1.一种陶瓷电路基板，其为在使用氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度ra为0.1μm至1.5μm。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电路基板的制造方法，其包含进行非电解镀银。
3.一种功率模块，其在根据权利要求1所述的陶瓷电路基板的银镀层上使用银纳米粒子接合有半导体元件。