1.一种高压逻辑电路，其特征在于，包括：
高压预充模块，所述高压预充模块与高压电源相连，当所述高压预充模块工作时，所述高压预充模块的输出端电压预充至所述高压电源的电压；
高压隔离模块，所述高压隔离模块与所述高压预充模块的输出端相连，所述高压隔离模块接收所述高压电源的电压，当所述高压隔离模块工作时，所述高压隔离模块输出预设低压；
低压逻辑模块，所述低压逻辑模块的电源端与所述高压隔离模块的输出端相连，所述低压逻辑模块接收低压数据信号，并对所述低压数据信号进行逻辑处理；
求值模块，所述求值模块与所述低压逻辑模块相连，当所述求值模块工作时，所述求值模块对所述低压逻辑模块逻辑处理后的结果进行求值。
2.根据权利要求1所述的高压逻辑电路，其特征在于，所述高压电源的电压为正电压，所述低压逻辑模块为低压NMOS逻辑电路，所述求值模块的输出端接地。
3.根据权利要求2所述的高压逻辑电路，其特征在于，所述求值模块包括：
低压NMOS管，所述低压NMOS管的栅端接收求值使能信号，所述低压NMOS管的漏端与所述低压逻辑模块相连，所述低压NMOS管的源端接地。
4.根据权利要求2所述的高压逻辑电路，其特征在于，所述高压预充模块包括：
第一高压PMOS管，所述第一高压PMOS管的栅端接收预充使能信号，所述第一高压PMOS管的源端与所述高压电源相连，所述第一高压PMOS管的漏端与所述高压隔离模块相连。
5.根据权利要求2所述的高压逻辑电路，其特征在于，所述高压隔离模块包括：
第一高压NMOS管，所述第一高压NMOS管的栅端接收隔离使能信号，所述第一高压NMOS管的漏端与所述高压预充模块的输出端相连，所述第一高压NMOS管的源端与所述低压逻辑模块的电源端相连。
6.根据权利要求1所述的高压逻辑电路，其特征在于，所述高压电源的电压为负电压，所述低压逻辑模块为低压PMOS逻辑电路，所述求值模块的输出端与低压电源相连。
7.根据权利要求6所述的高压逻辑电路，其特征在于，所述求值模块包括：
低压PMOS管，所述低压PMOS管的栅端接收求值使能信号，所述低压PMOS管的漏端与所述低压逻辑模块相连，所述低压PMOS管的源端与所述低压电源相连。
8.根据权利要求6所述的高压逻辑电路，其特征在于，所述高压预充模块包括：
第二高压NMOS管，所述第二高压NMOS管的栅端接收预充使能信号，所述第二高压NMOS管的源端与所述高压电源相连，所述第二高压NMOS管的漏端与所述高压隔离模块相连。
9.根据权利要求6所述的高压逻辑电路，其特征在于，所述高压隔离模块包括：
第二高压PMOS管，所述第二高压PMOS管的栅端接收隔离使能信号，所述第二高压PMOS管的漏端与所述高压预充模块的输出端相连，所述第二高压PMOS管的源端与所述低压逻辑模块的电源端相连。
10.根据权利要求1所述的高压逻辑电路，其特征在于，还包括：
电压保持模块，所述电压保持模块分别与所述高压电源和所述高压预充模块的输出端相连，所述电压保持模块将所述高压预充模块的输出端电压保持在所述高压电源的电压。