一种高压逻辑电路的制作方法

本实用新型涉及电路技术领域，特别是涉及一种高压逻辑电路。

背景技术：

现有技术中，应用高压逻辑电路时，通常需要使用level shift(电平移位) 电路进行电压域转换，以及使用高压mos管构成的高压逻辑模块对输入信号进行逻辑运算。

现有技术中的高压逻辑电路存在以下缺陷：需要使用大量的高压mos 管，既浪费芯片面积，又增加了高压信号的负载电容。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本实用新型实施例的目的在于提供一种高压逻辑电路，以解决现有技术中的高压逻辑电路需要使用大量的高压mos管的问题。

为了解决上述问题，本实用新型实施例公开了一种高压逻辑电路，包括：

高压预充模块，所述高压预充模块与高压电源相连，当所述高压预充模块工作时，所述高压预充模块的输出端电压预充至所述高压电源的电压；

高压隔离模块，所述高压隔离模块与所述高压预充模块的输出端相连，所述高压隔离模块接收所述高压电源的电压，当所述高压隔离模块工作时，所述高压隔离模块输出预设低压；

低压逻辑模块，所述低压逻辑模块的电源端与所述高压隔离模块的输出端相连，所述低压逻辑模块用于接收低压数据信号，并对所述低压数据信号进行逻辑处理；

求值模块，所述求值模块与所述低压逻辑模块相连，当所述求值模块工作时，所述求值模块对所述低压逻辑模块逻辑处理后的结果进行求值。

可选地，所述高压电源的电压为正电压，所述低压逻辑模块为低压 NMOS逻辑电路，所述求值模块的输出端接地。

可选地，所述求值模块包括：

低压NMOS管，所述低压NMOS管的栅端接收求值使能信号，所述低压NMOS管的漏端与所述低压逻辑模块相连，所述低压NMOS管的源端接地。

可选地，所述高压预充模块包括：

第一高压PMOS管，所述第一高压PMOS管的栅端接收预充使能信号，所述第一高压PMOS管的源端与所述高压电源相连，所述第一高压PMOS 管的漏端与所述高压隔离模块相连。

可选地，所述高压隔离模块包括：

第一高压NMOS管，所述第一高压NMOS管的栅端接收隔离使能信号，所述第一高压NMOS管的漏端与所述高压预充模块的输出端相连，所述第一高压NMOS管的源端与所述低压逻辑模块的电源端相连。

可选地，所述高压电源的电压为负电压，所述低压逻辑模块为低压 PMOS逻辑电路，所述求值模块的输出端与低压电源相连。

可选地，所述求值模块包括：

低压PMOS管，所述低压PMOS管的栅端接收求值使能信号，所述低压PMOS管的漏端与所述低压逻辑模块相连，所述低压PMOS管的源端与所述低压电源相连。

可选地，所述高压预充模块包括：

第二高压NMOS管，所述第二高压NMOS管的栅端接收预充使能信号，所述第二高压NMOS管的源端与所述高压电源相连，所述第二高压NMOS 管的漏端与所述高压隔离模块相连。

可选地，所述高压隔离模块包括：

第二高压PMOS管，所述第二高压PMOS管的栅端接收隔离使能信号，所述第二高压PMOS管的漏端与所述高压预充模块的输出端相连，所述第二高压PMOS管的源端与所述低压逻辑模块的电源端相连。

可选地，所述高压逻辑电路还包括：

电压保持模块，所述电压保持模块分别与所述高压电源和所述高压预充模块的输出端相连，所述电压保持模块用于将所述高压预充模块的输出端电压保持在所述高压电源的电压。

本实用新型实施例包括以下优点：设置高压逻辑电路包括高压预充模块、高压隔离模块、低压逻辑模块和求值模块，其中，高压预充模块与高压电源相连，当高压预充模块工作时，高压预充模块的输出端电压预充至高压电源的电压；高压隔离模块与高压预充模块的输出端相连，高压隔离模块接收高压电源的电压，当高压隔离模块工作时，高压隔离模块输出预设低压；低压逻辑模块的电源端与高压隔离模块的输出端相连，低压逻辑模块用于接收低压数据信号，并对低压数据信号进行逻辑处理；求值模块与低压逻辑模块相连，当求值模块工作时，求值模块对低压逻辑模块逻辑处理后的结果进行求值。这样，本实用新型实施例通过增加高压隔离模块，将输入低压逻辑模块的高压信号进行隔离，不仅使得低压数据信号无需进行电压域转换，即节省了level shift电路，而且采用低压逻辑模块对低压数据信号进行逻辑运算，即节省了高压逻辑模块，因此，有效减少了高压MOS管的使用，和减小了高压信号的负载电容。

附图说明

图1是本实用新型的一种高压逻辑电路实施例的结构框图；

图2是本实用新型的一种高压逻辑电路实施例的结构示意图；

图3是本实用新型的另一种高压逻辑电路实施例的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

参照图1，其示出了本实用新型的一种高压逻辑电路10实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：高压预充模块1，高压预充模块1与高压电源 20相连，当高压预充模块1工作时，高压预充模块1的输出端电压预充至高压电源20的电压；高压隔离模块2，高压隔离模块2与高压预充模块1的输出端相连，高压隔离模块2接收高压电源20的电压，当高压隔离模块2工作时，高压隔离模块2输出预设低压；低压逻辑模块3，低压逻辑模块3的电源端与高压隔离模块2的输出端相连，低压逻辑模块3用于接收低压数据信号VIN，并对低压数据信号VIN进行逻辑处理；求值模块4，求值模块4 与低压逻辑模块3相连，当求值模块4工作时，求值模块4对低压逻辑模块 3逻辑处理后的结果进行求值。

这样，本实用新型实施例通过增加高压隔离模块2，将输入低压逻辑模块3的高压信号进行隔离，不仅使得低压数据信号VIN无需进行电压域转换，即节省了level shift电路，而且采用低压逻辑模块3对低压数据信号VIN进行逻辑运算，即节省了现有的高压逻辑模块，因此，有效减少了高压MOS 管的使用，和减小了高压信号的负载电容。

可选地，参照图2，在本实用新型的一个实施例中，高压电源20的电压可以为正电压HV1，此时，低压逻辑模块3可以为低压NMOS逻辑电路，求值模块4的输出端接地。低压NMOS逻辑电路由至少一个低压NMOS管构成。

可选地，参照图2，在本实用新型的一个实施例中，求值模块4可以包括：低压NMOS管MN0，低压NMOS管MN0的栅端接收求值使能信号 VEVA，低压NMOS管MN0的漏端与低压逻辑模块3相连，低压NMOS管 MN0的源端接地。其中，当求值使能信号VEVA为高电平时，低压NMOS 管MN0导通，即求值模块4工作。

可选地，参照图2，在本实用新型的一个实施例中，高压预充模块1可以包括：第一高压PMOS管MP1，第一高压PMOS管MP1的栅端接收预充使能信号VPRE，第一高压PMOS管MP1的源端与高压电源20相连，第一高压PMOS管MP1的漏端与高压隔离模块2相连。其中，当预充使能信号 VPRE为低电平时，第一高压PMOS管MP1导通，即高压预充模块1工作。

可选地，参照图2，在本实用新型的一个实施例中，高压隔离模块2可以包括：第一高压NMOS管MN1，第一高压NMOS管MN1的栅端接收隔离使能信号VSHD，第一高压NMOS管MN1的漏端与高压预充模块1的输出端相连，第一高压NMOS管MN1的源端与低压逻辑模块3的电源端相连。其中，当隔离使能信号VSHD为高电平时，第一高压NMOS管MN1导通，即高压预充模块1工作。

具体地，由于第一高压NMOS管MN1的源端电压D0即预设低压不高于VSHD-VTHN，VTHN为第一高压NMOS管MN1的导通阈值电压，因此，只需合理设置隔离使能信号VSHD的大小，即可使得低压逻辑模块3和求值模块4只需采用低压NMOS即可，从而节省了现有的高压逻辑模块。

可选地，参照图3，在本实用新型的另一个实施例中，高压电源20的电压可以为负电压HV0，此时，低压逻辑模块3为低压PMOS逻辑电路，求值模块4的输出端与低压电源30相连。

可选地，参照图3，在本实用新型的另一个实施例中，求值模块4可以包括：低压PMOS管MP0，低压PMOS管MP0的栅端接收求值使能信号 VEVA，低压PMOS管MP0的漏端与低压逻辑模块3相连，低压PMOS管 MP0的源端与低压电源30相连。其中，当求值使能信号VEVA为低电平时，低压PMOS管MP0导通，即求值模块4工作。

可选地，参照图3，在本实用新型的另一个实施例中，高压预充模块1 可以包括：第二高压NMOS管MN2，第二高压NMOS管MN2的栅端接收预充使能信号VPRE，第二高压NMOS管MN2的源端与高压电源20相连，第二高压NMOS管MN2的漏端与高压隔离模块2相连。其中，当预充使能信号VPRE为高电平时，第二高压NMOS管MN2导通，即高压预充模块1 工作。

可选地，参照图3，在本实用新型的另一个实施例中，高压隔离模块2 可以包括：第二高压PMOS管MP2，第二高压PMOS管MP2的栅端接收隔离使能信号VSHD，第二高压PMOS管MP2的漏端与高压预充模块1的输出端相连，第二高压PMOS管MP2的源端与低压逻辑模块3的电源端相连。其中，当隔离使能信号VSHD为低电平时，第二高压PMOS管MP2导通，即高压隔离模块2工作。

具体地，由于第二高压PMOS管MP2的源端电压D1即预设低压不低于VSHD+|VTHP|，VTHP为第二高压PMOS管MP2的导通阈值电压，因此，只需合理设置VSHD的大小，即可使得低压逻辑模块3和求值模块4只需采用低压PMOS即可，从而节省了现有的高压逻辑模块。

可选地，参照图2和图3，高压逻辑电路10还可以包括：电压保持模块 5，电压保持模块5分别与高压电源20和高压预充模块1的输出端相连，电压保持模块5用于将高压预充模块1的输出端电压保持在高压电源20的电压，以提高高压逻辑电路10的可靠性。

可选地，电压保持模块5可以具有任意使高压预充模块1的输出端电压保持在高压电源20的电压的电路结构。

本实用新型实施例包括以下优点：设置高压逻辑电路包括高压预充模块、高压隔离模块、低压逻辑模块和求值模块，其中，高压预充模块与高压电源相连，当高压预充模块工作时，高压预充模块的输出端电压预充至高压电源的电压；高压隔离模块与高压预充模块的输出端相连，高压隔离模块接收高压电源的电压，当高压隔离模块工作时，高压隔离模块输出预设低压；低压逻辑模块的电源端与高压隔离模块的输出端相连，低压逻辑模块用于接收低压数据信号，并对低压数据信号进行逻辑处理；求值模块与低压逻辑模块相连，当求值模块工作时，求值模块对低压逻辑模块逻辑处理后的结果进行求值。这样，本实用新型实施例通过增加高压隔离模块，将输入低压逻辑模块的高压信号进行隔离，不仅使得低压数据信号无需进行电压域转换，即节省了level shift电路，而且采用低压逻辑模块对低压数据信号进行逻辑运算，即节省了高压逻辑模块，因此，有效减少了高压MOS管的使用，和减小了高压信号的负载电容。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

尽管已描述了本实用新型实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本实用新型所提供的一种高压逻辑电路，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。