技术总结
本实用新型涉及一种电源管理电路，应用于高电子迁移率晶体管，包括：第一输入端，与第一外部电源连接；第二输入端，与第二外部电源连接；第一输出端，分别与第一输入端和高电子迁移率晶体管的栅极连接；第二输出端，与高电子迁移率晶体管的漏极连接；上电时序保护模块，分别与第一输入端、第二输入端和第二输出端连接；上电时序保护模块，用于在第一输入端接收到第一外部电源输入的负电压且第二输入端接收到第二外部电源输入的正电压时，导通第二输入端与第二输出端之间的通路，以将正电压通过第二输出端输出至高电子迁移率晶体管的漏极。通过本实用新型的技术方案，可以确保高电子迁移率晶体管的正确上电时序。
技术研发人员：马勇;陈容传;多新中;李宝国
受保护的技术使用者：北京华通芯电科技有限公司
文档号码：201720310022
技术研发日：2017.03.27
技术公布日：2017.11.17