）采用相同的共源伪差分电路结构，输出负载为电阻；所述第一级放大电路（21）的输出端信号通过交流耦合电容连接到第二级放大电路（22）的输入端，第二级放大电路（22）的输出端信号作为高频放大器电路的输出信号。
2.如权利要求1所述的电流复用型高频放大器电路，其特征是：所述偏置电路由两部分构成，第一部分包括运算放大器，运算放大器的输出通过两个偏置电阻分别连接到第一级放大器电路（21）的差分对（NM1、NM2）的栅极，提供直流偏置电压；第二部分包括NMOS晶体管，NMOS晶体管的栅极和漏极连接，并通过两个偏置电阻分别连接到第二级放大器电路（22）的差分对（NM3、NM4）的栅极，提供直流偏置电压。
3.如权利要求2所述的电流复用型高频放大器电路，其特征是：所述第一级放大器电路（21）的输出负载电阻连接到第二级放大器电路（22）的差分对（NM3、NM4）的两个NMOS晶体管的源极，同时连接到偏置电路第一部分中运算放大器的正极输入端。
4.如权利要求1、2或3所述的电流复用型高频放大器电路，其特征是：所述第一级放大器电路（21）包括第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1和第二电阻R2；放大器正输入端VIP连接到第一电容C1一端，第一电容C1的另一端连接第一NMOS晶体管NM1的栅极，放大器负输入端VIN连接到第二电容C2一端，第二电容C2的另一端与第一NMOS晶体管NM2的栅极连接，第一NMOS晶体管NM1和第二NMOS晶体管NM2的源极接地，第一电阻R1的一端连接第一NMOS晶体管NM1的漏极，第一电阻R1与第一NMOS晶体管NM1漏极的连接点作为第一级放大器的负输出端，第二电阻R2的一端连接第二NMOS晶体管NM2的漏极，第二电阻R2和第二NMOS晶体管NM2漏极的连接点作为第一级放大器的正输出端，第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的另一端连接。
5.如权利要求1、2或3所述的电流复用型高频放大器电路，其特征是：所述第二级放大器电路（22）包括第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第三电容C3、第四电容C4、第三电阻R3和第四电阻R4；第一级放大器的负输出端连接到第三电容C3一端，第三电容C3的另一端连接第三NMOS晶体管NM3的栅极，第一级放大器的正输出端连接到第四电容C4一端，第四电容C4的另一端与第四NMOS晶体管NM4的栅极连接，第三NMOS晶体管NM3和第四NMOS晶体管NM4的源极相连接，并连接到第一级放大器的第一电阻R1和第二电阻R2的连接点，第三电阻R3的一端连接第三NMOS晶体管NM3的漏极，第三电阻R3和第三NMOS晶体管NM3漏极的连接点作为电流复用型高频放大器的正输出端VON，第四电阻R4的一端连接第四NMOS晶体管NM4的漏极，第四电阻R4和第四NMOS晶体管NM4漏极的连接点作为电流复用型高频放大器的负输出端VOP，第三电阻R3的另一端与第四电阻R4的另一端均连接到电源。
6.如权利要求1、2或3所述的电流复用型高频放大器电路，其特征是：所述偏置电路（23）包括偏置电流IB、第五NMOS晶体管NM0、运算放大器OPA、第一偏置电阻RB1、第二偏置电阻RB2、第三偏置电阻RB3和第四偏置电阻RB4；偏置电流IB一端连接电源，另一端连接第五NMOS晶体管NM0的栅极和漏极，并连接到第三偏置电阻RB3和第四偏置电阻RB4的一端，第三偏置电阻RB3的另一端连接到第三NMOS晶体管NM3的栅极，第四偏置电阻RB4的另一端连接到第四NMOS晶体管NM4的栅极；
运算放大器OPA的正输入端连接至第一级放大器的第一电阻R1和第二电阻R4的连接点，同时与第二级放大器的第三NMOS晶体管NM3和第四NMOS晶体管NM4的源极连接，运算放大器OPA的负输入端连接基准电压VREF；所述运算放大器OPA的输出端连接补第一偏置电阻RB1和第二偏置电阻RB2的一端，第一偏置电阻RB1的另一端连接到第一NMOS晶体管NM1的栅极，第二偏置电阻RB2的另一端连接到第二NMOS晶体管NM2的栅极。
7.如权利要求6所述的电流复用型高频放大器电路，其特征是：所述运算放大器OPA的输出端还连接补偿电容CL的一端，补偿电容CL的另一端连接至第一NMOS晶体管NM1和第二NMOS晶体管NM2的源极。
8.如权利要求6所述的电流复用型高频放大器电路，其特征是：所述基准电压VREF的值为电源电压的一半。