本实用新型涉及滤波器技术领域，具体为一种自带阻抗匹配的滤波器。
背景技术：
射频电路领域，尤其是从天线到处理器之间的前端电路，实际的设计和应用都需要做到阻抗的匹配，以满足各个器件发挥最佳的性能。滤波器作为射频前端电路的关键器件，其最佳电性能的实现也依赖于阻抗环境。一般来说各器件都设计成50，75，100或200欧姆的特性阻抗，若最终产品为实现这些标准特性阻抗，则需要外接匹配软件。SAW 或 BAW 滤波器基本都按照特性阻抗的要求进行设计，但是由于日趋复杂的应用要求，需平衡客户的其他指标，导致最终产品的阻抗不是标准的阻抗，此时便需要外接匹配元件以完成阻抗匹配。外接匹配元件往往需要客户在PCB板上预留空间，不利于PCB版的小型化，简单化。
技术实现要素：
针对上述问题，本实用新型提供了一种自带阻抗匹配的滤波器，其能实现滤波器阻抗匹配的需求，提高了滤波器的集成化程度，满足了客户对于PCB的小型化，简单化的要求。
其技术方案是这样的：一种自带阻抗匹配的滤波器，包括陶瓷外壳，其特征在于：所述陶瓷外壳内设有空腔，所述空腔内设有滤波器芯片和IPD芯片,所述滤波器芯片和所述IPD芯片分别设有焊盘，所述滤波器芯片的焊盘与所述IPD芯片的焊盘之间通过焊线连接，所述陶瓷外壳上设有焊盘，所述滤波器芯片的焊盘与所述IPD芯片的焊盘分别通过焊线连接所述陶瓷外壳上的焊盘。
进一步的，所述滤波器芯片包括BAW滤波器和SAW滤波器。
进一步的，所述IPD芯片包括电感、电阻、电容。
进一步的，所述焊线为金线或铝线。
进一步的，所述滤波器芯片和所述IPD芯片通过胶水固定在所述陶瓷外壳内。
进一步的，所述IPD芯片包括静电保护电路、选频电路。
进一步的，所述滤波器芯片设置在所述空腔的左侧，所述IPD芯片设置在所述空腔的右侧。
进一步的，所述滤波器芯片为BAW芯片，所述IPD芯片包括两个电感，所述电感分别设有两个焊盘，所述电感的其中一个焊盘分别通过焊线连接所述BAW芯片的焊盘，所述电感的另一个焊盘分别通过焊线连接所述陶瓷外壳的焊盘。
本实用新型的自带阻抗匹配的滤波器，其通过将匹配元件置于IPD芯片中，并将IPD芯片封装在滤波器的陶瓷外壳，既能实现阻抗匹配的需求，提高了滤波器的集成化程度，满足了客户对于PCB的小型化，简单化的要求，IPD芯片作为滤波器性能的强化，可以起到阻抗匹配、静电保护，高频信号抑制等功效。
附图说明
图1是本实用新型的一种自带阻抗匹配的滤波器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
具体实施例一： 见图1，本实用新型的一种自带阻抗匹配的滤波器，包括陶瓷外壳1，陶瓷外壳1内设有空腔2，空腔2内设有滤波器芯片3和IPD芯片4, 滤波器芯片4和IPD芯片5通过胶水固定在陶瓷外壳1内，滤波器芯片3设置在空腔2的左侧，IPD芯片4设置在空腔3的右侧，滤波器芯片3为BAW芯片，IPD芯片4包括两个电感，电感分别设有两个焊盘5，电感的其中一个焊盘5分别通过焊线6连接BAW芯片的焊盘5，电感的另一个焊盘5分别通过焊线6连接陶瓷外壳1的焊盘5，滤波器芯片4的焊盘5通过焊线6连接陶瓷外壳1上的焊盘5，在本实施例中焊线为金线。
本实施例中的BAW芯片实际测试表明其输入阻抗偏离所需求的50欧姆，回波损耗和通带的平坦度都表现不佳，故采用上述的结构进行性能优化，从而实现了标准特性阻抗，优化了回波损耗和通带的平坦度。
实际应用当中，左侧的芯片也可以为SAW芯片，右侧的IPD芯片还可以集成电容，电阻等，通过改变电感电容电阻的大小实现不同频率的匹配网络，还可以设计成静电保护电路、选频电路等作为滤波器主体SAW和BAW芯片的性能强化。
以上，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本实用新型所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。