一种声表面波器件电极的制作方法

本实用新型涉及声表面波器件，具体涉及一种声表面波器件电极。

背景技术：

CSP技术是最近几年才发展起来的新型集成电路封装技术,应用CSP技术封装的产品封装密度高,性能好,体积小,重量轻,与表面安装技术兼容,因此它的发展速度相当快,现已成为集成电路重要的封装技术之一。

在现有技术中，声表面波器件的叉指换能器、汇流条和电极等都是在同一时间印刷制作在压片基底之上，之后会对CSP滤波器芯片通过电极植球的手段倒装，但是现有技术的缺点是，由于电极十分薄，所以在焊球焊接时，会出现虚焊甚至焊透等现象。图1是现有技术中焊球焊接在电极之上的示意图。如图1所示，在现有技术中，由于电极和换能器是同时完成的，而换能器本身不可以做的很厚，否则无法保证换能器性能，所以这样无法保证电极51的厚度，在植球过程中，焊球61容易将很薄的铝膜制作成的电极51超声击穿，导致铝膜脱落。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种声表面波器件电极。

本实用新型的技术方案如下：

一种声表面波器件电极，包括压电基底，压电基底之上制作有叉指换能器以及位于所述叉指换能器两侧的反射栅；还包括连接于所述叉指换能器和所述反射栅之上的汇流条；所述汇流条末端连接有电极；所述电极之上焊接有焊球；所述汇流条包括两层；第一层汇流条紧贴于所述压电基底，且所述第一层汇流条的末端有锯齿状结构；第二层汇流条覆盖于所述第一层汇流条之上，且所述第二层汇流条的末端与所述电极相连接为一体；所述电极的厚度与所述第一层汇流条和所述第二层汇流条的厚度相等，且所述电极的内侧面、与所述第一层汇流条相接触之处，嵌合在所述锯齿状结构之中。

其进一步的技术方案为，所述电极的厚度为2～3um；所述焊球焊接于所述电极的深度为0.5～1um。

其进一步的技术方案为，所述电极的材料为铝或者铜铝合金。

其进一步的技术方案为，所述锯齿状结构中的锯齿等距排列。

本实用新型的有益技术效果是：

本实用新型的电极和声表面滤波器的其他部分分开，并在电极处做了锯齿状结构，这样可以使得第一层汇流条与电极处更好的连接，使得电极处的铝膜更好的与芯片表面以及汇流条结合在一起，同时保证了电极处铝膜的厚度，让植球倒装不易将电极铝膜弄脱落。

附图说明

图1是现有技术中焊球焊接在电极之上的示意图。

图2是本实用新型的俯视图。

图3是图2中A部分的放大图。

图4是汇流条与电极相连接处的侧视图。

图5是无电极结构的芯片光刻板。

图6是包括第二层汇流条和电极结构的套刻板。

图7是套刻之后的芯片结构。

具体实施方式

图2是本实用新型的俯视图。如图2所示，本实用新型包括压电基底1，压电基底1之上制作有叉指换能器2以及位于叉指换能器2两侧的反射栅3。还包括连接于叉指换能器2和反射栅3之上的汇流条4。汇流条4末端连接有电极5。电极5之上焊接有焊球6。汇流条4包括两层；第一层汇流条41紧贴于压电基底1制作，且第一层汇流条41的末端有锯齿状结构7。

图3是图2中A部分的放大图。如图3所示，可见第一层汇流条41末端的锯齿状结构7。由于第二层汇流条42覆盖于第一层汇流条41之上，将第一层汇流条41及其末端的锯齿状结构7覆盖，所以在图3中锯齿状结构7表示为虚线。锯齿状结构7中的锯齿等距排列。

图4是汇流条与电极相连接处的侧视图。如图4所示，第二层汇流条42的末端与电极5相连接为一体，电极5的厚度与第一层汇流条41和第二层汇流条42的厚度相等，且电极5的内侧面、与第一层汇流条41相接触之处，嵌合在锯齿状结构7之中。

优选的，电极5的厚度为2～3um；焊球6焊接于电极5的深度为0.5～1um。在现有技术中，为了保证叉指换能器的质量，电极的厚度一般在0.5um左右。 可见本实用新型在保证叉指换能器的厚度不变的情况下有效增加了电极的厚度，这样焊球就能很好的与电极结合，也不会发生之前电极铝膜容易脱落的情况。

优选的，电极5的材料为铝或者铜铝合金。其中铜铝合金性质更佳。

本实用新型的制作过程为：

1、首先制作无电极结构的芯片光刻板，图5是无电极结构的芯片光刻板。如图5所示，图5中的a、b、c、d四个位置为现有技术中电极结构应该处于的位置，而在本实用新型的此步骤中，将其去除。另外可由图5中的第一层汇流条41末端看到锯齿状结构7。

2、其次套刻第二层汇流条和电极。图6是包括第二层汇流条和电极结构的套刻板。如图6所示，套刻板上只有第二层汇流条和电极结构，其中第二层汇流条42的位置与第一层汇流条41的位置对应。此步骤的目的是将汇流条加厚，且补充电极结构。

图6是套刻之后的芯片结构。图7所示的是芯片制作好之后的最终布局。

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。