技术特征：
技术总结
本发明公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的具有超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器。该六位数控衰减器，包括了一个升压模块、一个电压转换模块和六个级联的基本衰减单元。该衰减器主要利用三极管管栅极电压升高的工作特性与其温度升高时的工作特性相反的性质，使施加单元衰减模块加载的栅极电压随温度正相关。其次，利用三级管栅极接地的等效电容与温度正相关的特性减少衰减器的衰减附加相移。本发明显著降低了器件的不良温度特性对数控衰减器工作性能的影响。该方案适用于毫米波单片集成电路领域，对军事作战及航空航天的电路系统有极大的应用价值。
技术研发人员：杨漫菲;王磊;孙博文;陈庆;方堃
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.03.29
技术公布日：2017.09.08