带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路的制作方法

本实用新型涉及到高功率恒流LED驱动电路，具体地说涉及到一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路。

背景技术：

随着国家对节能环保的重视与提倡，LED半导体行业发展的如火如荼，随之也出现了各种各样的LED驱动电路，目前市面上的驱动电流最大仅能达到1A，无法满足大功率、大电流的LED驱动要求，且电路结构复杂，输出电流受外部干扰大、易波动，降低了LED的发光效率及使用寿命。

技术实现要素：

本实用新型在于提供一种可用于各种车辆车内照明的带迟滞PFET控制的恒流LED驱动电路。

为了实现上述目的，本实用新型是通过下述技术方案实现的：

一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路，包括直流源、负载，所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元，所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接，所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻、调节滞后电阻、P沟道MOS管，滤波电容，所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻与开关控制器的滞后引脚HYS连接，所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接，同时与滤波电容和限流电阻的一端连接，所述的滤波电容的另一端接地，限流电阻的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接，所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管的栅极连接，且P沟道MOS管的源极与直流源的正极连接，P沟道MOS管的漏极与开关控制器的电流检测引脚CS连接，且P沟道MOS管的漏极分别与瞬变电压抑制二极管的负极、滤波电感的一端连接，所述的瞬变电压抑制二极管的正极接地，所述的滤波电感的另一端设有纹波抑制电容，且滤波电感与纹波抑制电容的正极、负载的正极连接，所述的纹波抑制电容的负极与负载的负极、开关控制器的电流反馈引脚SNS及外部采样电阻的一端连接，所述外部采样电阻的另一端接地。

进一步地，所述的负载为多个发光二极管串联连接。

进一步地，所述的开关控制器为用于高功率LED驱动的滞后PFET的开关控制器。

本实用新型与现有技术相比，其有益点在于：

本电路具有控制简单、效率高、纹波误差小、反馈电压低、传播延时小、宽范围工作电压、可靠的短路或过流故障保护等优点。

附图说明

图1为本实用新型的电气框图。

图2为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

如图1和图2所示的一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路，包括直流源、负载，所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元，所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接，所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻R₃、调节滞后电阻R₂、P沟道MOS管Q₁，滤波电容C₁，所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻R₂与开关控制器的滞后引脚HYS连接，所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接，同时与滤波电容C₁和限流电阻R₃的一端连接，所述的滤波电容C₁的另一端接地，限流电阻R₃的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接，所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管Q₁的栅极连接，且P沟道MOS管Q₁的源极与直流源的正极连接，P沟道MOS管Q₁的漏极与开关控制器的电流检测引脚CS连接，且P沟道MOS管Q₁的漏极分别与瞬变电压抑制二极管D₁的负极、滤波电感L₁的一端连接，所述的瞬变电压抑制二极管D₁的正极接地，所述的滤波电感L₁的另一端设有纹波抑制电容C₂，且滤波电感L₁与纹波抑制电容C₂的正极连接，所述的纹波抑制电容C₂的负极与负载的负极、开关控制器的电流反馈引脚SNS以及外部采样电阻R_SNS的一端连接，所述外部采样电阻R_SNS的另一端接地。

作为一种优化，所述的负载为多个发光二极管串联连接。

作为一种优化，所述的开关控制器为用于高功率LED驱动的滞后PFET的开关控制器。

使用时，标称的LED电流通过SNS端的采样电阻到GND，SNS端产生的电压和内部参考电压相比较。当SNS电压小于参考电压减滞后电压，迟滞比较器输出低电平。驱动输出端HG拉低PFET栅极电压，场效应管打开。

当PFET打开，通过PFET和电感的LED电流斜线上升。随着LED电流增大，SNS电压到达上限阈值（参考电压加滞后电压）。此时迟滞比较器输出反转，HG变为高电平导致PFET关闭。当PFET关闭，电流流过反向瞬变电压抑制二极管，通过LED和电感的电流斜线下降。当SNS电压到达下限阈值，开始循环上述过程。

本实用新型的优点为：本电路具有控制简单、效率高、纹波误差小、反馈电压低、传播延时小、宽范围工作电压、可靠的短路或过流故障保护。