应用于温湿度传感器的增量型数模转换器的制作方法

文档序号:16824495发布日期:2019-02-10 23:07阅读:650来源:国知局
应用于温湿度传感器的增量型数模转换器的制作方法

本实用新型涉及一种应用于温湿度传感器的增量型数模转换器。



背景技术:

随着数字信号处理技术的进步,当代社会已经进入了数字化时代。与模拟信号相比,数字信号的运算、存储以及传输过程都可以更加方便的实现,因此各种数字化设备不断丰富着人们的生活。然而自然界中所存在的信号通常是模拟信号,如光信号、声音信号、热信号等等。充分利用这些模拟信号来实现智能化的生活环境是人类不断努力的方向,例如发明了电话、手机来实现远距离通讯;开发光控照明系统可以在夜幕降临时实现自动照明;人们也通过合理接收热信号设计了温度监测器,电子体温计等产品。这些电子仪器中都集成了模数转换器模块(ADC),来实现模拟信号到数字信号的转换过程。

目前现代信号处理系统正处于飞速发展的阶段,输入信号的频率范围越来越宽,从低频甚至是DC信号到超高频信号都有需求。不仅如此,对于各种输入数据的转换精度、处理速度等要求也越来越高,因此传统的ADC电路结构不再能满足复杂多变的应用需求。在传感器应用领域,特别是各种仪器仪表测量领域和温湿度测量领域,其系统输入的模拟信号量通常为低频信号,甚至是直流信号,输入频率往往只有几个Hz大小。此时,模数转换器中失调电压、1/f噪声等非理想因素的影响将更为突出,会极大地降低ADC转换精度。传统的Sigma-Delta ADC由于较常工作在高频输入信号条件下,因此其对1/f噪声等的抑制效果并不强,无法应用于温湿度测量领域,因此电路设计主要考虑降低失调和热噪声等因素的影响。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种应用于温湿度传感器的增量型数模转换器,该数模转换器电路结构清晰简单,具有高精度、低功耗的优点。

为实现上述目的,本实用新型的技术方案是:一种应用于温湿度传感器的增量型数模转换器,包括差分信号的正输入连接电路和差分信号的负输入连接电路;所述差分信号的正输入连接电路为:差分信号的正输入经第一开关、电容CS1、Ccds与第二开关的一端、第一运算放大器的反相输入端连接,差分信号的正输入还经第三开关、电容C1与电容C2、C3的一端、第四开关的一端、比较器的反相输入端连接,第三开关与电容C1的连接处之间经第五开关连接至偏置电压源,第一开关与电容CS1的连接处之间经第六开关后,分别经第七开关和第八开关连接至基准电压源正极和基准电压源负极,电容CS1与Ccds的连接处之间还经第九开关连接至偏置电压源,电容CS1与Ccds的连接处之间还经第十开关与电容Cint1的一端连接,第二开关的另一端与电容Cint1的一端连接,电容Cint1的另一端与第一运算放大器的正极输出端连接,电容Cint1的另一端还经第十一开关与电容CS2的一端、电容C2的另一端、第十二开关的一端连接,电容CS2的另一端与第十三开关的一端连接,第十二开关的另一端与第十三开关的另一端相连接至偏置电压源,电容CS2的另一端还经第十四开关与第二运算放大器的反相输入端、电容Cint2的一端连接,电容Cint2的另一端与第二运算放大器的正极输出端连接,电容Cint2的另一端还经第十五开关与电容C3的另一端、第十六开关的一端连接,第十六开关的另一端与第四开关的另一端相连接至偏置电压源;所述差分信号的负输入连接电路与差分信号的正输入连接电路相对应;其中,第二、第九、第十三开关由开关控制信号S1控制,第四、第十、第十四开关由开关控制信号S2控制,第一、第三、第十一、第十五开关由开关控制信号S1d控制,第五、第六、第十二、第十六开关由开关控制信号S2d控制,第七开关由比较器负极输出信号控制,第八开关由比较器正极输出信号控制,开关控制信号S1、S2为一对非交叠时钟信号,开关控制信号S1d、S2d分别为开关控制信号S1、S2的延迟时钟信号。

在本实用新型一实施例中,所述第一运算放大器采用增益自举结构实现,主运放和增益辅助级运放分别实现70dB增益。

在本实用新型一实施例中,所述第一运算放大器包括运放偏置电路、与该运放偏置电路链接折叠套筒式运放结构电路,运放偏置电路由Bandgap电路提供基准电流。

相较于现有技术,本实用新型具有以下有益效果:本实用新型电路结构清晰简单,具有高精度、低功耗的优点。

附图说明

图1是应用于温湿度传感器的增量型数模转换器结构图。

图2是运放OTA1的电路结构图。

图3是芯片输出码流频谱仿真图。

图4是不同参考电压下的输入-输出电压曲线图。

具体实施方式

下面结合附图,对本实用新型的技术方案进行具体说明。

本实用新型提供了一种应用于温湿度传感器的增量型数模转换器,包括差分信号的正输入连接电路和差分信号的负输入连接电路;所述差分信号的正输入连接电路为:差分信号的正输入经第一开关、电容CS1、Ccds与第二开关的一端、第一运算放大器的反相输入端连接,差分信号的正输入还经第三开关、电容C1与电容C2、C3的一端、第四开关的一端、比较器的反相输入端连接,第三开关与电容C1的连接处之间经第五开关连接至偏置电压源,第一开关与电容CS1的连接处之间经第六开关后,分别经第七开关和第八开关连接至基准电压源正极和基准电压源负极,电容CS1与Ccds的连接处之间还经第九开关连接至偏置电压源,电容CS1与Ccds的连接处之间还经第十开关与电容Cint1的一端连接,第二开关的另一端与电容Cint1的一端连接,电容Cint1的另一端与第一运算放大器的正极输出端连接,电容Cint1的另一端还经第十一开关与电容CS2的一端、电容C2的另一端、第十二开关的一端连接,电容CS2的另一端与第十三开关的一端连接,第十二开关的另一端与第十三开关的另一端相连接至偏置电压源,电容CS2的另一端还经第十四开关与第二运算放大器的反相输入端、电容Cint2的一端连接,电容Cint2的另一端与第二运算放大器的正极输出端连接,电容Cint2的另一端还经第十五开关与电容C3的另一端、第十六开关的一端连接,第十六开关的另一端与第四开关的另一端相连接至偏置电压源;所述差分信号的负输入连接电路与差分信号的正输入连接电路相对应;其中,第二、第九、第十三开关由开关控制信号S1控制,第四、第十、第十四开关由开关控制信号S2控制,第一、第三、第十一、第十五开关由开关控制信号S1d控制,第五、第六、第十二、第十六开关由开关控制信号S2d控制,第七开关由比较器负极输出信号控制,第八开关由比较器正极输出信号控制,开关控制信号S1、S2为一对非交叠时钟信号,开关控制信号S1d、S2d分别为开关控制信号S1、S2的延迟时钟信号。

所述第一运算放大器采用增益自举结构实现,主运放和增益辅助级运放分别实现70dB增益。所述第一运算放大器包括运放偏置电路、与该运放偏置电路链接折叠套筒式运放结构电路,运放偏置电路由Bandgap电路提供基准电流。

以下为本实用新型的具体实现过程。

本实用新型设计了一种二阶CIFF结构增量式Sigma-Delta ADC结构,实现了一款应用于温湿度传感器领域的ADC。电路运用相关双采样技术来减小失调和误差,第一级积分器采用增益自举运放,增益可达145dB,数字滤波器采用sincL结构。芯片基于SMIC 0.18µm工艺仿真并流片,芯片有效面积0.211mm2。测试结果表明,ADC输出信噪比SNR为99.8dB,达到16.5bit有效精度,整个调制器功耗228µW,品质因数FOMw为4.1pJ/conv。

图1是本实用新型的具体电路图,图中的开关控制信号S1和S2是一对非交叠时钟,S1d、S2d分别是S1、S2的延时时钟,OTA1和OTA2是运算放大器,其中OTA1的增益高达145dB。调制器的第一级在S2相位进行采样,在S1相位进行积分。第二级在S1相位时进行采样,S2相位时积分,与第一级积分器输出相差半个时钟相位。而求和电容部分在S1相位进行采样,并直接将求和结果输入比较器,在S2相位仅仅将电容上的电荷清零。电路工作在低频段,起主要作用的噪声是1/f噪声和失调电压。失调电压可以被看作为低频输入参考噪声,为了消除它,我们在这里采用相关双采样技术(CDS),在采样相位S1,运放噪声和开关噪声被存储在电容Ccds上,随后在S2相位将噪声消除。为了充分抑制低频噪声,满足精度要求,第一级运放需要达到140dB增益,第二级运放实现80dB增益。普通折叠式共源共栅结构的放大能力已经不能满足第一级运放的要求。因此,第一级运放OTA1采用增益自举结构实现,主运放和增益辅助级运放分别实现70dB增益,其电路结构如图2所示,虚线框内为运放偏置电路,基准电流IB由Bandgap电路产生。虚线框外为折叠套筒式运放结构。M2、M3为运放差分输入对管,采用PMOS管作为输入相比于NMOS管具有更小的1/f噪声,并且能提供更大的单位增益频率。M1、M6、M7和M12、M13为电流源。M8、M9以及M10、M11组成共源共栅结构。PMOS管M4、M5的栅电压为共模反馈控制端。其中运放输出端的补偿电容Cc是为了改善运放的建立特性。运放otan、otap为增益辅助级。共模反馈采用开关电容结构(SC-CMFB)的共模反馈电路。

在数字滤波器方面,对于直流或者低频输入,抑制环境噪声的干扰十分重要。考虑到各种非理想因素对电路性能的影响,本实用新型采用一种高性能滤波电路——sincL滤波器。sincL滤波器可以很好地抑制周期性噪声干扰,起到优化调制器性能的作用。

本实用新型的增量型数模装换器的仿真结果如图3所示,仿真结果表明仿真波形显示芯片实现了2阶噪声整形功能,图中低频噪声能量水平在-120dB左右,其可以有效地处理低频甚至是直流信号。通过MATLAB分析得到调制器信噪比SNR和有效位数ENOB分别为99.8dB、16.5bit。图4为同一块芯片在不同基准电压下的线性度仿真情况。可以看出尽管基准电压不同,线性度和输出精度依旧良好。

以上是本实用新型的较佳实施例,凡依本实用新型技术方案所作的改变,所产生的功能作用未超出本实用新型技术方案的范围时,均属于本实用新型的保护范围。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1