第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第二节点为栅极，第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第三节点为漏极。9.如权利要求4所述的运算放大器，其特征在于，所述第一MOS晶体管、第二 MOS晶体管、第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管、第八MOS晶体管和第九MOS晶体管是NMOS晶体管，所述第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第十MOS晶体管和第^^一 MOS晶体管是PMOS晶体管；并且 每个晶体管的第一节点是源极，每个晶体管的第二节点是栅极，而每个晶体管的第三节点是漏极，第一电源包括接地，而第二电源包括正电源。10.如权利要求5所述的运算放大器，其特征在于，所述第十二和第十三MOS晶体管包括PMOS晶体管，并且 第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第一节点包括源极，第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第二节点包括栅极，第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第三节点包括漏极。11.一种运算放大器中的方法，其特征在于，所述运算放大器包括: 第一输入对、第二输入对、开关和第一电流镜， 其中，所述第一输入对包括与第二输入对包含的MOS晶体管类型不同的MOS晶体管； 所述开关连接第一输入对和第一电流镜，且所述工作中的输入对被配置为输出电压；并且 所述第一电流镜进一步连接所述第二输入对； 所述方法包括: 通过所述第一输入对和第二输入对接收差分电压输入； 通过所述开关决定让所述第一输入对和第二输入对中的一个处于工作状态； 通过所述第一电流镜将流经开关的电流复制到第二输入对以使该运算放大器在无论是第一输入对还是第二输入对处于工作状态的情况下都具有基本恒定的跨导。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，第一输入对的跨导的增加与第二输入对的跨导的减少相互抵消。13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一输入对包括第一MOS晶体管和第二 MOS晶体挂，所述第二输入对包括第三MOS晶体管和第四MOS晶体管，所述开关包括第五MOS晶体管，且该运算放大器还包括第二电流镜、第三电流镜和负载单元； 其中，所述第一 MOS晶体管的第一节点、第二 MOS晶体管的第一节点、第一电流源和第五MOS晶体管的第一节点中的任意两个相互连接；第一 MOS晶体管的第二节点连接第四MOS晶体管的第二节点，且第一 MOS晶体管的第二节点用于接收正输入端，且该第一 MOS晶体管的第三节点连接所述第三电流镜的第二端口和负载单元的第一端口 ；所述第二 MOS晶体管的第二节点连接第三MOS晶体管的第二节点，且该第二 MOS晶体管的第二节点用于接收负输入端，且该第二 MOS晶体管的第三节点连接所述第二电流镜的第二端口和负载单元的第二节点，且该第二 MOS晶体管的第三节点用于输出电压； 所述第三和第四MOS晶体管的第一节点都连接第一电流镜的第一端口，第三MOS晶体管的第三节点连接第三电流镜的第一端口，第四MOS晶体管的第三节点连接与第二电流镜的第一端口: 所述第五MOS晶体管的第二节点连接电压源，第五MOS晶体管的第三节点连接所述第一电流镜的第二端口。14.如权利要求13所述的方法，其特征在于， 所述第三电流镜包括第六MOS晶体管和第七MOS晶体管，第六和第七MOS晶体管的第一节点连接第一电源，该第六MOS晶体管的第二和第三节点都连接所述第七MOS晶体管第二节点和第三MOS晶体管的第三节点，且所述第三电流镜的第一端口包括所述第六MOS晶体管的第三节点，且该第三电流镜的第二端口包括所述第七MOS晶体管的第三节点； 所述第二电流镜包括第八MOS晶体管和第九MOS晶体管，该第八和第九MOS晶体管的第一节点连接第一电源连，该第九MOS晶体管的第二和第三节点都连接所述第八MOS晶体管第二节点和第四MOS晶体管的第三节点，且所述第二电流镜的第一端口包括所述第九MOS晶体管的第三节点，且该第二电流镜的第二端口包括所述第八MOS晶体管的第三节点；并且 所述第一电流镜包括第十MOS晶体管和第^^一 MOS晶体管，第十和第^^一 MOS晶体管的第一节点都连接第二电源，第十MOS晶体管的第二和第三节点都连接所述第十一 MOS晶体管第二节点和第五MOS晶体管的第三节点，且所述第二电流镜的第一端口包括所述第i^一 MOS晶体管的第三节点，且该第一电流镜的第二端口包括所述第十MOS晶体管的第三节点。15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述负载单元包括第十二MOS晶体管和第十三MOS晶体管； 其中，第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管的第一节点都连接第二电源，第十二 MOS晶体管的第二节点和第三节点连接第十三MOS晶体管第二节点，所述负载单元的第一节点包括第十二MOS晶体管的第三节点且所述负载单元的第二节点包括第十三MOS晶体管的第三节点。16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述负载单元包括第十二MOS晶体管、第十三MOS晶体管、第十四MOS晶体管和第二电流源； 其中，第十二 MOS晶体管、第十三MOS晶体管和第十四MOS晶体管的第一节点都连接第二电源，第十二 MOS晶体管的第二节点连接第十三MOS晶体管和第十四MOS晶体管的第二节点，第十四MOS晶体管的第二节点连接该第十四MOS晶体管的第三节点和第二电流源，所述负载单元的第一节点包括第十二 MOS晶体管的第三节点且所述负载单元的第二节点包括第十三MOS晶体管的第三节点，其中，所述负载单元的第一节点和第二节点用于输出差分输出电压。17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一MOS晶体管、第二 MOS晶体管、第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管、第八MOS晶体管和第九MOS晶体管是PMOS晶体管，所述第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第十MOS晶体管和第^^一 MOS晶体管是NMOS晶体管；并且 每个晶体管的第一节点是源极，每个晶体管的第二节点是栅极，而每个晶体管的第三节点是漏极，第一电源包括正电源，而第二电源包括接地。18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第十二MOS晶体管和第十三MOS晶体管为NMOS晶体管，且 第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第一节点为源极，第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第二节点为栅极，第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第三节点为漏极。19.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一、第二、第五、第六、第七、第八和第九MOS晶体管是NMOS晶体管，所述第三、第四、第十MOS晶体管和第^^一 MOS晶体管是PMOS晶体管；并且 每个晶体管的第一节点是源极，每个晶体管的第二节点是栅极，而每个晶体管的第三节点是漏极，第一电源包括接地，而第二电源包括正电源。20.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第十二和第十三MOS晶体管包括PMOS晶体管，并且 第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第一节点包括源极，第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第二节点包括栅极，第十二 MOS晶体管和第十三MOS晶体管各自的第三节点包括漏极。
【专利摘要】本发明涉及电路，特别设计一种运算放大器，该运算放大器包括第一输入对、第二输入对、开关以及第一电流镜。第一输入对包括与第二输入对包括的MOS晶体管类型不同的MOS晶体管。开关决定让第一输入和第二输入对工作中的一个处于工作状态，且工作中的输入对输出电压。开关进一步连接第一输入对和第一电流镜。第一电流镜进一步连接第二输入对，并用于复制流经开关的电流到第二输入对。因此，第一输入对跨导的增加与第二输入对跨导的减少相抵消，且无论是第一输入对还是第二输入对处于工作状态，该运算放大器都具有基本恒定的跨导。
【IPC分类】H03F3/45
【公开号】CN105720934
【申请号】CN201410723184
【发明人】不公告发明人
【申请人】博通集成电路（上海）有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2014年12月2日
【公告号】US20160156313