一种大功率IGBT实用驱动电路及装置的制作方法

本实用新型属于汽车制造电路技术领域，特别涉及一种大功率igbt实用驱动电路及装置。

背景技术：

随着汽车制造行业的发展，尤其是新能源汽车行业的发展，高压大功率器件igbt的使用越来越广泛，igbt的驱动对于igbt使用的可靠性非常重要，对于控制精度、低速的应用场合中，基于成本的考虑可以使用分立器件搭建驱动电路，但分立器件使用越多会降低电路的可靠性，所以，对可靠性及控制精度要求高、响应迅速、驱动能力强的应用场合中，独立的集成驱动电路是较好的选择。

技术实现要素：

针对上述问题，本实用新型提供了一种大功率igbt实用驱动电路及装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种大功率igbt实用驱动电路，所述电路包括集成驱动芯片u1、电阻r1、电阻r2、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电容c1、电容c2、二极管d1、tvs二极管d2和igbt模块；

所述集成驱动芯片u1的管脚1en与电阻r1一端连接，所述电阻r1的另一端接收连接驱动使能，所述集成驱动芯片u1的管脚2信号数据输入端in与二极管d1的输出端连接，所述二极管的输入端与电阻r2的一端连接，所述电阻r2的另一端接收连接驱动信号，所述集成驱动芯片u1的管脚3电源端vdd与电容c1一端连接，所述电容c1的另一端接地，所述集成驱动芯片u1的管脚4接地端接地，所述集成驱动芯片u1的管脚5低电平输出端outl与电阻r5一端相连接，所述r5的另一端与igbt模块的门极相连接，所述集成驱动芯片u1的管脚6高电平输出端outh与电阻r4一端连接，所述电阻r4的另一端与igbt模块的门极相连接；

所述igbt模块的集电极连接有负载，所述负载的另一端连接有有供电电压vcc，所述igbt模块的发射极接地。

进一步的，所述电阻r2与电容c1之间设置有电阻r3；

所述电阻r3的一端与电阻r2的一端连接，所述电阻r3的另一端与电容c1的另一端连接。

进一步的，所述igbt模块的集电极和发射极之间设置有电容c3和电容c4；

所述电容c3的一端与igbt模块的集电极连接，所述电容c3的另一端与电容c4一端连接，所述电容c4的另一端与igbt模块的发射极连接。

进一步的，所述电阻r5的另一端与igbt模块的发射极之间连接有电阻r6；

所述电阻r6的一端与电阻r5的另一端连接，所述电阻r5的另一端与igbt模块的发射极连接。

进一步的，所述电阻r6与电容c2并联；

所述电容c2的一端与电阻r5的另一端连接，所述电阻r5的另一端与电阻r6的另一端连接。

进一步的，所述tvs二极管d2与电容c2并联；

所述tvs二极管d2的输入端与电容c2一端连接，所述tvs二极管d2的输出端与电容c2的另一端连接。

进一步的，所述所述集成驱动芯片u1的管脚3电源端vdd接入的电源为15v设置。

本实用新型还提供了一种大功率igbt实用驱动装置，所述装置包括上述的大功率igbt实用驱动电路。

本实用新型的技术效果和优点：

1、本实用新型提供了一种大功率igbt实用驱动电路及装置，该驱动芯片驱动能力强，响应速度快，可实现高、低边驱动，搭建外部控制电路可实现igbt的过流及短路保护，芯片集成封装相对较小，集成度高，layout布板时所占空间较小，能够很紧凑的将驱动电路布置在igbt的驱动脚附近，提高电路的控制性能及稳定性，芯片的驱动路数可根据实际使用情况进行选择，可选择范围较广泛，单片驱动路数最高可达4路，驱动能力峰值可达5a，器件的使用成本较专用的igbt驱动芯片有很大优势。

2、本实用新型通过使用集成驱动芯片及外围使用少量的器件组成igbt驱动电路对igbt进行驱动，电路结构简单，可靠性相对较高。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本实用新型实施例的igbt实用驱动电路示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了如图1所示的一种大功率igbt实用驱动电路，所述电路包括集成驱动芯片u1、电阻r1、电阻r2、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电容c1、电容c2、二极管d1、tvs二极管d2和igbt模块，其中集成驱动芯片u1采用igbt模块的专用型号m57962l，且该型号以此实施例为实验，但并不限于此；

所述集成驱动芯片u1的管脚1en与电阻r1一端连接，所述电阻r1的另一端接收连接驱动使能，所述集成驱动芯片u1的管脚2信号数据输入端in与二极管d1的输出端连接，所述二极管的输入端与电阻r2的一端连接，所述电阻r2的另一端接收连接驱动信号，所述电阻r2与电容c1之间设置有电阻r3；

所述电阻r3的一端与电阻r2的一端连接，所述电阻r3的另一端与电容c1的另一端连接，所述集成驱动芯片u1的管脚3电源端vdd与电容c1一端连接，所述电容c1的另一端接地，所述集成驱动芯片u1的管脚4接地端接地，所述集成驱动芯片u1的管脚5低电平输出端outl与电阻r5一端相连接，所述r5的另一端与igbt模块的门极相连接，所述电阻r5的另一端与igbt模块的发射极之间连接有电阻r6；

所述电阻r6的一端与电阻r5的另一端连接，所述电阻r6与电容c2并联；所述电容c2的一端与电阻r5的另一端连接，所述电阻r5的另一端与电阻r6的另一端连接，所述电阻r5的另一端与igbt模块的发射极连接，所述集成驱动芯片u1的管脚6高电平输出端outh与电阻r4一端连接，所述电阻r4的另一端与igbt模块的门极相连接；

所述igbt模块的集电极连接有负载，所述负载的另一端连接有有供电电压vcc，所述igbt模块的发射极接地，所述igbt模块的集电极和发射极之间设置有电容c3和电容c4；

所述电容c3的一端与igbt模块的集电极连接，所述电容c3的另一端与电容c4一端连接，所述电容c4的另一端与igbt模块的发射极连接；

所述tvs二极管d2与电容c2并联；所述tvs二极管d2的输入端与电容c2一端连接，所述tvs二极管d2的输出端与电容c2的另一端连接；

所述所述集成驱动芯片u1的管脚3电源端vdd接入的电源为15v设置；

本实用新型还提供了一种大功率igbt实用驱动装置，所述装置包括上述的大功率igbt实用驱动电路。

本实用工作原理：

参照说明书附图1，当驱动使能信号为高电平时，此时驱动信号高电平信号通过电阻r2、二极管d1输入到集成驱动芯片u1的输入端，集成驱动芯片u1输出高电平，通过驱动电阻r4输出高电平驱动igbt模块；当驱动信号为低电平时，集成驱动芯片u1通过关断电阻r5关断igbt模块；可通过调节电阻r4、电阻r5的阻值来调节igbt模块的开通、关断速度；电容c2也可改变igbt模块的开通、关断速度，实际需要调节时，可综合电阻r4、电阻r5的阻值及电容c2的容值进行调节，tvs二极管d2对igbt模块的门极进行钳位，保护igbt模块的门极驱动电压不超过igbt模块的门极最大承受电压，tvs二极管d2的型号根据实际使用的igbt规格型号进行选取；

二极管d1保护前级芯片，当集成驱动芯片u1发生击穿损坏时，高压控制回路的高压会反向加到输入端，此时二极管d1反向阻隔高压，保护前级芯片不被损坏，需要根据电路实际工作高压等级及降额设计要求对二极管d1选型。

尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。