技术总结
课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。
技术研发人员：青野良太;中原史博;西村浩二;津川优太
受保护的技术使用者：电化株式会社
技术研发日：2018.06.07
技术公布日：2020.01.24