上电极层230a没有越过下电极层210a以及空腔201a，也就是说，薄膜体声波谐振器I的有效工作面积由上电极层的面积决定。需要说明的是，基底200、下电极层210a、压电层220a以及上电极层230a的厚度范围是本领域人员所熟知的，在此不再具体说明。
[0036]薄膜体声波谐振器I进一步还包括导热介质层，该导热介质层覆盖所述基底200的上表面，并与下电极层210a、压电层220a、上电极层230a三者中的至少一个形成接触。其中，一方面导热介质层覆盖下电极层210a周围的基底200的上表面从而与基底200形成接触，另一方面导热介质层与下电极层210a、压电层220a、上电极层230a中的至少一层的上表面、下表面或侧壁接触从而与上述三层中的至少一个形成接触。在本实施例中，导热介质层的材料采用导热性能良好的绝缘材料。优选地，该绝缘材料包括氧化铝、氧化硅、氮化硼、碳化硅中的一种或其任意组合。需要说明的是，导热介质层可以是单层结构，也可以是多层结构，其厚度可以根据实际设计需要进行调整，在此对其不做任何限定。由于导热介质层的存在，在给薄膜体声波谐振器I施加大功率信号时，薄膜体声波谐振器I所产生的热量从上电极层230a、压电层220a以及下电极层210a与导热介质层的接触面传导入导热介质层中，并透过该导热介质层扩散至基底200中，从而有效地提升薄膜体声波谐振器I的散热性能，进而提高薄膜体声波谐振器I的功率承受能力。
[0037]下面，以几个典型实施例对导热介质层进行详细说明。
[0038]在一个具体实施例中，请参考图2(a)和图2(b)，其中，图2(a)是根据本发明一个具体实施例的薄膜体声波谐振器的剖面结构示意图，图2(b)是图2(a)所示薄膜体声波谐振器的俯视结构示意图。如图所示，导热介质层300覆盖下电极层210a周围的基底200的上表面，延伸并嵌入至基底200与下电极层210a之间，即导热介质层300与下电极层210a以及基底200接触。当给薄膜体声波谐振器I施加大功率信号时，薄膜体声波谐振器I产生的热量从下电极层210的下表面透过导热介质层300扩散至基底200中。
[0039]在另一个具体实施例中，请参考图3，图3是根据本发明另一个具体实施例的薄膜体声波谐振器的剖面结构示意图。如图所示，导热介质层310覆盖下电极层210a的侧壁，延伸并嵌入至压电层220a与下电极层210a之间，即导热介质层310不但与基底200以及下电极层210a接触，还与压电层220a接触。当给薄膜体声波谐振器I施加大功率信号时，薄膜体声波谐振器I产生的热量一方面从压电层220a的下表面、下电极层210a的上表面和侧壁透过导热介质层310扩散至基底200中。
[0040]在又一个具体实施例中，请参考图4，图4是根据本发明又一个具体实施例的薄膜体声波谐振器的剖面结构示意图。如图所示，导热介质层320环绕在下电极层210a以及压电层220a的侧壁上，即导热介质层320与基底200、下电极层210a以及压电层220a接触。当给薄膜体声波谐振器I施加功率信号时，薄膜体声波谐振器I产生的热量同时从压电层220a的侧壁和下电极层210a的侧壁透过导热介质层320扩散至基底200中。
[0041]在又一个具体实施例中，请参考图5，图5是根据本发明又一个具体实施例的薄膜体声波谐振器的剖面结构示意图。如图所示，所述导热介质层330环绕在所述下电极层、所述压电层以及所述上电极层的侧壁上，即导热介质层330与基底200、下电极层210a、压电层220a以及上电极层230b接触。当给薄膜体声波谐振器I施加功率信号时，薄膜体声波谐振器I产生的热量从上电极230b的侧壁、压电层220a的上表面以及侧壁、下电极层210a的侧壁透过导热介质层330扩散至基底200中。
[0042]图2(a)、图3、图4以及图5所示的薄膜体声波谐振器其压电层与下电极层的面积是相同的，对于下电极层越过压电层的薄膜体声波谐振器亦包括在本发明所保护的范围内。请参考图6和图7，其中，图6和图7所示的薄膜体声波谐振器I其下电极层210a越过压电层220a，可以有效地增加下电极层210a与基底200和/或导热介质层340、350之间的接触面，从而有效地提升薄膜体声波谐振器I的散热性能。
[0043]需要说明的是，上述实施例仅为举例，在实际应用中可以根据设计需求设置导热介质层的位置，例如，导热介质层覆盖下电极层周围的基底的上表面，覆盖下电极层、压电层以及上电极层的侧壁，同时延伸并嵌入至基底与下电极层之间以及下电极层与压电层之间。凡是包括导热介质层、且该导热介质层与基底表面形成接触以及与下电极层、压电层、上电极层中的至少一个形成接触以达到使热量扩散至基底的薄膜体声波谐振器均包括在本发明所保护的范围内，为了简明起见，在此不再对薄膜体声波谐振器可能存在的结构进行列举。
[0044]与现有技术相比，本发明具有以下优点:通过形成导热介质层，令该导热介质层覆盖薄膜体声波谐振器基底的上表面并与薄膜体声波谐振器的下电极层、压电层、上电极层三者中的至少一个形成接触，使得在不增加薄膜体声波谐振器器件面积的前提下，有效地提升薄膜体声波谐振器的散热性能，从而提高薄膜体声波谐振器的功率承受能力，进而扩大薄膜体声波谐振器的应用领域，例如用于微小型通讯基站、卫星通讯系统、军用手持终端坐寸O
[0045] 以上所揭露的仅为本发明的几种较佳的实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器包括: 基底，该基底具有腔体结构； 下电极层，该下电极层形成在所述基底之上并遮盖至少部分所述腔体结构； 所述腔体结构与所述下电极层共同组成空腔； 压电层，该压电层形成在所述下电极层之上； 上电极层，该上电极层形成在所述压电层之上； 导热介质层，该导热介质层覆盖所述基底的上表面，并与所述下电极层、所述压电层、所述上电极层三者中的至少一个形成接触。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其中: 所述导热介质层覆盖所述下电极层周围的所述基底的上表面，所述导热介质层与所述下电极层、所述压电层、所述上电极层三者中的至少一个形成接触。
3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述导热介质层延伸并嵌入至所述基底与所述下电极层之间。
4.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述导热介质层覆盖所述下电极层的侧壁，延伸并嵌入至所述压电层与所述下电极层之间。
5.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述导热介质层环绕在所述下电极层以及所述压电层的侧壁上。
6.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述导热介质层环绕在所述下电极层、所述压电层以及所述上电极层的侧壁上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述导热介质层的材料是绝缘材料。
8.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其中，所述导热介质层的材料包括氧化铝、氧化硅、氮化硼、碳化硅中的一种或其任意组合。
【专利摘要】本发明提供了一种薄膜体声波谐振器，包括：基底，该基底具有腔体结构；下电极层，该下电极层形成在所述基底之上并遮盖至少部分所述腔体结构；所述腔体结构与所述下电极层共同组成空腔；压电层，该压电层形成在所述下电极层之上；上电极层，该上电极层形成在所述压电层之上；导热介质层，该导热介质层覆盖所述基底的上表面，并与所述下电极层、所述压电层、所述上电极层三者中的至少一个形成接触。与传统的薄膜体声波谐振器相比，本发明所提供的薄膜体声波谐振器在不增加器件面积的前提下具有更优的功率承受能力。
【IPC分类】H03H9-17
【公开号】CN104753493
【申请号】CN201310726314
【发明人】胡念楚, 杨清华, 周冲
【申请人】贵州中科汉天下电子有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月25日