一种PCB控深孔蚀刻生产方法与流程

文档序号:16249415发布日期:2018-12-11 23:52阅读:945来源:国知局

本发明涉及pcb的制备领域,特别是涉及一种pcb控深孔蚀刻生产方法。



背景技术:

目前pcb含控深孔生产板件,主要有以下两种生产流程:一是板件无包铜或半孔设计的,经电镀后走负片流程生产;二是板件含包铜或半孔等无法电镀后走负片流程生产的,则走正片流程生产。但两种生产方式存在两大缺点:一是因部分含控深孔的板件无法走负片流程生产必须走正片流程生产,因控深孔在图形电镀时孔内药水交换不畅,控深孔底部镀锡效果不佳,易出现锡层偏薄,严重者甚至会出现局部未镀上锡。二是因控深孔底部锡层偏薄或者局部未镀上锡层,底部锡保护层未能有效保护铜层,铜层在蚀刻时会被咬蚀掉,出现控深孔底部缺铜,甚者影响电气导通性能,存在风险。



技术实现要素:

为克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种pcb控深孔蚀刻生产方法。

本发明为解决其问题所采用的技术方案是:

一种pcb控深孔蚀刻生产方法,包括如下步骤:

s1、将生产板依次进行沉铜、板镀、线路干膜及图形电镀工序;

s2、将生产板进行退膜处理,只去除生产板线路干膜,不蚀刻线路;

s3、将生产板的两面覆盖上用于封住控深孔的封孔干膜,曝光显影,制得封孔板;

s4、将封孔板进行蚀刻,制得有外层线路的线路板;

s5、将线路板板面的封孔干膜和保护锡层退掉;

s6、进行线路板制作的其余工序直至线路板制作完成。

进一步地,所述封孔板按如下方法制作:

s11、采用自动压干膜机将干膜压合在生产板上所有的沉铜孔、非沉铜孔上以及线路面上;

s12、对干膜进行曝光,形成封住控深孔的封孔干膜;

s13、对生产板进行显影,显影除去封孔干膜以外的全部干膜,制得封孔板。

进一步地,所述控深孔的孔环比控深孔的孔径单边大不少于8mil。

进一步地,所述步骤s3中,制作封孔干膜时,压膜前处理不允许过磨板及酸洗避免损伤锡面。

进一步地,所述步骤s3中,封孔干膜只需覆盖住控深孔,其余地方不覆盖干膜。

进一步地,所述步骤s5中,检查线路板板面无蚀刻不净异常后,将线路板板面的封孔干膜和保护锡层依序退掉。

本发明的有益效果是:本发明采用的一种pcb控深孔蚀刻生产方法,通过在图形电镀后将控深孔采用干膜封住再蚀刻,极大程度上保护了控深孔底部铜层,降低了控深孔因底部镀锡困难造成的孔底铜缺失隐患,减少了不良品流入客户端的风险,为产品的开发与生产提供了有力保障。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明。

实施例

本发明提供一种pcb控深孔蚀刻生产方法,包括如下步骤:

s1、生产板正常沉铜板镀加线路干膜及图形电镀,将所有金属化孔及线路铜厚镀至满足客户要求。

s2、图形电镀完成后,将板件在碱性蚀刻线退膜段进行退膜处理,只去除掉线路干膜,不蚀刻线路。

s3、将退掉干膜后的板件再次送往干膜工序,制作封孔干膜时,压膜前处理不允许过磨板及酸洗避免损伤锡面,将板件两面覆盖上用于封住控深孔的封孔干膜,封孔干膜只需覆盖住控深孔,其余地方不覆盖干膜,而且控深孔的孔环比控深孔的孔径必须保证至少单边大8mil,然后曝光显影,制得封孔板。

s4、将封孔板直接在碱性蚀刻线蚀刻段进行蚀刻,制得有外层线路的线路板。

s5、检查线路板的板面无蚀刻不净异常后,将线路板的板面封孔干膜及保护锡层退掉,而且先退封孔干膜,再退保护锡层。

s6、进行线路板制作的其余工序直至线路板制作完成。

本发明对含控深孔且走正片流程的生产板件,在图形电镀完成后通过再做一次干膜将控深孔封住,然后再蚀刻,确保控深孔底部不会在蚀刻时铜层被咬蚀掉而出现缺铜风险。即含控深孔走正片流程的板件在做完图形电镀后,先退膜(不退锡)后送干膜再做一次封孔干膜,干膜前处理不允许磨板及酸洗,避免锡面被刮花或咬蚀;封孔干膜只需将控深孔封住,其余地方全部露出,控深孔的孔环比控深孔的孔径必须保证至少单边大8mil;封孔干膜做完后正常蚀刻,检查无异常后退膜退锡即可。

本发明通过在图形电镀后将控深孔采用干膜封住再蚀刻,极大程度上保护了控深孔底部铜层,降低了控深孔因底部镀锡困难造成的孔底铜缺失隐患,减少了不良品流入客户端的风险,为产品的开发与生产提供了有力保障。

以上所述,只是本发明的较佳实施例而已,本发明并不局限于上述实施方式,只要其以相同的手段达到本发明的技术效果,都应属于本发明的保护范围。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种PCB控深孔蚀刻生产方法,对含控深孔且走正片流程的生产板件,在图形电镀完成后通过再做一次干膜将控深孔封住,然后再蚀刻,确保控深孔底部不会在蚀刻时铜层被咬蚀掉而出现缺铜风险,极大程度上保护了控深孔底部铜层,降低了控深孔因底部镀锡困难造成的孔底铜缺失隐患,减少了不良品流入客户端的风险,为产品的开发与生产提供了有力保障。

技术研发人员:肖红兵
受保护的技术使用者:鹤山市中富兴业电路有限公司
技术研发日:2018.08.10
技术公布日:2018.12.11
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