专利名称：硅晶微麦克风装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种微麦克风，尤其涉及一种硅晶微麦克风。
背景技术：
现今的可携式电子产品，例如MP3、手机、PDA、上网本等，其发展趋势越来越小越来越轻，而且复合更多功能，而麦克风是一般可携式电子产品中常见的零部件，自然其发展趋势也是轻、薄、短、小，同时也要求更佳的效能与输出表现。现今技术中，微麦克风装置中的键合用焊盘直接设置在背极板中的背极板上，没有任何保护以及固定措施，容易导致键合用焊盘氧化、松动、甚至脱落的问题，以至微麦克风效能降低、输出表现较差。
实用新型内容针对现有技术因键合用焊盘没有任何保护措施或固定措施而导致键合用焊盘松动或脱落的问题，本实用新型提供一种能克服上述缺陷的硅晶微麦克风装置。本实用新型提供一种硅晶微麦克风装置，包括硅基、振膜、背极板、背电极以及至少两键合用焊盘，该硅基支撑该背极板及该振膜，该背极板支撑该背电极，该两键合用焊盘之一设置于该背电极上，该两键合用焊盘之二一部分设置于该振膜上，另一部分设置于该背电极上，还包括保护层，该保护层一部分不完全覆盖该两键合用焊盘表面，另一部分连接该背电极。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，该保护层是金属钝化层，覆盖该键合用焊盘周边的表面。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，该金属钝化层是氮化硅材料，或者是氮化硅与氧化硅的复合层材料。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，该保护层还包括金属支架层，该金属支架层部分地覆盖该键合用焊盘表面，该金属支架层还与该背电极连接，该金属钝化层设置于该金属支架层表面。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，该键合用焊盘是两个或多个。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，该保护层是单层结构或多层结构。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，该保护层厚度是0. 1到4. 0微米。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，其中该背极板厚度为0. 5-7. 0微米。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，其中该振膜的厚度为0. 1-4.0微米。作为对所述硅晶微麦克风装置的进一步改进，其中该振膜的厚度为0. 1-4.0微米。相较于现有技术，本实用新型硅晶微麦克风装置，通过增加保护层，可以有效的防止键合用焊盘的氧化问题，还能提高键合用焊盘与背极板或与振膜结构的固定性，解决现有技术中，键合用焊盘易松动、甚至脱落的问题，从而提高硅晶微麦克风效能和输出表现。
图1是本实用新型硅晶微麦克风装置第一实施方式的截面示意图；图2是本实用新型硅晶微麦克风装置第二实施方式的截面示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型进行说明。本实用新型实施例提供一种硅晶微麦克风装置，请参阅图1，图1是本实用新型硅晶微麦克风装置第一实施方式的截面示意图。该硅晶微麦克风装置1包括硅基10、振膜20、 背极板30、保护层40和键合用焊盘50。该背极板30进一步包括背电极32，该硅基10支撑该背极板30及该振膜20，该背极板30支撑该背电极32，该键合焊盘50至少包括两个，该两键合用焊盘50之一设置于该背电极32上，该两键合用焊盘50之二的一部分设置于该振膜20上，另一部分设置于该背电极32上。该保护层40该保护层一部分不完全覆盖该两键合用焊盘50表面，另一部分连接该背电极32。本实用新型硅晶微麦克风装置第一实施方式，该硅晶微麦克风装置1通过增加保护层40，可以有效的防止键合用焊盘50的氧化问题，该保护层40还能起到卡槽作用，所以还能提高键合用焊盘50与背极板30或与振膜20结构的固定性，解决现有技术中，键合用焊盘50易松动、甚至脱落的问题，从而提高硅晶微麦克风效能和输出表现。该振膜20的厚度为0. 1-4. 0微米。该背极板30厚度为0.5-7.0微米。该保护层40是单层或多层结构。该硅晶微麦克风装置2该保护层40是金属钝化层，覆盖该键合用焊盘50周边的表面，该金属钝化层是氮化硅(氮化硅是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，高温时抗氧化)材料，或者是氮化硅与氧化硅的复合层材料。 该保护层厚度是0. 1到4. 0微米。该键合用焊盘50是两个或多个，该键合用焊盘50的材质选自铝、铜、金、银、镍、 钼、钛、铬材料所构成的群组。请参阅图2，图2是本实用新型硅晶微麦克风装置第二实施方式的截面示意图。其与本实用新型第一实施方式的区别仅在于该保护层240是双层结构，它还包括金属支架层242部分地覆盖该键合用焊盘50表面，该金属支架层242还与该背电极32连接，该金属钝化层244设置于该金属支架层242表面。本实用新型硅晶微麦克风装置第二实施方式，通过增加保护层240，该保护层240 为双层结构，该保护层240还包括金属支架层242，该金属支架层242表面设置有金属钝化层244，该金属支架层242部分地设置在该键合用焊盘50表面，还与该背电极32连接，可以有效的防止键合用焊盘50的氧化问题，还能起到卡槽的作用，所以还能进一步提高键合用焊盘50与背极板30或与振膜20结构的固定性，解决现有技术中，键合用焊盘50易松动、 甚至脱落的问题，从而提高硅晶微麦克风效能和输出表现。以上仅为本实用新型的优选实施案例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之
4内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种硅晶微麦克风装置，包括硅基、振膜、背极板、背电极以及至少两键合用焊盘，该硅基支撑该背极板及该振膜，该背极板支撑该背电极，该两键合用焊盘之一设置于该背电极上，该两键合用焊盘之二的一部分设置于该振膜上，另一部分设置于该背电极上，其特征在于还包括保护层，该保护层一部分不完全覆盖该两键合用焊盘表面，另一部分连接该背电极。
2.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于该保护层是金属钝化层，覆盖该键合用焊盘周边的表面。
3.根据权利要求2所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于该金属钝化层是氮化硅材料，或者是氮化硅与氧化硅的复合层材料。
4.根据权利要求3所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于该保护层还包括金属支架层，该金属支架层部分地覆盖该键合用焊盘表面，该金属支架层还与该背电极连接，该金属钝化层设置于该金属支架层表面。
5.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于该键合用焊盘是两个或多个。
6.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于该保护层是单层结构或多层结构。
7.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于该保护层厚度是0.1到4. 0 微米。
8.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于其中该背极板厚度为 0. 5-7. 0 微米。
9.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于其中该振膜的厚度为 0. 1-4. 0 微米。
专利摘要本实用新型公开了一种硅晶微麦克风装置。所述硅晶微麦克风装置包括硅基、振膜、背极板、背电极以及至少两键合用焊盘，该硅基支撑该背极板及该振膜，该背极板支撑该背电极，该两键合用焊盘之一设置于该背电极上，该两键合用焊盘之二的一部分设置于该振膜上，另一部分设置于该背电极上，还包括保护层，该保护层一部分不完全覆盖该两键合用焊盘表面，另一部分连接该背电极通过上述方式，本实用新型能够可以有效的防止键合用焊盘的氧化问题，还能提高键合用焊盘与背极板或与振膜结构的固定性，从而解决现有技术中，键合用焊盘易松动、甚至脱落的问题，从而提高硅晶微麦克风效能和输出表现。
文档编号H04R19/04GK202004962SQ20112000794
公开日2011年10月5日 申请日期2011年1月12日 优先权日2011年1月12日
发明者孟珍奎, 张小麟, 张睿, 杨斌, 王琳琳, 葛舟, 颜毅林 申请人:瑞声声学科技(深圳)有限公司, 瑞声科技(新加坡)有限公司