一种高隔离度射频开关电路的制作方法

本发明属于射频电路技术领域，具体地讲，涉及一种高隔离度射频开关电路。

背景技术：

由于二极管的单方向导通性，例如pin二极管，二极管经常被应用在射频开关电路上，然而，二极管反偏或者零偏的时候隔离度较低,单个二极管设计的射频开关不适合在隔离度要求高的射频电路领域。

技术实现要素：

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种高隔离度射频开关电路，可适合在隔离度要求高的射频电路领域。

为了解决上述技术问题，本发明第一方面实施例提供了一种高隔离度射频开关电路，包括：

第一射频电路，其用于传输射频信号，其包括第一射频端口和第二射频端口，所述第一射频端口电连接第一二极管第一端，所述第一二极管的第二端电连接第二二极管的第二端，所述第二二极管的第一端与所述第二射频端口电连接；

第二射频电路，其用于传输射频信号，其包括所述第一射频端口和第三射频端口，所述第一射频端口电连接第三二极管的第三端，所述第三二极管的第四端电连接第四二极管的第四端，所述第四二极管的第三端与所述第三射频端口电连接；

第一二极管回路，其包括第一输入电压端，所述第一二极管的一端电连接所述第一输入电压端，所述第一二极管的另一端接地；

第二二极管回路，其包括第二输入电压端，所述第二二极管的一端电连接所述第二输入电压端，所述第二二极管的另一端接地；

第三二极管回路，其包括第三输入电压端，所述第三二极管的一端电连接所述第三输入电压端，所述第三二极管的另一端接地；

第四二极管回路，其包括第四输入电压端，所述第四二极管的一端电连接所述第四输入电压端，所述第四二极管的另一端接地；其中，

所述第一二极管回路和所述第二二极管回路同时导通，所述第三二极管回路和所述第四二极管回路同时导通，且所述第一射频电路和所述第二射频电路传输射频信号的时间错开。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一端为阴极，所述第二端为阳极，所述第一输入电压端和所述第二输入电压端为同一输入电压端，所述第一输入电压端电连接所述第一二极管的阳极，所述第二输入电压端电连接所述第二二极管的阳极。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一二极管回路包括第一电阻、第二电阻、第一电感和第二电感，所述第一输入电压端和所述第一二极管之间串联所述第二电阻、第二电感，所述第一二极管与接地之间串联所述第一电阻、第一电感；所述第二二极管回路包括第三电阻、第三电感、第一电感和第一电阻，所述第二输入电压端和所述第二二极管之间串联所述第二电阻、第二电感，所述第二二极管与接地之间串联所述第三电阻、第三电感。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一端为阴极，所述第二端为阳极，所述第一输入电压端电连接所述第一二极管的阳极，所述第二输入电压端电连接所述第二二极管的阳极。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一二极管回路包括第一电阻、第二电阻、第一电感和第二电感，所述第一输入电压端和所述第一二极管之间串联所述第一电阻、第一电感，所述第一二极管与接地之间串联所述第二电阻、第二电感；所述第二二极管回路包括第三电阻、第三电感、第二电感和第二电感，所述第二输入电压端和所述第二二极管之间串联所述第三电阻、第三电感，所述第二二极管与接地之间串联所述第二电阻、第二电感，所述第一二极管和所述第二二极管通过同一线路接地。

在本发明第一方面一实施例中，所述第三端为阴极，所述第四端为阳极，所述第三输入电压端和所述第四输入电压端为同一输入电压端，所述第三输入电压端电连接所述第三二极管的阳极，所述第四输入电压端电连接所述第四二极管的阳极。

在本发明第一方面一实施例中，所述第三端为阴极，所述第四端为阳极，所述第三输入电压端电连接所述第三二极管的阳极，所述第四输入电压端电连接所述第四二极管的阳极。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一射频端口为输入端口，所述第二射频端口、所述第三射频端口分别为输出端口；或者，

所述第一射频端口为输出端口，所述第二射频端口、所述第三射频端口分别为输入端口。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一射频端口和所述第一二极管所述第一端之间设有第一电容，所述第二射频端口和所述第二二极管所述第一端之间设有第二电容，所述第三射频端口和所述第三二极管所述第三端之间设有第三电容，所述第四射频端口和所述第四二极管所述第三端之间设有第四电容。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管、所述第四二极管均为pin二极管。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

由于第一射频电路包括第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管背靠背设置，所述第二射频电路包括第三二极管和第四二极管，所述第三二极管和所述第四二极管背靠背设置，从而，第一射频电路工作时，第二射频电路上的第三二极管和第四二极管一起起到隔离信号的作用，第二射频电路工作时，第一射频电路上的第一二极管和第二二极管一起起到隔离信号的作用，从而本实施例的射频电路具有较好的隔离度和较好的开关效果，端口隔离度高，适用性强,电路结构简单，成本也较低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明第一实施例高隔离度射频开关电路的电路图；

图2是本发明第一实施例高隔离度射频开关电路频率-插入损耗的示意图；

图3是本发明第一实施例高隔离度射频开关电路频率-隔离度的示意图；

图4是本发明第二实施例高隔离度射频开关电路的电路图；

图示说明：

c11-第一射频电路；c12-第二射频电路；c13-第一二极管回路；c14-第二二极管回路；c15-第三二极管回路；c16-第四二极管回路；r1-第一电阻；r2-第二电阻；r3-第三电阻；r4-第四电阻；r5-第五电阻；r6-第六电阻；l1-第一电感；l2-第二电感；l3-第三电感；l4-第四电感；l5-第五电感；l6-第六电感；c1-第一电容；c2-第二电容；c3-第三电容；c4-第四电容；c5-第五电容；c6-第六电容；t1-第一输入电压端；t2-第二输入电压端；t3-第三输入电压端；t4-第四输入电压端；rf1-第一射频端口；rf2-第二射频端口；rf3-第三射频端口。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象，而并非用于描述特定的顺序。

第一实施例

本发明实施例提供一种高隔离度射频开关电路，请参见图1，包括第一射频电路c11、第二射频电路c12、第一二极管回路c13、第二二极管回路c14、第三二极管回路c15和第四二极管回路c16。

所述第一射频电路c11用于传输射频信号，其包括第一射频端口rf1和第二射频端口rf2，在本实施例中，所述第一射频端口rf1为输入端口，所述第二射频端口rf2为第一输出端口，当然，在本发明的其他实施例中，所述第一射频端口可以为输出端口，所述第二射频端口可以为第一输入端口。所述第一射频端口rf1电连接第一二级管第一端，所述第一二极管d1的第二端电连接第二二极管d2的第二端，所述第二二极管d2的第一端与所述第二射频端口rf2电连接，从而第一二极管d1和第二二极管d2是背靠背设置，在本实施例中，所述第一端为二极管的阴极，所述第二端为二极管的阳极。

所述第二射频电路c12用于传输射频信号，其包括第一射频端口rf1和第三射频端口rf3，在本实施例中，所述第一射频端口rf1为输入端口，所述第三射频端口rf3为第二输出端口，当然，在本发明的其他实施例中，所述第一射频端口可以为输出端口，所述第三射频端口可以为第二输入端口。所述第一射频端口rf1电连接第三二级管第三端，所述第三二极管d3的第四端电连接第四二极管d4的第四端，所述第四二极管d4的第三端与所述第三射频端口rf3电连接，从而第三二极管d3和第四二极管d4背靠背设置，在本实施例中，所述第三端为二极管的阴极，所述第四端为二极管的阳极。

所述第一二极管回路c13包括第一输入电压端t1，所述第一输入电压端t1可以输出高电平或低电平，高电平例如为大于或等于1v的电压，例如为1v、2v、3v、4v、5v等，低电平例如为0v，所述第一输入电压端t1直接或间接与第一二极管d1的第二端电连接，在本实施例中，所述第一输入电压端t1间接与第一二极管d1的第二端电连接。所述第一输入电压端t1输出的电压可以由其他电源电路输出，也可以由直流电源输出。所述第一二极管d1的第一端直接或间接接地，在本实施例中，所述第一二极管d1的第一端间接接地。在本实施例中，当所述第一输入电压端t1输出高电平时，例如输出3v时，所述第一二极管d1导通，最后接向地，从而第一二极管回路c13形成导通回路，此时，第一二极管d1导通，可以用来传输射频信号；当所述第一输入电压端t1输出低电平时，例如输出0v时，所述第一二极管d1截止，从而第一二极管回路c13不导通，不能用来传输射频信号。

所述第二二极管回路c14包括第二输入电压端t2，所述第二输入电压端t2可以输出高电平或低电平，高电平例如为大于或等于1v的电压，例如为1v、2v、3v、4v、5v等，低电平例如为0v，所述第二输入电压端t2直接或间接与第二二极管d2的第二端电连接，在本实施例中，所述第二输入电压端t2间接与第二二极管d2的第二端电连接。所述第二输入电压端t2输出的电压可以由其他电源电路输出，也可以由直流电源输出。在本实施例中，所述第二输入电压端t2与所述第一输入电压端t1为同一输入电压端，当然，在本发明的其他实施例中，所述第二输入电压端和所述第一输入电压端为不同输入电压端，此时，两者同时为高电平和低电平。所述第二二极管d2的第一端直接或间接接地，在本实施例中，所述第二二极管d2的第一端间接接地。在本实施例中，当所述第二输入电压端t2输出高电平时，例如输出3v时，所述第二二极管d2导通，最后接向地，从而第二二极管回路c14形成导通回路，此时，第二二极管d2导通，可以用来传输射频信号；当所述第二输入电压端t2输出低电平时，例如输出0v时，所述第二二极管d2截止，从而第二二极管回路c14不导通，不能用来传输射频信号。

所述第三二极管回路c15包括第三输入电压端t3，所述第三输入电压端t3可以输出高电平或低电平，高电平例如为大于或等于1v的电压，例如为1v、2v、3v、4v、5v等，低电平例如为0v，所述第三输入电压端t3直接或间接与第三二极管d3的第四端电连接，在本实施例中，所述第三输入电压端t3间接与第三二极管d3的第四端电连接。所述第三输入电压端t3输出的电压可以由其他电源电路输出，也可以由直流电源输出。所述第三二极管d3的第三端直接或间接接地，在本实施例中，所述第三二极管d3的第三端间接接地。在本实施例中，当所述第三输入电压端t3输出高电平时，例如输出3v时，所述第三二极管d3导通，最后接向地，从而第三二极管回路c15形成导通回路，此时，第三二极管d3导通，可以用来传输射频信号；当所述第三输入电压端t3输出低电平时，例如输出0v时，所述第三二极管d3截止，从而第三二极管回路c15不导通，不能用来传输射频信号。

所述第四二极管回路c16包括第四输入电压端t4，所述第四输入电压端t4可以输出高电平或低电平，高电平例如为大于或等于1v的电压，例如为1v、2v、3v、4v、5v等，低电平例如为0v，所述第四输入电压端t4直接或间接与第四二极管d4的第四端电连接，在本实施例中，所述第四输入电压端t4间接与第四二极管d4的第四端电连接。所述第四输入电压端t4输出的电压可以由其他电源电路输出，也可以由直流电源输出。在本实施例中，所述第四输入电压端t4与所述第三输入电压端t3为同一输入电压端，当然，在本发明的其他实施例中，所述第四输入电压端和所述第三输入电压端为不同输入电压端，此时，两者同时为高电平和低电平。所述第四二极管d4的第三端直接或间接接地，在本实施例中，所述第四二极管d4的第三端间接接地。在本实施例中，当所述第四输入电压端t4输出高电平时，例如输出3v时，所述第四二极管d4导通，最后接向地，从而第四二极管回路c16形成导通回路，此时，第四二极管d4导通，可以用来传输射频信号；当所述第四输入电压端t4输出低电平时，例如输出0v时，所述第四二极管d4截止，从而第四二极管回路c16不导通，不能用来传输射频信号。

在本实施例中，所述第一输入电压端t1和所述第二输入电压端t2同时输出高电平，此时，第一二极管回路c13和第二二极管回路c14同时导通，从而，从第一射频端口rf1输入的射频信号经由第一射频电路c11从第二射频端口rf2输出。所述第三输入电压端t3和所述第四输入电压端t4同时输出高电平，此时，第三二极管回路c15和第四二极管回路c16同时导通，从而，从第一射频端口rf1输入的射频信号经由第二射频电路c12从第三射频端口rf3输出。所述第一射频电路c11和第二射频电路c12传输射频信号的时间错开，也即第一射频电路c11传输射频信号时，第二射频电路c12不传输射频信号，第二射频电路c12传输射频信号时，第一射频电路c11不传输射频信号，具体可以通过控制第一二极管回路c13、第二二极管回路c14、第三二极管回路c15和第四二极管回路c16的导通或截止来实现第一射频电路c11和第二射频电路c12的导通或不导通。

在本实施例中，由于第一射频电路c11包括第一二极管d1和第二二极管d2，第一二极管d1和第二二极管d2背靠背设置，所述第二射频电路c12包括第三二极管d3和第四二极管d4，所述第三二极管d3和所述第四二极管d4背靠背设置，从而，第一射频电路c11工作时，第二射频电路c12上的第三二极管d3和第四二极管d4一起起到隔离信号的作用，第二射频电路c12工作时，第一射频电路c11上的第一二极管d1和第二二极管d2一起起到隔离信号的作用，从而本实施例的射频电路具有较好的隔离度和较好的开关效果，端口隔离度高，适用性强,电路结构简单，成本也较低。

在本实施例中，所述第一二极管d1、所述第二二极管d2、所述第三二极管d3和所述第四二极管d4均为pin二极管，由于pin二极管是由p型半导体材料和n型半导体材料之间加一薄层低掺杂高阻值的本征半导体层构成，是在射频频端受偏置电流控制的可变阻抗器。在正向电流的偏置下，空穴和电子被注入本征半导体层，这样就会产生并储存一定的电荷量，这些电荷使得本征半导体的阻抗很小，因此此时pin二极管表现出来的阻抗很小。当pin二级管处于反偏或者零偏的时候，在本征半导体层不会存储到电荷，因此此时pin二极管表现出来的阻抗很大，从而第一射频电路c11和第二射频电路c12具有较好的开关效果，开关速度快。

在本实施例中，所述第一射频端口rf1与所述第一二极管d1之间具有第一电容c1，所述第二射频端口rf2与所述第二二极管d2之间具有第二电容c2，从而，当第一二极管回路c13和第二二极管回路c14导通时，第一二极管回路c13上传递的直流信号通过第一电容c1隔断，第二二极管回路c14上传递的直流信号通过第二电容c2隔断；所述第一射频端口rf1与所述第三二极管d3之间具有第三电容c3，所述第三射频端口rf3与所述第四二极管d4之间具有第四电容c4，从而，当第三二极管回路c15和第四二极管回路c16导通时，第三二极管回路c15上传递的直流信号通过第三电容c3隔断，第四二极管回路c16上传递的直流信号通过第四电容c4隔断。从而，可以防止第一二极管回路c13、第二二极管回路c14上传输的直流信号对第一射频电路c11上传输的射频信号的影响；可以防止第三二极管回路c15、第四二极管回路c16上传输的直流信号对第二射频电路c12上传输的射频信号的影响。

在本实施例中，所述第一输入电压端t1间接电连接到所述第一二极管d1的第二端，所述第一二极管d1的第一端间接电性接地，具体说来，在本实施例中，所述第一输入电压端t1通过第二电阻r2和第二电感l2电连接到所述第一二极管d1的第二端，例如为所述第一输入电压端t1依次串联第二电阻r2和第二电感l2电连接到所述第一二极管d1的第二端；所述第二二极管d2的第一端通过第一电感l1和第一电阻r1接地，例如为所述第一二极管d1的第一端依次串联第一电感l1和第一电阻r1后电性接地。也即第一二极管回路c13还包括第一电感l1、第一电阻r1、第二电感l2和第二电阻r2，从而可以抑制射频信号，降低第一二极管回路c13对射频信号的影响，有减少射频电路插入损耗的作用。另外，在本发明的其他实施例中，所述第一输入电压端也可以直接电连接到所述第一二极管的第二端；在本发明的其他实施例中，所述第一二极管的第一端直接接地。

在本实施例中，所述第二输入电压端t2间接电连接到所述第二二极管d2的第二端，所述第二二极管d2的第一端间接电性接地，具体说来，在本实施例中，所述第二输入电压端t2与所述第一输入电压端t1为同一输入电压端，所述第二输入电压端t2通过第二电阻r2和第二电感l2电连接到所述第二二极管d2的第二端，例如为所述第二输入电压端t2依次串联第二电阻r2和第二电感l2电连接到所述第二二极管d2的第二端；所述第二二极管d2的第一端通过第三电感l3和第三电阻r3接地，例如为所述第二二极管d2的第一端依次串联第三电感l3和第三电阻r3后电性接地。也即第二二极管回路c14还包括第一电感l1、第一电阻r1、第三电感l3和第三电阻r3，从而可以抑制射频信号，降低第二二极管回路c14对射频信号的影响，有减少射频电路插入损耗的作用。另外，在本发明的其他实施例中，所述第二输入电压端也可以直接电连接到所述第二二极管的第二端；在本发明的其他实施例中，所述第二二极管的第一端直接接地。

在本实施例中，在本实施例中，所述第三输入电压端t3间接电连接到所述第三二极管d3的第四端，所述第三二极管d3的第三端间接电性接地，具体说来，在本实施例中，所述第三输入电压端t3通过第五电阻r5和第五电感l5电连接到所述第三二极管d3的第四端，例如为所述第三输入电压端t3依次串联第五电阻r5和第五电感l5电连接到所述第三二极管d3的第四端；所述第三二极管d3的第三端通过第四电感l4和第四电阻r4接地，例如为所述第三二极管d3的第三端依次串联第三电感l3和第三电阻r3后电性接地。也即第三二极管回路c15还包括第三电感l3、第三电阻r3、第四电感l4和第四电阻r4，从而可以抑制射频信号，降低第三二极管回路c15对射频信号的影响，有减少射频电路插入损耗的作用。另外，在本发明的其他实施例中，所述第三输入电压端也可以直接电连接到所述第三二极管的第四端；在本发明的其他实施例中，所述第三二极管的第三端直接接地。

在本实施例中，所述第四输入电压端t4间接电连接到所述第四二极管d4的第四端，所述第四二极管d4的第三端间接电性接地，具体说来，在本实施例中，所述第四输入电压端t4与所述第三输入电压端t3为同一输入电压端，所述第四输入电压端t4通过第五电阻r5和第五电感l5电连接到所述第四二极管d4的第四端，例如为所述第四输入电压端t4依次串联第五电阻r5和第五电感l5电连接到所述第四二极管d4的第四端；所述第四二极管d4的第三端通过第六电感l6和第六电阻r6接地，例如为所述第四二极管d4的第三端依次串联第六电感l6和第六电阻r6后电性接地。也即第四二极管回路c16还包括第五电感l5、第五电阻r5、第六电感l6和第六电阻r6，从而可以抑制射频信号，降低第四二极管回路c16对射频信号的影响，有减少射频电路插入损耗的作用。另外，在本发明的其他实施例中，所述第四输入电压端也可以直接电连接到所述第四二极管的第四端；在本发明的其他实施例中，所述第四二极管的第三端直接接地。

在本实施例中，由于第一二极管回路c13包括第一电感l1、第一电阻r1、第二电感l2和第二电阻r2，第二二极管回路c14包括第一电感l1、第一电阻r1、第三电感l3和第三电阻r3，第三二极管回路c15包括第三电感l3、第三电阻r3、第四电感l4和第四电阻r4，第四二极管回路c16包括第五电感l5、第五电阻r5、第六电感l6和第六电阻r6，而且，第一射频电路c11包括第一电容c1和第二电容c2，第二射频电路c12包括第三电容c3和第四电容c4。从而，当第一射频电路c11工作时，此时第二射频电路c12不工作，第一射频电路c11上的插入损耗请见图2中的斜线l，第二射频电路c12上的隔离度请见图3中的曲线s，从图2可以看出，第一射频电路c11上的插入损耗低于0.372db(分贝)，从图3可以看出，第二射频电路c12上的隔离度大于35db，从而本实施例的高隔离度射频开关电路插入损耗较小，隔离度较高。

第二实施例

图4为本发明第二实施例提供的一种高隔离度射频开关电路，图4的电路与图1的电路相似，因此相同的元件符号代表相同的元件，本实施例与第一实施例的主要不同点为二极管的方向。

请参见图4，在本实施例中，所述第一射频电路c11用于传输射频信号，其包括第一射频端口rf1和第二射频端口rf2，在本实施例中，所述第一射频端口rf1为输入端口，所述第二射频端口rf2为第一输出端口。所述第一射频端口rf1电连接第一二级管第一端，所述第一二极管d1的第二端电连接第二二极管d2的第二端，所述第二二极管d2的第一端与所述第二射频端口rf2电连接，从而第一二极管d1和第二二极管d2是背靠背设置，在本实施例中，所述第一端为二极管的阳极，所述第二端为二极管的阴极。

所述第二射频电路c12用于传输射频信号，其包括第一射频端口rf1和第三射频端口rf3，在本实施例中，所述第一射频端口rf1为输入端口，所述第三射频端口rf3为第二输出端口。所述第一射频端口rf1电连接第三二级管第三端，所述第三二极管d3的第四端电连接第二二极管d2的第四端，所述第四二极管d4的第三端与所述第三射频端口rf3电连接，从而第三二极管d3和第四二极管d4背靠背设置，在本实施例中，所述第三端为二极管的阳极，所述第四端为二极管的阴极。

所述第一二极管回路c13包括第一输入电压端t1，所述第一输入电压端t1可以输出高电平或低电平，所述第一输入电压端t1间接与第一二极管d1的第一端电连接。所述第一二极管d1的第二端间接接地。在本实施例中，当所述第一输入电压端t1输出高电平时，例如输出3v时，所述第一二极管d1导通，最后接向地，从而第一二极管回路c13形成导通回路，此时，第一二极管d1导通，可以用来传输射频信号。

所述第二二极管回路c14包括第二输入电压端t2，所述第二输入电压端t2可以输出高电平或低电平，所述第二输入电压端t2间接与第二二极管d2的第一端电连接。所述第二二极管d2的第二端间接接地。在本实施例中，所述第二输入电压端t2与所述第一输入电压端t1为不同输入电压端，所述第一二极管d1的第二端和第二二极管d2的第二端通过同一线路接地。

所述第三二极管回路c15包括第三输入电压端t3，所述第三输入电压端t3可以输出高电平或低电平，所述第三输入电压端t3间接与第三二极管d3的第三端电连接。所述第三二极管d3的第四端间接接地。在本实施例中，当所述第三输入电压端t3输出高电平时，例如输出3v时，所述第三二极管d3导通，最后接向地，从而第三二极管回路c15形成导通回路，此时，第三二极管d3导通，可以用来传输射频信号。

所述第四二极管回路c16包括第四输入电压端t4，所述第四输入电压端t4可以输出高电平或低电平，所述第四输入电压端t4间接与第四二极管d4的第三端电连接。所述第四二极管d4的第四端间接接地。在本实施例中，所述第四输入电压端t4与所述第三输入电压端t3为不同输入电压端，所述第四二极管d4的第四端和第三二极管d3的第四端通过同一线路接地。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

通过上述实施例的描述，本发明具有以下优点：

由于第一射频电路包括第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管背靠背设置，所述第二射频电路包括第三二极管和第四二极管，所述第三二极管和所述第四二极管背靠背设置，从而，第一射频电路工作时，第二射频电路上的第三二极管和第四二极管一起起到隔离信号的作用，第二射频电路工作时，第一射频电路上的第一二极管和第二二极管一起起到隔离信号的作用，从而本实施例的射频电路具有较好的隔离度和较好的开关效果，端口隔离度高，适用性强,电路结构简单，成本也较低。

以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。