隔离式信号传递装置及隔离信号传送电路与其接收电路的制作方法

文档序号:9526680阅读:513来源:国知局
隔离式信号传递装置及隔离信号传送电路与其接收电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是一种隔离式信号传递装置及隔离信号传送电路与其接收电路,尤指一种可分别传递数字信号及模拟信号且输入与输出端隔离不共地的隔离式信号传递装置。
【背景技术】
[0002]传统多个电源供应器之间的控制信号传递与输出的串并联采用共地设计,也就是说,当使用多个电源供应器分别对多个负载提供电源时,只有一个对地的电压电平。而多个电源供应器中会有一个为主控电源供应器,其余的电源供应器则为被控电源供应器,使用者只需要于主控电源供应器进行控制,便可传递控制信号至各个被控电源供应器,对各个被控电源供应器进行电源输出控制,为此,使用者便可直接对该主控电源供应器控制各别负载的电源。当使用时,使用者先将主控电源供应器与被控电源供应器之间以一信号传递电路连接,并分别调整各个电源供应器的输出电压,且将各个电源供应器的电压输出端分别电连接至不同的负载,而用户便可于该主控电源供应器控制各被控电源供应器的开启与关闭,决定各负载的供电与否。
[0003]举例来说,主控电源供应器用于输出15伏特的电压至一第一负载,而被控电源供应器用于输出3.3伏特的电压至一第二负载,用户于主控电源供应器便可同时启动主控电源供应器及被控电源供应器,或是于启动主控电源供应器后,间隔一段时间再启动被控电源供应器。其使用方式端根据使用者的需求调整。
[0004]但主控电源供应器与被控电源供应器之间用该信号传递电路连接时,因该信号传递电路采用共地设计,如此一来,主控电源供应器与被控电源供应器的电压输出端的输出电压也会共地,因此各电源供应器的输出电压只有一个共同的对地电压电平。当用户欲对多个负载利用多个电源供应器分别供电,且各负载之间视个别情况而不可采用共地的供电时,现有技术的主控电源供应器与被控电源供应器之间的信号传递电路便无法使用。使用者必须自行对多个电源供应器进行启动,无法准确地达到同时启动或间隔启动的功能。故现有的信号传递电路势必要做进一步的改良。

【发明内容】

[0005]有鉴于现有技术中信号传递电路采用共地设计,造成电压输出端共地而无法分别对多个负载采用不同对地电压电平的缺点,本发明的主要目的提供一种隔离式信号传递装置及隔离信号传送电路与其接收电路,于传递信号时,其信号输入端与信号输出端采用不共地的隔离电路,以使电压输出端具有不只一个的对地电压电平。
[0006]为达到上述目的,本发明所采用的主要技术手段是提供一种隔离信号传送电路,其中,隔离信号传送电路包含:
[0007]—模拟信号输入端;
[0008]一数字信号输入端;
[0009]一第一交叉回路端口 ;
[0010]一第二交叉回路端口 ;
[0011]—第一运算放大器,具有一正输入端、一负输入端及一输出端;其中该正输入端电连接接地、该负输入端电连接至该第一交叉回路端口且与该模拟信号输入端之间串接有一第一电阻,而该输出端电连接至该第二交叉回路端口 ;
[0012]一金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor ;M0SFET),其栅极电连接至该数字信号输入端,其源极电连接至一输入负电源端且与该栅极之间串接有一第三电阻,而其漏极与该第一运算放大器的负输入端之间串接有一第四电阻;
[0013]一 PNP电流镜电路,该PNP电流镜电路包含:
[0014]一第一PNP晶体管,该第一PNP晶体管的发射极电连接至一输入正电源端,而该第一 PNP晶体管的基极电连接至该第一 PNP晶体管的集电极;
[0015]一第二PNP晶体管,该第二PNP晶体管的发射极电连接至该输入正电源端,该第二PNP晶体管的基极电连接至该第一PNP晶体管的基极,而该第二PNP晶体管的集电极电连接至该M0SFET的栅极;及
[0016]—第八电阻,电跨接于该第一 PNP晶体管的集电极与该数字信号输入端之间。
[0017]本发明所采用的另一主要技术手段是提供一种隔离信号接收电路,其中,隔离信号接收电路包含:
[0018]一第三交叉回路端口 ;
[0019]一第四交叉回路端口 ;
[0020]一第一光耦合器,具有一第一输入正极、一第一输入负极、一第一输出正极及一第一输出负极;其中该第一输入正极电连接至该第三交叉回路端口,该第一输入负极电连接至该第四交叉回路端口,该第一输出正极与该模拟信号输出端之间串接有一第二电阻,而该第一输出负极电连接至一输出负电源端;
[0021]—第二光稱合器,具有一第二输入正极、一第二输入负极、一第二输出正极及一第二输出负极;其中该第二输入正极电连接至该第四交叉回路端口,该第二输入负极电连接至该第三交叉回路端口,该第二输出正极与一输出正电源端之间串接有一第五电阻,而该第二输出负极电连接接地;
[0022]—模拟信号输出端,与该第一光f禹合器的第一输出正极之间串接有一第二电阻;及
[0023]—数字信号输出端,电连接至该第二光f禹合器的第二输出正极。
[0024]本发明所采用的另一主要技术手段是提供一种隔离式信号传递装置,该隔离式信号传递装置具有隔离信号传送电路及隔离信号接收电路,其中该隔离信号传送电路包含:
[0025]一模拟信号输入端;
[0026]—数字信号输入端;
[0027]—第一交叉回路端口 ;
[0028]一第二交叉回路端口 ;
[0029]—第一运算放大器,具有一正输入端、一负输入端及一输出端;其中该正输入端电连接接地、该负输入端电连接至该第一交叉回路端口且与该模拟信号输入端之间串接有一第一电阻,而该输出端电连接至该第二交叉回路端口 '及
[0030]一金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor ;M0SFET),其栅极电连接至该数字信号输入端,其源极电连接至一输入负电源端且与该栅极之间串接有一第三电阻,而其漏极与该第一运算放大器的负输入端之间串接有一第四电阻;
[0031 ] 一 PNP电流镜电路,该PNP电流镜电路包含:
[0032]一第一PNP晶体管,该第一PNP晶体管的发射极电连接至一输入正电源端,而该第一 PNP晶体管的基极电连接至该第一 PNP晶体管的集电极;
[0033]一第二PNP晶体管,该第二PNP晶体管的发射极电连接至该输入正电源端,该第二PNP晶体管的基极电连接至该第一PNP晶体管的基极,而该第二PNP晶体管的集电极电连接至该M0SFET的基极;及
[0034]一第八电阻,电跨接于该第一 PNP晶体管的集电极与该数字信号输入端之间。
[0035]而该隔离信号接收电路包含:
[0036]一第三交叉回路端口 ;
[0037]一第四交叉回路端口 ;
[0038]一第一光耦合器,具有一第一输入正极、一第一输入负极、一第一输出正极及一第一输出负极;其中该第一输入正极电连接至该第三交叉回路端口,该第一输入负极电连接至该第四交叉回路端口,该第一输出正极与该模拟信号输出端之间串接有一第二电阻,而该第一输出负极电连接至一输出负电源端;
[0039]—第二光稱合器,具有一第二输入正极、一第二输入负极、一第二输出正极及一第二输出负极;其中该第二输入正极电连接至该第四交叉回路端口,该第二输入负极电连接至该第三交叉回路端口,该第二输出正极与一输出正电源端之间串接有一第五电阻,而该第二输出负极电连接接地;
[0040]—模拟信号输出端,与该第一光f禹合器的第一输出正极之间串接有一第二电阻;及
[0041]—数字信号输出端,电连接至该第二光f禹合器的第二输出正极。
[0042]本发明的隔离式信号传递装置及隔离信号传送电路与其接收电路可分别地传递模拟信号或是数字信号,于使用时,将该隔离信号传送电路的第一交叉回路端口与该隔离信号接收电路的第三交叉回路端口电连接,及将该隔离信号传送电路的第二交叉回路端口与该隔离信号接收电路的第四交叉回路端口电连接。
[0043]当该数字信号输入端的电位设定为与该输入正电源端同电位,控制该PNP电流镜电路15不具有电流流经该第三电阻R3,致使该M0SFET的栅极-源极电压为0伏特,所以该M0SFET的漏极电流为0安培,此时为模拟信号传递模式。于模拟信号传递模式时,模拟信号由该模拟信号输入端输入,经由该第一电阻、该第一光f禹合器的第一输入
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