技术特征：
技术总结
一种基于双采样技术的高压信号采样电路。其包括第三采样电容CS3、第四采样电容CS4、全差分跨导放大器S、第三积分电容CI3、第四积分电容CI4、第一开关c1、第二开关c2、第三开关c3、第四开关c4、第五开关c5、第六开关c6、第七开关c7和第八开关c8。本发明提供的基于双采样技术的高压信号采样电路的效果及优点：该电路利用双采样技术，可有效解决低压CMOS工艺中因无高压电容而无法实现对高压锂电池电压采集问题，即能够利用低压CMOS工艺代替高压CMOS工艺，从而降低成本。
技术研发人员：段权珍;丁月民;黄胜明;刘慧敏;苏林;郭天
受保护的技术使用者：天津理工大学
技术研发日：2017.05.05
技术公布日：2017.09.08