4延伸的一组接合线提供第一峰值连接35，与管芯边缘39毗邻，直接到达输出引线23而没有分离的阻抗匹配网络在其中。同样地，从漏极接合焊盘输出端36延伸的一组接合线提供第二峰值连接37，与管芯边缘39毗邻，直接到达输出弓I线23而没有分离的阻抗匹配网络在其中。
[0049]与峰值放大器级25，26相关的在管芯21中的主晶体管级24的位置，使能更长的接合线33的使用。参考图3，假定中间接合焊盘41，42位于与漏极接合焊盘34和36 —致的管芯边缘，在漏极接合焊盘32和中间接合焊盘41，42之间延伸的部分接合线33的长度提供在连接33，37，38中的电感的相对差。
[0050]在主放大器级和输出引线处的组合点之间的更长的接合线的使用是有利的，因为更大的主接合线的电感可以被用于部分地形成阻抗变换装置。特别地，在低功率处，当只有主放大器结构24工作而峰值放大器级25，26不工作时，第一和第二峰值放大器级25和26作为电容器连接到输出引线23。因此，通过适当选择主连接33的长度，主放大器24的输出电容43，主连接33的电感，和峰值放大器级25和26提供的输出电容48，49 (寄生电容Cds)，放大器级24，25，26和(集总电容和电感的)输出引线23之间的布置作为“PI ”滤波器运作，提供所需要的阻抗变换用于有效操作。
[0051]主放大器级24和峰值放大器级25，26 —起工作时，主连接33的更长的电长度引入90相移到主放大器级的放大的输出。然而，假设通过相位补偿元件28和30引入相位延迟到由第一和第二峰值放大器25和26接收的信号，那么来自主放大器级和峰值放大器级的信号在组合点处是同相的，组合点包括封装的输出引线23。另外，特别是当相位补偿元件是集成的时，主连接33包括多赫蒂放大器结构20的唯一可能需要被调谐的部分。这导致多赫蒂放大器结构20的运作易于使用和制造。
[0052]以上描述的实施例实现高水平的集成，因为多赫蒂放大器结构可以在管芯上形成，其中输入分离元件，相位补偿元件和放大器级集成在该管芯中，阻抗变换网络部分地由接合线形成，接合线提供从管芯到输出引线的连接。主放大器级比峰值放大器级的位置更加远离输出引线，这为主连接接合线提供间隔平行于峰值连接接合线，该间隔具有电长度从而实现放大器级和输出引线之间的阻抗变换布置。因为接合线包含阻抗变换布置的唯一的非集成部分，因此多赫蒂放大器结构便于调谐和制造。
[0053]输出阻抗匹配网络(未示出)可以提供在印刷电路板(PCB)上，在印刷电路板(PCB)上的封装包含多赫蒂放大器结构20，以将多赫蒂放大器结构20的最佳阻抗转换到用于负载(未不出)的阻抗。
[0054]在可选的实施例中，未示出，组合条可以形成在管芯上和接合线可以连接组合条到输出引线23。特别地，组合条可以在峰值放大器级的输出接合焊盘46，47之间线性延伸和主连接33可以连接到在输出接合焊盘46，47之间的点处的组合条。
[0055]图5示出了一种包含多赫蒂放大器结构20的移动远程通信网路的蜂窝基站50。多赫蒂放大器结构20被用于放大信号，该信号用于驱动天线51。
【主权项】
1.一种集成的多赫蒂放大器结构，其特征在于，包括: 主放大器级； 至少一个峰值放大器级； 输出组合条，被配置为接收和组合来自主放大器级和每个峰值放大器级的输出； 主连接，被配置为将主放大器级的输出端连接到组合条，主连接至少部分地包括接合线形成第一电感； 峰值连接，被配置为将峰值放大器级的输出端连接到组合条； 其中，主连接在沿着组合条的第一点处连接到组合条，峰值连接在沿着组合条的与第一点隔开的第二点处连接到组合条，以及主放大器级比一个以上的峰值放大器级更加远离输出组合条。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，主连接的第一电感与主放大器级和峰值放大器级的输出电容结合在一起，至少部分地形成用于主放大器级的阻抗变换装置。
3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，阻抗变换装置被配置为通过相对于峰值连接的长度的主连接的长度来调谐。
4.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，主放大器级和至少一个峰值放大器级形成在管芯上以及输出组合条包括封装的输出引线，半导体管芯安装在所述封装中。
5.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，组合条的宽度等于或大于形成放大器结构的放大器级的总宽度。
6.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，所述结构包括第一峰值放大器级和第二峰值放大器级，第一峰值放大器级通过第一峰值连接连接到输出引线，第二峰值放大器级通过第二峰值连接连接到输出弓I线。
7.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，由接合线提供主连接，接合线在主放大器级的输出接合焊盘之间延伸并直接连接到组合条。
8.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，输出引线被连接到输出阻抗匹配网络，所述输出阻抗匹配网络形成在所述封装之外用于阻抗匹配到负载。
9.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，主放大器级和峰值放大器级由场效应晶体管提供，峰值连接将峰值放大器级的漏极直接连接到输出引线，主连接将主放大器级的漏极直接连接到输出引线。
10.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，包括连接在所述结构的输入端和至少一个峰值放大器级之间的相位补偿元件，用于补偿在组合条处的主放大器级的输出和每个峰值放大器的输出之间的相位差。
11.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于， 主放大器级的输出端包括主输出接合焊盘和主连接，主连接包括接合线，主连接将主输出接合焊盘直接连接到组合条；和 每个峰值放大器级的输出端包括峰值输出接合焊盘和峰值连接，峰值连接包括接合线，峰值连接将峰值输出接合焊盘直接连接到组合条，主连接接合线的长度大于峰值连接接合线的长度。
12.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，所述结构包括集成的输入分离元件，所述输入分离元件被配置为接收要输入到多赫蒂放大器结构的输入信号，并分离要输入到所述主放大器级和峰值放大器级的所述信号。
13.根据前述任一权利要求所述的结构，其特征在于，主放大器级由至少一个AB类偏置的晶体管形成，和/或峰值放大器级由至少一个C类偏置的晶体管形成。
14.一种功率放大器，其特征在于，包括根据权利要求1至13中任一项所述的多赫蒂放大器结构。
15.一种蜂窝基站，其特征在于，所述蜂窝基站用于移动通信网络，所述移动通信网络包括根据权利要求14所述的功率放大器。
【专利摘要】一种集成的多赫蒂放大器结构，包括：主放大器级；至少一个峰值放大器级；输出组合条，被配置为接收和组合来自主放大器级和/或每个峰值放大器级的输出；主连接，被配置为将主放大器级的输出端连接到组合条，主连接包括，至少部分地，接合线形成第一电感；峰值连接，被配置为将峰值放大器的输出端连接到组合条；其中，主连接在沿着组合条的第一点处连接到组合条和峰值连接在与第一点隔开的沿着组合条的第二点处连接到组合条以及主放大器级比一个以上的峰值放大器级更加远离输出组合条。
【IPC分类】H03F1-02
【公开号】CN104601117
【申请号】CN201410562192
【发明人】让-雅克·博尼
【申请人】恩智浦有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年10月21日
【公告号】EP2869463A1, US20150119107