聚酰亚胺薄膜是采用联苯四羧酸二酐(BPDA)、苯二胺(PDA)和二胺基二苯醚(ODA)来加以合成，且此三者较佳的莫耳分率比，较佳可为1:0.5:0.5、1:0.7:0.3 或 1:0.3:0.7。
[0034]之后，于第一绝缘基材101的第二表面1lb上形成第一粘胶层103。再于第一粘胶层103的一侧，形成第一金属层102，使该第一粘胶层103位于第一绝缘基材101的第二表面1lb与第一金属层102之间，构成一三层的复合结构(如图1B所绘示)。
[0035]在本发明的一些实施例之中，第一金属层102包含铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铅(Pb)、铅锡合金(Sn-Pb Alloy)、铁(Fe)、钯(Pd)、镍(Ni)、铬(Cr)、钥(Mo)、鹤(W)、锌(Zn)、猛(Mn)、钴(Co)、不锈钢(stainless steel)或上述的任意组合。例如，在本实施例之中，第一金属层102可以是厚度实质介于3μπι至210μπι之间的铜箔层。其是通过热压法，利用热可塑性的第一粘胶层103，以高温高压将第一金属层102贴附于第一绝缘基材101的第二表面1lb上。其中，第一粘胶层103包含由环氧树月旨(Epoxy Resins)、苯氧基树脂(Phenoxy Resin)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、胺基甲酸乙酯树脂(Polyurethane Resin)、娃橡胶(Silicone Rubber)系树脂、聚对环二甲苯(Poly-para-xylylene ；Parylene)系树脂、双马来酰亚胺系树脂(Bimaleimide Resin)、聚酰亚胺树脂(Polyimide Resin)或其混合物。
[0036]接着，于第一绝缘基材101的第一表面1la进行一个改质制程104，借以形成一改质表面101c，从而完成一个有胶系的单面板结构的金属基板10的制备(如图1C所绘示)。在本发明的一些实施例之中，改质制程104可以是一种等离子处理制程。例如，采用氩气(Ar)和氮气(N2)的反应气氛，对第一绝缘基材101的第一表面1la进行改质。其中，气体流量实质介于50公升/分钟(L/min)至100公升/分钟之间；氩气和氮气二者的含量比，实质介于1:1至1:20之间；操作电压实质介于300伏特(V)至600伏特之间；操作时间实质介于10秒至50秒之间。在本发明的一较佳实施例之中，改质制程104的气体流量，实质为70公升/分钟；氩气和氮气二者的含量比，实质为3:8 ;操作电压实质为500伏特；操作时间为20秒。
[0037]在本发明的另外一些实施例之中，改质制程104可以是一种紫外光照射制程。例如，在真空度实质为2torr的条件下,采用波长实质介于180nm至270nm之间的紫外光,对第一绝缘基材101的第一表面1la进行照射，照射时间实质介于20秒至80秒之间。在本发明的一些实施例之中，较佳是以波长为182nm、184nm或254nm的紫外光，对第一绝缘基材101的第一表面1la照射60秒。其中，又以波长为182nm的紫外光效果尤佳。
[0038]在本发明的又一些实施例之中，改质制程104可以是一种碱性溶液浸润制程。例如，采用重量百分浓度(％ )实质大于5的联胺(Hydrazine, N2H4)、氢氧化钾(PotassiumHydroxide, KOH)、氢氧化钠(Sodium Hydroxide, NaOH)水溶液或其组合,对第一绝缘基材101的第一表面1la进行浸润，反应时间实质介于20秒至80秒之间。
[0039]经过改质制程104处理过后的改质表面101c，相对于导电率约0.055 μ S/cm(25°C )，比阻抗值(Resistivity)实质为18ΜΩ.cm(25°C )的去离子纯水,具有实质介于3达因/公分至30达因/公分之间的表面位能，较佳实质介于15达因/公分至25达因/公分之间。且改质表面1lc的粗糙度实质小于3 μ m。
[0040]接着，将第一绝缘基材101的改质表面1lc上，贴附一个至少包含有第二绝缘基材106和第二金属层107的单面板结构的金属基板11。并通过一热压合制程109，使单面板结构的金属基板11的第二绝缘基材106与单面板结构的金属基板10的改质表面1lc紧密贴合，完成双面板结构的金属基板100，使第二绝缘基材106位于第一绝缘基材101的改质表面1lc与第二金属层107之间(如图1D所绘示)。
[0041]在本实施例中，单面板结构的金属基板11与单面板结构的金属基板10—样，皆为有胶系的单面板结构的金属基板。其中，单面板结构的金属基板11，还包含一个第二粘胶层108，位于第二绝缘基材106与第二金属层107之间，用来将第二金属层107与第二绝缘基材106贝占合。
[0042]在本发明的一些实施例之中，热压合制程109可以示一种热板压合制程，其压合温度实质大于50°C，较佳介于120°C至500°C之间，又以250°C为更佳。压合压力实质大于0.3公斤/平方公分(Kg/cm2)，较佳实质介于15公斤/平方公分至90公斤/平方公分之间，又以20公斤/平方公分为更佳。而在本发明的一些实施例之中，热压合制程109可以示一种热滚压合制程，压合温度实质大于50°C，较佳介于150°C至380°C之间，又以250°C为更佳。压合压力实质大于3KN/cm，较佳实质介于3KN/cm至30KN/cm之间，又以20KN/cm为更佳。压合张力实质大于0.5Kg。
[0043]值得注意的是，贴附于第一绝缘基材101的第一改质表面1lc的单面板结构的金属基板，也可具有与第一绝缘基材101的第一改质表面1lc相同的第二改质表面。例如请参照图2，图2是根据本发明的另一实施例所绘示的双面板结构的金属基板200的结构剖面图。其中，双面板结构的金属基板200与图1D的双面板结构的金属基板100结构类似，皆是由两个有胶系的单面板结构的金属基板10和21 (包含第二绝缘基材206、第二粘胶层208和第二金属层207)所构成。差别仅在于，单面板结构的金属基板21的第二绝缘基材206贴附第一改质表面1lc的一侧，具有与第一绝缘基材101的第一改质表面1lc相同的第二改质表面206c。由于单面板结构的金属基板10的结构与制作方法已详述如前，故详细流程不在此赘述，相同的元件将以相同的元件符号加以描述。
[0044]另外值得注意的是，虽然上述实施例中，双面板结构的金属基板皆是以两个有胶系的单面板结构的金属基板所构成。但在本发明的一些实施例之中，双面板结构的金属基板其中的一者或二者都可以是无胶系的单面板结构的金属基板。
[0045]例如请参照图3，图3是根据本发明的又一实施例所绘示的双面板结构的金属基板300的结构剖面图。其中，双面板结构的金属基板300与图1D的双面板结构的金属基板100结构类似，皆是由两个单面板结构的金属基板10和30所构成。差别仅在于，贴附于第一绝缘基材101的第一改质表面1lc的单面板结构的金属基板30，为无胶系的单面板结构的金属基板。其中，单面板结构的金属基板30包含第二绝缘基材306以及直接贴附于第二绝缘基材306面的一侧的第二金属层307,且第二绝缘基材306位于第二金属层307和第一绝缘基材101的第一改质表面1lc之间。由于单面板结构的金属基板10的结构与制作方法已详述如前，故详细流程不在此赘述，相同的元件将以相同的元件符号加以描述。
[0046]例如请参照图4，图4是根据本发明的再另一实施例所绘示的双面板结构的金属基板400的结构剖面图。其中，双面板结构的金属基板400与图1D的双面板结构的金属基板100结构类似，皆是由两个单面板结构的金属基板40和41所构成。差别仅在于，构成双面板结构的金属基板400的两个单面板结构的金属基板40和41。都是无胶系的单面板结构的金属基板。其中，单面板结构的金属基板40包含第一绝缘基材401以及直接贴附于第一绝缘基材401相对于第一改质表面401c的一侧的第一金属层402 ;而单面板结构的金属基板41包含第二绝缘基材406以及直接贴附于第二绝缘基材406的一侧的第二金属层407，且第二绝缘基材406位于第二金属层407和第一绝缘基材401的第一改质表面1lc之间。
[0047]请再参照图1D，后续将具有两个有胶系单面板结构的金属基板10和11的双面板结构的金属基板100，进行软性印刷电路板的全制程加工，包括湿制程加工，例如曝光、显影、蚀刻、去膜、及电镀加工，以及高温段之后续加工后形