专利名称：高频器件及通信终端设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及高频器件及通信终端设备，特别涉及装载于便携式电话等通信终端设备的高频器件、以及具有该高频器件的通信终端设备。
背景技术：
近年来，作为装载于移动通信终端的天线装置，像专利文献1、2、3所记载的那样，提出了利用配置在终端壳体内部的金属体(印刷布线基板的接地板等)作为发射元件的壳体偶极天线。在这种壳体偶极天线中，通过对折叠式或滑动式的便携式通信终端中的两块壳体接地板(主体部壳体的接地板和盖体部壳体的接地板)进行差动供电，能得到与偶极天线相同的性能。此外，由于利用设置于壳体的接地板作为发射元件，因此，无需另外设置专用的发射元件，能实现便携式通信终端的小型化。然而，在上述壳体偶极天线中，接地板的阻抗会根据用作为发射元件的接地板的形状、壳体的形状、甚至靠近的金属体(靠近配置的电子元器件、铰链零部件等)的配置状况等而变化。因此，为了要尽可能地减少高频信号的能量损耗，需要对每一机种设计阻抗匹配电路。此外，在折叠式或滑动式的便携式通信终端中，接地板、阻抗匹配电路的阻抗会根据主体部壳体和盖体部壳体的位置关系(例如，在折叠式中，关闭盖体部的状态和打开盖体部的状态)而变化。因此，为了控制阻抗，有时还需要控制电路等。专利文献1 日本专利特开2004-172919号公报专利文献2 日本专利特开2005-6096号公报专利文献3 日本专利特开2008-118359号公报
实用新型内容因而，本实用新型的目的在于提供一种高频器件及通信终端设备，该高频器件及通信终端设备能不受发射元件或壳体的形状、靠近元器件的配置状况等的影响，稳定高频信号的频率。本实用新型的第一方式的高频器件的特征在于，包括层叠体，该层叠体是将多个介质层或磁性体层层叠而成；供电端子，该供电端子设置于所述层叠体，并与供电电路相连接；天线端子，该天线端子设置于所述层叠体，并与发射元件相连接；一次侧串联电路，该一次侧串联电路设置于所述层叠体，包括第一线圈元件、以及与该第一线圈元件串联连接的第二线圈元件，并与所述供电端子相连接；以及二次侧串联电路，该二次侧串联电路设置于所述层叠体，包括与所述该第一线圈元件耦合的第三线圈元件、以及与所述第三线圈元件串联连接且与所述第二线圈元件耦合的第四线圈元件，并与所述天线端子相连接，所述第一及第二线圈元件以这些线圈元件所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕，[0015]所述第三及第四线圈元件以这些线圈元件所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕。本实用新型的第一方式的高频器件优选为，所述层叠体还包括接地的接地端子。本实用新型的第一方式的高频器件优选为，还包括电容元件，该电容元件装载于所述层叠体的一个主面。本实用新型的第二方式的通信终端设备的特征在于，包括高频器件、供电电路、以及发射元件，所述高频器件包括层叠体，该层叠体是将多个介质层或磁性体层层叠而成；供电端子，该供电端子设置于所述层叠体；天线端子，该天线端子设置于所述层叠体；一次侧串联电路，该一次侧串联电路设置于所述层叠体，包括第一线圈元件、以及与该第一线圈元件串联连接的第二线圈元件，并与所述供电端子相连接；以及二次侧串联电路，该二次侧串联电路设置于所述层叠体，包括与所述该第一线圈元件耦合的第三线圈元件、以及与所述第三线圈元件串联连接且与所述第二线圈元件耦合的第四线圈元件，并与所述天线端子相连接，所述第一及第二线圈元件以这些线圈元件所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕，所述第三及第四线圈元件以这些线圈元件所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕，所述供电电路与所述供电端子相连接，所述发射元件与所述天线端子相连接。在所述高频器件及通信终端设备中，一次侧串联电路和二次侧串联电路进行电磁场耦合、磁场耦合等，主要利用磁通以高耦合度进行耦合，通过一次侧串联电路实现与供电电路侧的阻抗匹配，并通过二次侧串联电路实现与发射元件侧的阻抗匹配，从而发送/接收信号的频率稳定。而且，高频信号的能量传输效率高，不受发射元件或壳体的形状、靠近元器件的配置状况等的影响，稳定高频信号的频率。根据本实用新型，能不受发射元件或壳体的形状、靠近元器件的配置状况等的影响，稳定高频信号的频率。
图1是示意性表示具有天线装置的便携式通信终端的说明图，图1 (A)表示第一示例，图I(B)表示第二示例。图2表示实施例1的天线装置，图2(A)是等效电路图，图2(B)是动作原理图，图2(C)是从作为滤波器的角度画出的电路图。图3(A) 图3(D)分别是表示实施例1的天线装置的通过特性的曲线图。图4表示构成作为层叠体的稳频电路，图4(A)是表面侧的立体图，图4(B)是背面侧的立体图。图5是将构成作为层叠体的稳频电路的第一示例进行分解而示出的立体图。[0037]图6是表示图5所示的稳频电路的动作原理的说明图。图7是将构成作为层叠体的稳频电路的第二示例进行分解而示出的立体图。图8是表示实施例2的天线装置的等效电路图。图9是将构成作为层叠体的稳频电路的第三示例进行分解而示出的立体图。图10是将构成作为层叠体的稳频电路的第四示例进行分解而示出的立体图。图11是表示实施例3的天线装置的等效电路图。图12是表示实施例4的天线装置的等效电路图。图13是表示实施例5的天线装置的等效电路图。图14是表示实施例6的天线装置的等效电路图。图15是表示实施例6的天线装置的应用示例的等效电路图。图16表示高频器件的第一示例，图16(A)是表面侧的立体图，图16(B)是背面侧的立体图。图17是将高频器件的第一示例进行分解而示出的立体图。图18是表示高频器件的第一示例的动作原理的说明图。图19是将高频器件的第二示例进行分解而示出的立体图。图20是将高频器件的第三示例进行分解而示出的立体图。图21 (A)是表示实施例7的天线装置的等效电路图，图21⑶是表示其变形例的等效电路图。图22是将高频器件的第四示例进行分解而示出的立体图。图23是表示实施例8的天线装置的等效电路图。图M是将高频器件的第五示例进行分解而示出的立体图。图25是表示实施例9的天线装置的等效电路图。图沈是将高频器件的第六示例进行分解而示出的立体图。图27是表示高频器件的第六示例的动作原理的说明图。图观表示实施例10的阻抗变换元件，图观(A)是等效电路图，图观⑶是动作原理图。图四是实施例10的阻抗变换元件的层叠结构的简要立体图。图30是图四所示的层叠结构中的动作原理图。图31表示构成作为层叠体的实施例10的阻抗变换元件，图31 (A)是表面侧的立体图，图31(B)是背面侧的立体图。图32是将实施例10的阻抗变换元件的层叠结构进行分解而示出的立体图。图33是表示实施例11的阻抗变换元件的等效电路图。图34是将实施例11的阻抗变换元件的层叠结构进行分解而示出的立体图。图35是将实施例12的阻抗变换元件的层叠结构进行分解而示出的立体图。图36是实施例12的阻抗变换元件的动作原理图。图37是将实施例13的阻抗变换元件的层叠结构进行分解而示出的立体图。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本实用新型所涉及的高频器件及通信终端设备的实施例。另外，在各图中，对于相同构件、部分标注共用的标号，省略重复的说明。(便携式通信终端、参照图1)在图KA)中示出第一示例的便携式通信终端1，在图I(B)中示出第二示例的便携式通信终端2。它们是接收面向便携式电话/移动终端的一段部分接收服务(通称移动数字电视)的高频信号用G70 770MHz)的终端。如图1 (A)所示，便携式通信终端1包括作为盖体部的第一壳体10和作为主体部的第二壳体20，第一壳体10与第二壳体20通过折叠式或滑动式连接。在第一壳体10上设置有也起到作为接地板的作用的第一发射元件11，在第二壳体20上设置有也起到作为接地板的作用的第二发射元件21。第一及第二发射元件11、21由包括金属箔等薄膜或导电性糊料等厚膜的导电体膜形成。该第一及第二发射元件11、21通过由供电电路30差动供电，得到与偶极天线大致相同的性能。供电电路30具有RF电路、基带电路之类的信号处理电路。如图I(B)所示，便携式通信终端2将第一发射元件11设置作为天线单体。第一发射元件11可使用贴片天线、金属板天线、线圈天线等各种天线元件。此外，作为该天线元件，也可利用例如沿着壳体10的内周面或外周面而设置的线状导体。第二发射元件21也起到作为第二壳体20的接地板的作用，也可使用与第一发射元件11相同的各种天线。顺带一提，便携式通信终端2不是折叠式或滑动式、而是直线结构的终端。另外，第二发射元件21也可以不一定是充分起到作为发射体的作用的元件，第一发射元件11也可以是像所谓的单极天线那样动作的元件。供电电路30的一端与第二发射元件21相连接，另一端通过稳频电路35与第一发射元件11相连接。此外，第一及第二发射元件11、21通过连接线33相互连接。该连接线33起到分别装载于第一及第二壳体10、20的电子元器件(省略图示)的连接线的作用，虽然对于高频信号作为电感元件进行动作，但对天线的性能不起直接作用。稳频电路35设置在供电电路30与第一发射元件11之间，使得从第一及第二发射元件11、21发送来的高频信号、或利用第一及第二发射元件11、21接收到的高频信号的频率特性稳定。因此，不受第一发射元件11或第二发射元件21的形状、第一壳体10或第二壳体20的形状、接近元器件的配置状况等影响，稳定高频信号的频率特性。特别是在折叠式或滑动式的便携式通信终端的情况下，虽然第一及第二发射元件11、21的阻抗容易根据盖体部即第一壳体10相对于主体部即第二壳体20的开关状态而变化，但通过设置稳频电路35，可使高频信号的频率特性稳定。S卩，由于该稳频电路35可承担与天线的设计相关的重要事项即中心频率的设定、通带宽度的设定、阻抗匹配的设定等频率特性的调整功能，天线元件本身主要仅考虑方向性、增益即可，因此，容易进行天线的设计。以下，作为实施例1 6，说明稳频电路35的详情。(实施例1、参照图2 图8)如图2㈧所示，实施例1的天线装置所使用的稳频电路(也称为稳定电路)35由与供电电路30相连接的一次侧电抗电路、以及通过电场或磁场与该一次侧电抗电路进行耦合的二次侧电抗电路构成。一次侧电抗电路由包括第一电抗元件、以及与该第一电抗元件串联连接的第二电抗元件的一次侧串联电路36构成。二次侧电抗电路由包括与第一电抗元件耦合的第三电抗元件、以及与该第三电抗元件串联连接且与第二电抗元件耦合的第四电抗元件的二次侧串联电路37构成。具体而言，第一电抗元件由第一电感元件Ll构成，第二电抗元件由第二电感元件L2构成，第三电抗元件由第三电感元件L3构成，第四电抗元件由第四电感元件L4构成。一次侧串联电路36的一端(第一电感元件Ll的一端)与供电电路30相连接，二次侧串联电路37的一端(第三电感元件L3的一端)与第一发射元件11相连接。一次侧串联电路36的另一端(第二电感元件L2的另一端)以及二次侧串联电路37的另一端(第四电感元件L4的另一端)与第二发射元件21相连接。如图2(B)所示，第一电感元件Ll与第二电感元件L2相互以相同相位进行磁场耦合及电场耦合，同样地，第三电感元件L3和第四电感元件L4相互以相同相位进行磁场耦合及电场耦合。即，通过第一及第二电感元件L1、L2形成闭合磁路，该电感元件L1、L2主要通过电磁场进行耦合，并以使得因磁场耦合而流过的电流与因电场耦合而流过的电流的方向相一致的方式进行图案布线。此外，通过第三及第四电感元件L3、L4形成闭合磁路，该电感元件L3、L4主要通过电磁场进行耦合，并以使得因磁场耦合而流过的电流与因电场耦合而流过的电流的方向相一致的方式进行图案布线。此外，第一电感元件Ll和第三电感元件L3相互以相反相位进行耦合，并以使得因磁场耦合而流过的电流与因电场耦合而流过的电流的方向相一致的方式进行图案布线，同样地，第二电感元件L2和第四电感元件L4相互以相反相位进行耦合，并以使得因磁场耦合而流过的电流与因电场耦合而流过的电流的方向相一致的方式进行图案布线。即，由于第一及第三电感元件L1、L3和第二及第四电感元件L2、L4分别形成闭合磁路，这些闭合磁路彼此之间、即一次侧串联电路36与二次侧串联电路37主要通过电磁场进行耦合，电场耦合和磁场耦合使电流沿同一方向流过，因此，与仅磁场的耦合或仅电场的耦合相比，可得到更强的电磁场耦合。另外，所谓“通过电磁场进行耦合”，是指通过电场的耦合、通过磁场的耦合、或通过电场和磁场这二者的耦合。在采用以上结构的稳频电路35中，从供电电路30流入到一次侧串联电路36的高频信号电流导向第一电感元件Li，并且，在各电感元件由线圈图案形成的情况下，通过感应磁场作为二次电流导向第三电感元件L3。此外，导向第二电感元件L2的高频信号电流通过感应磁场作为二次电流导向第四电感元件L4。其结果是，高频信号电流沿图2(B)中箭头所示的方向流动。S卩，在一次侧串联电路36中，由于第一电感元件Ll和第二电感元件L2串联且以相同相位连接，因此，若有电流流过第一电感元件Ll及第二电感元件L2，则在各电感元件L1、L2之间形成闭合磁路。同样地，在二次侧串联电路37中，由于第三电感元件L3和第四电感元件L4串联且以相同相位连接，因此，若因一次侧串联电路36所产生的闭合磁路而引起感应电流流过第三电感元件L3及第四电感元件L4，则在各电感元件L3、L4之间形成闭合磁路。而且，由于第一电感元件Ll和第二电感元件L2如上述那样形成闭合磁路，且以相同相位进行耦合，因此，一次侧串联电路36的总电感值可以看成小于将第一电感元件Ll的电感值和第二电感元件L2的电感值进行简单相加后的电感值。另一方面，第一电感元件Ll和第三电感元件L3通过互感耦合，该互感值成为将第一电感元件Ll的电感值和第三电感元件L3的电感值进行相加后的电感值。第二电感元件L2和第四电感元件L4的关系也同样。[0083]S卩，由于在一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间形成的互感值的总和可以看成比一次侧串联电路36或二次侧串联电路37的电感值相对要大，因此，可观察到一次侧串联电路36与二次侧串联电路37的耦合度变高。即，由于一次侧串联电路36及二次侧串联电路37中的磁场分别形成闭合磁路，因此，产生串联电路36的整个电感值(=L1+L2-ML1L2)和串联电路37的整个电感值(=L3+L4-MUl4)，在二次侧串联电路37中流过与抵消由一次侧串联电路36产生的磁场的方向的电流(例如与位移电流相同)相同方向的电流。因而，由于一次侧串联电路36和二次侧串联电路37各自的功率基本没有泄漏，而且，串联电路36和串联电路37的整个互感值(=ML1L3+ML2L4)大于串联电路36的整个电感值(=L1+L2-ML1L2)及串联电路37的整个电感值(=L3+L4-ML3L4)，因此，一次侧串联电路36和二次侧串联电路37的耦合度变高。由此，一次侧串联电路36和二次侧串联电路37的耦合度可得到0. 7以上、甚至1. 0以上(特别是根据频率，可达到耦合度2. 0)的高耦合度。在上述稳频电路35中，由于主要利用一次侧串联电路36实现与供电电路30 —侧的阻抗匹配，利用二次侧串联电路37实现与第一发射元件11 一侧的阻抗匹配，即，由于可分别独立设计一次侧串联电路36的阻抗和二次侧串联电路37的阻抗，因此，容易进行阻抗匹配。若从作为滤波器的角度来描绘图2 (B)所示的等效电路，则成为像图2 (C)那样。电容元件Cl是由第一及第二电感元件Li、L2形成的线间电容，电容元件C2是由第三及第四电感元件L3、L4形成的线间电容。此外，电容元件C3是由一次侧串联电路36和二次侧串联电路37形成的线间电容(寄生电容)。即，利用一次侧串联电路36形成LC并联谐振电路Rl，利用二次侧串联电路37形成LC并联谐振电路R2。而且，若设LC并联谐振电路Rl中的谐振频率为F1、LC并联谐振电路R2中的谐振频率为F2，则在Fl =F2的情况下，来自供电电路30的高频信号呈现图3(A)所示的通过特性。通过使第一及第二电感元件Li、L2、第三及第四电感元件L3、L4分别以相反相位进行耦合，由于L1+L2以及L3+L4变小，因此，即使增大各电感元件Ll L4的电感值，谐振频率也不会下降，从而能增大Ll L4。因此，可得到宽频带的通过特性。而且，如图3(B)所示，来自第一发射元件11的高频信号可得到曲线A所示的宽频带的通过特性。该机理虽然不一定清楚，但可认为是由于LC并联谐振电路R1、R2进行耦合，因此退化会解除，AF取决于谐振电路R1、R2的耦合度。即，可与耦合度成正比实现宽频带化。另一方面，在Fl Φ F2的情况下，来自供电电路30的高频信号呈现图3(C)所示的通过特性。如图3(D)所示，来自第一发射元件11的高频信号可得到曲线B所示的宽频带的通过特性。可认为这也是由于LC并联谐振电路R1、R2进行耦合，因此退化会解除。若谐振电路Rl、R2的耦合度较大，则展宽成为宽频带的通过特性。这样，由于利用稳频电路35本身具有的谐振特性，决定阻抗匹配等频率特性，因此，频率不容易产生偏差。此外，通过得到宽频带的通过特性，即使阻抗有稍许变化，也可确保通过频带。即，与发射元件的尺寸、形状、甚至发射元件的环境无关，可使收发的高频信号的频率特性稳定。此外，由于稳频电路35由闭合磁路形成，因此，屏蔽图案也可位于谐振电路的上下部。由此，因外部环境而产生的特性变化进一步变小。上述稳频电路35可作为图4所示的贴片型的层叠体40而构成。该层叠体40是
8将由介质或磁性体形成的多个基材层进行层叠的部件，在其背面设置有与供电电路30相连接的供电端子41、与第二发射元件21相连接的接地端子42、以及与第一发射元件11相连接的天线端子43。除此之外，在背面还设置有用于安装的NC端子44。另外，在层叠体40的表面也可根据需要装载阻抗匹配用的贴片型电感器或贴片型电容器。在采用这种结构的情况下，仅变更装载的电感器或电容器，就可对应于各种输入输出阻抗。此外，也可以在层叠体40内利用电极图案形成电感元件或电容元件。这里，参照图5，说明内置于上述层叠体40的稳频电路35的第一示例。在该第一示例中，在最上层的基材层51a上形成有导体61，在第二层的基材层51b上形成有成为第一及第二电感元件L1、L2的导体62，在第三层的基材层51c上形成有成为第一及第二电感元件L1、L2的两个导体63、64。在第四层的基材层51d上形成有成为第三及第四电感元件L3、L4的两个导体65、66，在第五层的基材层51e上形成有成为第三及第四电感元件L3、L4的导体67。此外，在第六层的基材层51f上形成有接地导体68，在第七层的基材层51g的背面形成有供电端子41、接地端子42、以及天线端子43。另外，在最上层的基材层51a上层叠有未图示的无图案基材层。作为导体61 68，可将银或铜等导电性材料作为主要成分而形成。作为基材层51a 51g，若是介质，则可使用玻璃陶瓷材料、环氧类树脂材料等，若是磁性体，则可使用铁氧体陶瓷材料或含有铁氧体的树脂材料等。作为基材层用的材料，特别是在形成UHF频带用的稳频电路的情况下，优选使用介质材料，在形成HF频带用的稳频电路的情况下，优选使用磁性体材料。通过层叠上述基材层51a 51g，各自的导体61 68以及端子41、42、43通过层间连接导体(过孔导体)相连接，形成图2(A)所示的等效电路。即，供电端子41通过过孔导体45a、导体61、以及过孔导体4 与线圈图案63的一端相连接，线圈图案63的另一端通过过孔导体45c与线圈图案62a的一端相连接。此外，线圈图案62a的另一端与线圈图案62b的一端相连接，线圈图案62b的另一端通过过孔导体45d与线圈图案64的一端相连接。线圈图案64的另一端通过过孔导体4 与接地导体68相连接，接地导体68通过过孔导体45f与接地端子42相连接。即，利用线圈图案63以及线圈图案62a构成第一线圈图案、即电感元件Li，利用线圈图案62b以及线圈图案64构成第二线圈图案、即电感元件L2。此外，天线端子43通过过孔导体45g与线圈图案65的一端相连接，线圈图案65的另一端通过过孔导体45h与线圈图案67a的一端相连接。此外，线圈图案67a的另一端与线圈图案67b的一端相连接，线圈图案67b的另一端通过过孔导体45i与线圈图案66的一端相连接。线圈图案66的另一端通过过孔导体45j与接地导体68相连接，接地导体68通过过孔导体45f与接地端子42相连接。即，利用线圈图案65以及线圈图案67a构成第三线圈图案、即电感元件L3，利用线圈图案67b以及线圈图案66构成第四线圈图案、即电感元件L4。而且，如图5所示，第一及第二线圈图案以第一线圈图案的卷绕轴和第二线圈图案的卷绕轴成平行的方式相邻配置，第三及第四线圈图案以第三线圈图案的卷绕轴和第四线圈图案的卷绕轴成平行的方式相邻配置。此外，第一及第三线圈图案配置成第一线圈图案的卷绕轴和第三线圈图案的卷绕轴大体成为同一直线，第二及第四线圈图案配置成第二
9线圈图案的卷绕轴和第四线圈图案的卷绕轴大体成为同一直线。另外，虽然各线圈图案利用一匝的环状导体来构成，但也可以利用多匝的环状导体来构成。此外，第一及第三线圈图案无需配置成各线圈图案的卷绕轴严格地成为同一直线，只要在俯视时第一及第三线圈图案的线圈开口相互重叠、即公共的磁通通过各线圈图案那样卷绕即可。同样地，第二及第四线圈图案无需配置成各线圈图案的卷绕轴严格地成为同一直线，只要在俯视时第二及第四线圈图案的线圈开口相互重叠、即公共的磁通通过各线圈图案那样卷绕即可。像以上那样，通过将电感元件Ll L4内置于由介质或磁性体形成的层叠体40，特别是将成为一次侧串联电路36和二次侧串联电路37的耦合部的区域设置在层叠体40的内部，从而构成稳频电路35的元件的元件值、甚至一次侧串联电路36和二次侧串联电路37的耦合度难以受到来自与层叠体40相邻配置的其他电子元件的影响。其结果是，能实现频率特性的进一步稳定。然而，在装载上述层叠体40的印刷布线基板(未图示)上设置有各种布线，这些布线和稳频电路35有可能互相干扰。像本实施例那样，通过在层叠体40的底部将接地导体68设置成覆盖由导体61 67形成的线圈图案的开口，使得由线圈图案产生的磁场难以受到来自印刷布线基板上的各种布线的磁场的影响。换言之，电感元件Ll L4的L值难以产生偏差。在第一示例的稳频电路35中，如图6所示，从供电端子41输入的高频信号电流像箭头a、b所示的那样流动，像箭头c、d所示的那样导向第一电感元件Ll (导体62、63)，并进一步像箭头e、f所示的那样导向第二电感元件L2(导体62、64)。通过由一次电流(箭头c、d)产生的磁场C，在第三电感元件L3 (导体65、67)中像箭头g、h所示的那样激励出高频信号电流，流过感应电流(二次电流)。同样地，通过由一次电流(箭头e、f)产生的磁场C，在第四电感元件L4(导体66、67)中像箭头i、j所示的那样激励出高频信号电流，流过感应电流(二次电流)。其结果是，箭头k所示的高频信号电流流过天线端子43，箭头1所示的高频信号电流流过接地端子42。另外，若流过供电端子41的电流(箭头a)是相反方向，则其他电流也沿相反方向流动。此外，由于第一电感元件Ll的线圈图案63与第三电感元件L3的线圈图案65相对，因此，会产生电场耦合，因该电场耦合而流过的电流(位移电流)沿与感应电流相同的方向流动，利用磁场耦合和电场耦合提高耦合度。同样地，第二电感元件L2的线圈图案64与第四电感元件L4的线圈图案66也产生磁场耦合和电场耦
口 O在一次侧串联电路36中，第一及第二电感元件Li、L2相互以相同相位进行耦合，在二次侧串联电路37中，第三及第四电感元件L3、L4相互以相同相位进行耦合，各自形成闭合磁路。因此，能减少第一电感元件Ll与第二电感元件L2之间、以及第三电感元件L3与第四电感元件L4之间的能量损耗。另外，若使第一及第二电感元件Li、L2的电感值、第三及第四电感元件L3、L4的电感值实质上为相同元件值，则闭合磁路的泄漏磁场减少，能进一步减少能量损耗。此外，由于通过接地导体68，第三电感元件L3及第四电感元件L4进行电场耦合，因此，因该电场耦合而流过的位移电流增强了元件L3、L4之间的耦合度。同样地，通过在元件Li、L2之间产生电场耦合，能增强元件Li、L2之间的耦合度。此外，由一次侧串联电路36中的一次电流所激励的磁场C、和由二次侧串联电路37中的二次电流所激励的磁场D，是以通过感应电流抵消彼此之间的磁场的方式产生。通过利用感应电流来减少能量损耗，第一及第三电感元件Li、L3、以及第二及第四电感元件L2、L4以高耦合度进行耦合。即，一次侧串联电路36和二次侧串联电路37通过高耦合度进行耦合。另外，稳频电路35的电感值优选小于连接两个发射元件11、21的连接线33的电感值。这是由于能减少与频率特性相关的连接线33的电感值的影响。通过使第一及第二电感元件Li、L2、第三及第四电感元件L3、L4以相同相位进行耦合，能减少稳频电路35的电感值。根据以上那样的本实施例，由于一次侧串联电路36和二次侧串联电路37利用闭合磁路与闭合磁路之间的耦合(电磁场耦合)，因此，通过一次侧串联电路36实现与供电电路30 —侧的阻抗匹配，并通过二次侧串联电路37实现与第一发射元件11 一侧的阻抗匹配，从而能在一次侧和二次侧独立地进行阻抗匹配。而且，由于高频信号能量的传输效率提高，因此，不会受到发射元件11、21和壳体10、20的形状、开关状态等的较大影响，能在宽频带内稳定高频信号的频率特性。接下来，参照图7，说明稳频电路35的第二示例。该第二示例与上述第一示例采用基本相同的结构，与第一示例的不同点在于省略基材层51a而在基材层51b上形成导体61，以及省略接地导体68而在基材层51h上形成连接用导体69。在本第二示例中，由于省略了接地导体68，因此，优选在装载该层叠体40的印刷布线基板上设置与接地导体68相当的屏蔽用导体。(实施例2、参照图8 图10)在图8中表示实施例2的天线装置。这里所使用的稳频电路35是在上述一次侧串联电路36和二次侧串联电路37的基础上设置又一个二次侧串联电路38 ( 二次侧电抗电路)的电路。构成二次侧串联电路38的第五电感元件L5和第六电感元件L6相互以相同相位进行耦合。第五电感元件L5与第一电感元件Ll以相反相位进行耦合，第六电感元件L6与第二电感元件L2以相反相位进行耦合。第五电感元件L5的一端与第一发射元件11相连接，第六电感元件L6的一端与第二发射元件21相连接。参照图9，说明将该稳频电路35作为层叠体40而构成的第三示例。该第三示例是在上述第一示例所示的层叠体40上，进一步层叠形成有成为二次侧串联电路38的第五及第六电感元件L5、L6的导体71、72、73的基材层51i、51j。即，与上述第一 第四电抗元件相同，分别由第五及第六电感元件L5、L6构成第五及第六电抗元件，利用线圈图案形成该第五及第六电感元件L5、L6，并且，将构成第五及第六电感元件L5、L6的线圈图案以该电感元件L5、L6所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕。本实施例2和层叠体40的第三示例的动作与上述实施例1和上述第一示例基本相同。在本实施例2中，通过利用两个二次侧串联电路37、38夹着一次侧串联电路36，从一次侧串联电路36到二次侧串联电路37、38的高频信号的能量传输损耗减少。接下来，参照图10，说明将该稳频电路35作为层叠体40而构成的第四示例。该第四示例在上述第三示例的层叠体40上进一步层叠设置有接地导体74的基材层51k。接地导体74与设置在底部的接地导体68相同，具有覆盖由导体71、72、73所形成的线圈的开口的面积。因此，在本第四示例中，通过设置接地导体74，由线圈形成的磁场难以受到来自配置在层叠体40的正上方的各种布线的磁场的影响。这样，即使第一及第三电感元件Li、L3、第二及第四电感元件L2、L4分别以相同相位进行耦合，也能使一次侧串联电路36和二次侧串联电路37进行耦合。(实施例3、参照图11)在图11中表示实施例3的天线装置。这里所使用的稳频电路35具有与上述实施例1基本相同的结构。不同点在于第一电感元件Ll和第三电感元件L3相互以相同相位进行耦合，第二电感元件L2和第四电感元件L4相互以相同相位进行耦合。即，第一及第三电感元件Li、L3主要通过磁场进行耦合，第二及第四电感元件L2、L4主要通过磁场进行耦合。本实施例3的作用效果与实施例1基本相同。通过使构成各电感元件Ll L4的线圈图案像这样进行卷绕，由于形成有在电感元件Ll与电感元件L2之间形成的闭合磁路(第一闭合磁路)、在电感元件L3与电感元件L4之间形成的闭合磁路(第二闭合磁路)、由该第一闭合磁路和第二闭合磁路形成的闭合磁路(第三闭合磁路)，因此，能将各电感元件Ll L4中的高频信号的损耗抑制在最低限度。(实施例4、参照图12)在图12中表示实施例4的天线装置。这里所使用的稳频电路35与实施例1相同，其作用效果与实施例1相同。与实施例1的不同点在于在稳频电路35与第二发射元件21之间配置有电容元件C4。电容元件C4起到作为用于隔离直流分量、低频分量的偏置隔离(bias cut)用的作用，还起到作为ESD应对元件的作用。(实施例5、参照图13)在图13中表示实施例5的天线装置。该天线装置是可与GSM方式或CDMA方式对应的多频带对应型移动无线通信系统(800MHz频带、900MHz频带、1800MHz频带、1900MHz频带)所使用的天线装置。这里所使用的稳频电路35是在一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间插入电容元件C5的电路，其他结构与实施例1相同，其作用效果与实施例1基本相同。此外，设置有分岔单极型天线11a、lib作为发射元件。另外，电容元件C5起到作为用于使高频带侧(1800MHz频带、1900MHz频带)的信号主要不通过一次侧串联电路36和二次侧串联电路37而从分岔单极型天线IlaUlb通到供电电路30 (或者相反)的耦合电容器的作用。若由一次侧串联电路36及二次侧串联电路37形成的阻抗比在高频带侧(1800MHz频带、1900MHz频带)和低频带侧(800MHz频带、900MHz频带)的任一侧均进行匹配，则不一定需要设置电容元件C5。该天线装置可用作为移动通信终端的主天线。在该分岔单极型天线IlaUlb中，天线Ila主要起到作为高频带侧(1800 MOOMHz频带)的天线发射元件的作用，天线lib主要起到作为低频带侧(800 900MHz频带)的天线发射元件的作用。这里，分岔单极型天线IlaUlb在各自的对应频带作为天线无需进行谐振。这是由于稳频电路35使天线11a、lib所具有的特性阻抗与RF电路的阻抗相匹配。例如，稳频电路35在800 900MHz频带下，使天线lib所具有的特性阻抗与RF电路的阻抗(通常为50 Ω )相匹配。由此，可从天线lib发送RF电路的信号，或利用天线lib接收给RF电路的信号。另外，在这样相距较大的多个频带实现阻抗匹配的情况下，也可以将多个稳频电路35并联配置等，在各自的频带实现阻抗匹配。此外，也可以使多个二次侧串联电路37与一次侧串联电路36进行耦合，利用多个二次侧串联电路37实现在各自的频带的阻抗匹配。(实施例6、参照图14及图15)如图14㈧所示，实施例6的天线装置所使用的稳频电路35由与供电电路30相连接的一次侧电抗电路、以及通过电场或磁场与该一次侧电抗电路进行耦合的二次侧电抗电路构成。一次侧电抗电路由包括第一电抗元件以及与该第一电抗元件串联连接的第二电抗元件的一次侧串联电路36构成。二次侧电抗电路由包括与第一电抗元件耦合的第三电抗元件、以及与该第三电抗元件串联连接且与第二电抗元件耦合的第四电抗元件的二次侧串联电路37构成。具体而言，第一电抗元件由第一电感元件Ll构成，第二电抗元件由第二电感元件L2构成，第三电抗元件由第三电感元件L3构成，第四电抗元件由第四电感元件L4构成。一次侧串联电路36的一端(第一电感元件Ll的一端)与供电电路30相连接，二次侧串联电路37的一端(第三电感元件L3的一端)与第一发射元件11相连接。一次侧串联电路36的另一端(第二电感元件L2的另一端)以及二次侧串联电路37的另一端(第四电感元件L4的另一端)与第二发射元件21相连接。如图14(B)所示，第一电感元件Ll与第二电感元件L2相互以相反相位进行耦合，同样地，第三电感元件L3和第四电感元件L4相互以相反相位进行耦合。此外，第一电感元件Ll和第三电感元件L3相互以相反相位进行耦合，同样地，第二电感元件L2和第四电感元件L4相互以相反相位进行耦合。在采用以上结构的稳频电路35中，从供电电路30流入到一次侧串联电路36的高频信号电流导向第一电感元件Li，并且，在各电感元件由线圈图案形成的情况下，通过感应磁场作为二次电流导向第三电感元件L3。此外，导向第二电感元件L2的高频信号电流通过感应磁场作为二次电流导向第四电感元件L4。其结果是，高频信号电流沿图14(B)中箭头所示的方向流动。在本实施例6的结构中，第一电感元件Ll和第二电感元件L2以相互增强磁场的方式进行动作，并且，第三电感元件L3和第四电感元件L4也以相互增强磁场的方式进行动作，一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间的磁场形成闭合磁路。因而，特别是如图15所示，通过利用包括电感元件L3和电感元件L4的串联电路的第一二次侧串联电路37、以及包括电感元件L5和电感元件L6的串联电路的第二二次侧串联电路38夹着一次侧串联电路36，能减少从二次侧串联电路37、38到一次侧串联电路36的高频信号的能量传输损耗。另外，本应用例的结构还改变了图8所示的天线装置、以及电感元件L2、L4、L6的卷绕方向。(高频器件的第一示例、参照图16 图18)高频器件135可作为图16所示的贴片型的层叠体140而构成。该层叠体140是将由介质或磁性体形成的多个基材层进行层叠的部件，在其背面设置有与供电电路30相连接的供电端子141、与第二发射体21相连接的接地端子142、以及与第一发射体11相连接的天线端子143。除此之外，在背面还设置有用于安装的NC端子144。另外，在层叠体140的表面也可根据需要装载阻抗匹配用的电感或电容器。此外，也可以在层叠体140内利用电极图案形成电感或电容器。这里，参照图17，说明内置于上述层叠体140的高频器件135的第一示例。在该第一示例中，在第一层的基材层151a上形成有上述各种端子141、142、143、144，在第二层的基材层151b上形成有成为第一及第三电感元件L1、L3的导体161、163，在第三层的基材层151c上形成有成为第二及第四电感元件L2、L4的导体162、164。作为导体161 164，可将以银或铜等导电性材料作为主要成分的糊料进行丝网印刷、或对金属箔进行蚀刻等而形成。作为基材层151a 151c，若是介质，则可使用玻璃陶瓷材料、环氧类树脂材料等，若是磁性体，则可使用铁氧体陶瓷材料或含有铁氧体的树脂材料等。通过层叠上述基材层151a 151c，各自的导体161 164以及端子141、142、143通过层间连接导体(过孔导体)相连接，形成上述图14(A)所示的等效电路。即，供电端子141通过过孔导体16 与导体161 (第一电感元件Li)的一端相连接，导体161的另一端通过过孔导体16 与导体162(第二电感元件I^)的一端相连接。导体162的另一端通过过孔导体165c与接地端子142相连接，分岔后的导体164(第四电感元件L4)的另一端通过过孔导体165d与导体163(第三电感元件L3)的一端相连接。导体163的另一端通过过孔导体16 与天线端子143相连接。像以上那样，通过将电感元件Ll L4内置于由介质或磁性体形成的层叠体140，特别是将成为一次侧串联电路36和二次侧串联电路37的耦合部的区域设置在层叠体140的内部，从而高频器件135难以受到来自与层叠体140相邻配置的其他电子元件的影响。其结果是，能实现频率特性的进一步稳定。此外，通过将第一电抗元件Ll和第三电抗元件L3设置在层叠体140的同一层(基材层151b)，将第二电抗元件L2和第四电抗元件L4设置在层叠体140的同一层(基材层151c)，从而层叠体140(高频器件13 的厚度变薄。此外，由于可通过同一工序(例如，导电性糊料的涂布)来分别形成相互耦合的第一电抗元件Ll和第三电抗元件L3、以及第二电抗元件L2和第四电抗元件L4，因此，可抑制因层叠偏移等而引起的耦合度的偏差，提高可靠性。在第一示例的高频器件135中，如图18所示，从供电端子141输入的高频信号电流在第一及第二电感元件L1、L2(导体161、16幻中像箭头a所示的那样流动。通过由该一次电流(箭头a)产生的磁场，在第三及第四电感元件L3、L4(导体163、164)中激励出箭头b所示的高频信号电流，流过感应电流(二次电流)。另一方面，若流过第一及第二电感元件L1、L2(导体161、162)的电流的方向与箭头a相反，则在第三及第四电感元件L3、L4 (导体163、164)中流过方向与箭头b相反的电流。在一次侧串联电路36中，第一及第二电感元件Li、L2相互以相反相位进行耦合，在二次侧串联电路37中，第三及第四电感元件L3、L4相互以相反相位进行耦合，各自形成闭合磁路。因此，能减少能量损耗。另外，若使第一及第二电感元件Li、L2的电感值、第三及第四电感元件L3、L4的电感值实质上相同，则闭合磁路的泄漏磁场减少，能进一步减少能量损耗。此外，由一次侧串联电路36中的一次电流所激励的磁场、和由二次侧串联电路37中的二次电流所激励的磁场，是以通过感应电流抵消彼此之间的磁场的方式产生。通过利用感应电流来减少能量损耗，第一及第三电感元件Li、L3、以及第二及第四电感元件L2、L4以高耦合度进行耦合。即，一次侧串联电路36和二次侧串联电路37通过高耦合度进行耦
14口 O另外，高频器件135的电感值优选小于连接线33的电感值。这是由于能减少连接线33的电感值的影响。通过使第一及第二电感元件L1、L2、第三及第四电感元件L3、L4以相反相位进行耦合，能减少高频器件135的电感值。根据以上那样的本第一示例，由于一次侧串联电路36和二次侧串联电路37利用电磁场(闭合磁路)进行耦合，因此，通过一次侧串联电路36实现与供电电路30 —侧的阻抗匹配，并通过二次侧串联电路37实现与第一发射体11 一侧的阻抗匹配，从而能在一次侧和二次侧独立地进行阻抗匹配。而且，由于高频信号能量的传输效率提高，因此，不会受到发射体11、21和壳体10、20的形状、开关状态等的较大影响，能在宽频带内稳定高频信号的频率特性。此外，通过将第一电抗元件Ll和第三电抗元件L3设置在同一层，将第二电抗元件L2和第四电抗元件L4设置在同一层，从而层叠体40的厚度变薄，可抑制因层叠偏移等而引起的耦合度的偏差，提高可靠性。(高频器件的第二示例、参照图19)接下来，参照图19，说明高频器件的第二示例。在第一层的基材层171a上形成有上述各种端子141、142、143、144，在第二层的基材层171b上形成有导体17h、172b。在第三层的基材层171c上，各形成有两匝成为第一及第三电感元件Li、L3的导体173、175，在第四层的基材层171d上，各形成有两匝成为第二及第四电感元件L2、L4的导体174、176。通过层叠上述基材层171a 171d，各自的导体173 176以及端子141、142、143通过层间连接导体(过孔导体)相连接，形成上述图14㈧所示的等效电路。即，供电端子141通过过孔导体177a与导体173 (第一电感元件Li)的一端相连接，导体173的另一端通过过孔导体177b与导体174(第二电感元件L2)的一端相连接。导体174的另一端通过过孔导体177c、导体172a、以及过孔导体177d与接地端子142相连接，导体17 的另一端通过过孔导体177e与导体176(第四电感元件L4)的一端相连接，导体176的另一端通过过孔导体177f与导体175(第三电感元件U)的一端相连接。导体175的另一端通过过孔导体177g、导体172b、以及过孔导体17 与天线端子143相连接。在第二示例的高频器件中，也起到与上述第一示例相同的作用效果。一次电流(箭头a)与二次电流(箭头b)的关系如图19所示的那样。特别是在第二示例中，将形成电感元件Ll L4的导体173 176各卷绕两阻，若线圈的匝数增多，则能增大电感值。当然，也可以是三匝以上，或者，也可以使各线圈跨过多层进行卷绕。(高频器件的第三示例、参照图20)接下来，参照图20，说明高频器件的第三示例。该第三示例是如下示例在作为上述第一示例而示出的层叠体140的基材层151a、151b之间，层叠设置有接地导体166的基材层151d，并且，在基材层151c下层叠设置有接地导体167的基材层151e。S卩，供电端子141通过过孔导体165a、设置于基材层151d的导体168、以及过孔导体165f与导体161(第一电感元件Li)的一端相连接，导体161的另一端通过过孔导体16 与导体162(第二电感元件L2)的一端相连接。导体162的另一端通过过孔导体165c与接地导体166的一端部相连接，接地导体166的另一端部通过过孔导体16 与接地端子142相连接。此外，导体162的另一端通过过孔导体165g与接地导体167相连接。从导体162分岔的导体164(第四电感元件L4)的另一端通过过孔导体165d与导体163 (第三电感元
1件L3)的一端相连接。导体163的另一端通过过孔导体16 与天线端子143相连接。在第三示例的高频器件中，也起到与上述第一示例相同的作用效果。特别是在第三示例中，通过在层叠体140的上部和底部将接地导体166、167设置成覆盖由导体161 164形成的线圈的开口，使得由线圈产生的磁场难以受到来自印刷布线基板上的各种布线的磁场的影响。换言之，电感元件Ll L4的L值难以产生偏差。(实施例7、参照图21及图22)在图21 (A)中表示实施例7的天线装置。这里所使用的稳频电路135采用基本与图2(A)所示的稳频电路35相同的结构，还在一次侧串联电路36与二次侧串联电路37之间(在第一电感元件Ll的一端与第三电感元件L3的一端之间)连接有电容元件C11，且将电容元件C12与第三电感元件L3及第四电感元件L4并联连接。此外，如图21(B)所示，除了上述电容元件Cll、C12之外，还可将电容元件C13与第一电感元件Ll及第二电感元件L2并联连接。图21(A)所示的高频器件135(第四示例)是作为图22所示的层叠体140而构成。在该层叠体140中，设置有导体161、163(电感元件Li、L3)的基材层151b以及设置有导体162、164(电感元件L2、L4)的基材层151c与图17所示的基材层相同。在基材层151a、151b之间层叠有基材层151f、151g、151h。在基材层151f上形成有电容电极181，在基材层151g上形成有电容电极182和导体183，在基材层151h上形成有接地导体184。通过层叠基材层151a 151h，在电容电极181、182之间形成电容元件C11，在电容电极182与接地导体184之间形成电容元件C12。更详细而言，供电端子141通过过孔导体165j与电容电极181相连接，且通过过孔导体165i与导体183的一端相连接。导体183的另一端通过过孔导体165f与导体161 (第一电感元件Li)的一端相连接，导体161的另一端通过过孔导体16 与导体162(第二电感元件I^)的一端相连接。导体162的另一端通过过孔导体165c与接地导体184的一端部相连接，接地导体184的另一端部通过过孔导体16 与接地端子142相连接。此外，从导体162分岔的导体164(第四电感元件L4)的另一端通过过孔导体165d与导体163(第三电感元件U)的一端相连接。导体163的另一端通过过孔导体16 与天线端子143相连接。过孔导体16 在基材层151g与电容电极182相连接。在该高频器件135的第四示例中，可通过电容元件Cll的电容值来调整一次侧串联电路36与二次侧串联电路37的耦合度。此外，可通过电容元件C12的电容值来调整二次侧串联电路37的谐振频率。在图21(B)所示的变形例中，可通过电容元件C13的电容值来调整一次侧串联电路36的谐振频率。(实施例8、参照图23及图在图23中表示实施例8的天线装置。这里所使用的稳频电路是在上述一次侧串联电路36和二次侧串联电路37的基础上设置又一个一次侧串联电路38 ( 一次侧电抗电路)的电路。构成一次侧串联电路38的第五电感元件L5和第六电感元件L6相互以相反相位进行耦合。第五电感元件L5与第一电感元件Ll以相反相位进行耦合，第六电感元件L6与第二电感元件L2以相反相位进行耦合。第三电感元件L3的一端与第一发射体11相连接，第四电感元件L4的一端与第二发射体21相连接。参照图对，说明该高频器件135(第五示例)。该第五示例在第一层的基材层181a上形成有上述各种端子141、142、143、144，在第二层的基材层181b上形成有导体197、198、199。在第三层的基材层181c上形成有成为第一、第三、以及第五电感元件Li、L3、L5的导体191、193、195，在第四层的基材层181d上形成有成为第二、第四、以及第六电感元件L2、L4、L6的导体192、194、196。由导体191、195夹着导体193，由导体192、196夹着导体194。通过层叠上述基材层181a 181d，各自的导体197 199、191 196、以及端子141、142、143通过层间连接导体(过孔导体)相连接，形成图23所示的等效电路。S卩，供电端子141通过过孔导体201a与导体197的中间部相连接，导体197的一端通过过孔导体201b与导体191(第一电感元件Li)的一端相连接，导体191的另一端通过过孔导体201c与导体192(第二电感元件L2)的一端相连接。导体192的另一端通过过孔导体201d与接地端子142相连接。过孔导体201d在基材层181b与导体198的一端相连接，导体198的另一端通过过孔导体201e与导体196(第六电感元件L6)的一端相连接。导体196的另一端通过过孔导体201f与导体195(第五电感元件L5)的一端相连接，导体195的另一端通过过孔导体201g与导体197的另一端相连接。S卩，第五电感L5的另一端通过过孔导体201g、导体197、以及过孔导体201a与供电端子141相连接。另一方面，与接地端子142相连接的上述导体198通过过孔导体201h与导体194 (第四电感元件L4)的一端相连接，导体194的另一端通过过孔导体201i与导体193 (第三电感元件L3)的一端相连接。导体193的另一端通过过孔导体201 j与导体199的一端相连接，导体199的另一端通过过孔导体201k与天线端子143相连接。本实施例8和层叠体140的第五示例的动作与上述实施例1和上述第一示例基本相同。在本实施例8中，通过利用两个一次侧串联电路36、38夹着二次侧串联电路37，可提高电路36与电路37、38的耦合度，高频信号的能量传输损耗减少。另外，也可以是利用两个二次侧串联电路夹着一次侧串联电路的结构。(实施例9、参照图25 图27)在图25中表示实施例9的天线装置。这里所使用的高频器件135具有基本与上述实施例1相同的结构。不同点在于第一电感元件Ll和第三电感元件L3相互以相同相位进行耦合，第二电感元件L2和第四电感元件L4相互以相同相位进行耦合。即，第一及第三电感元件Li、L3主要通过磁场进行耦合，第二及第四电感元件L2、L4主要通过磁场进行耦合。本实施例9的作用效果与实施例1基本相同。在图沈中表示高频器件135的第六示例。该第六示例具有与图17所示的第一示例基本相同的结构，其不同点在于导体161(第一电感元件Li)和导体162(第二电感元件L2)配置在导体163(第三电感元件U)和导体164(第四电感元件L4)的内侧。此外，与该配置相对应，在基材层151a上供电端子141和天线端子142的配置交换。在第六示例的高频器件135中，高频信号电流(一次电流)像图27中箭头a所示的那样流动，感应电流(二次电流)像箭头b所示的那样流动。这点与图18所说明的一样。(实施例10、参照图28 图32)如图28 (A)所示，实施例10的阻抗变换元件235由与端子PI、P2相连接的一次侧串联电路236、以及通过电场或磁场与该一次侧串联电路236进行耦合的二次侧串联电路237构成。一次侧串联电路236包括第一线圈元件L11、以及与该第一线圈元件Lll串联连接的第二线圈元件L12。二次侧串联电路237包括与第一线圈元件Lll耦合的第三线圈元件L13、以及与该第三线圈元件L13串联连接且与第二线圈元件L12耦合的第四线圈元件L14。一次侧串联电路236的一端(第一线圈元件Lll的一端)与端子Pl相连接，二次侧串联电路237的一端(第三线圈元件L13的一端)与端子P3相连接。一次侧串联电路236的另一端(第二线圈元件L12的另一端)与端子P2相连接，二次侧串联电路237的另一端(第四线圈元件L14的另一端)与端子P4相连接。如图28(B)所示，第一线圈元件Lll与第二线圈元件L12相互以相反相位进行耦合，同样地，第三线圈元件L13和第四线圈元件L14相互以相反相位进行耦合。此外，第一线圈元件Lll和第三线圈元件L13相互以相反相位进行耦合，同样地，第二线圈元件L12和第四线圈元件L14相互以相反相位进行耦合。在采用以上结构的阻抗变换元件235中，从端子Pl流入到一次侧串联电路236的高频信号电流导向第一线圈元件L11，并且，在各线圈元件由线圈图案形成的情况下，通过感应磁场作为二次电流导向第三线圈元件L13。此外，导向第二线圈元件L12的高频信号电流通过感应磁场作为二次电流导向第四线圈元件L14。其结果是，高频信号电流沿图观(B)中箭头所示的方向流动。在本实施例10的结构中，第一线圈元件Lll和第二线圈元件L12以相互减弱磁场的方式进行动作，并且，第三线圈元件L13和第四线圈元件L14也以相互减弱磁场的方式进行动作，一次侧串联电路236与二次侧串联电路237之间的磁场形成闭合磁路。此外，因第一线圈元件Lll与第三线圈元件L13之间的电场耦合而流过的电流、与因第一线圈元件Lll与第三线圈元件L13之间的磁场耦合而流过的电流沿同一方向流动，以这样的方式产生电磁场耦合。在第二线圈元件L12与第四线圈元件L14之间也同样，因电场耦合而流过的电流、与因磁场耦合而流过的电流沿同一方向流动，以这样的方式产生电磁场耦合。此外，第一线圈元件Lll和第二线圈元件L12通过未图示的电极图案进行电容耦合，使得电流沿与图示电流的方向相同的方向流动。第三线圈元件L13和第四线圈元件L14也同样地通过未图示的电极图案进行电容耦合，使得电流沿与图示电流的方向相同的方向流动。这里，说明上述阻抗变换元件235中的各线圈元件Ll L4的具体结构。图四表示线圈元件Ll L4的示意性结构，图32表示更具体的结构。首先，参照图31和图32说明具体的结构。阻抗变换元件235可作为图31所示的贴片型的层叠体240而构成。该层叠体240是将由介质或磁性体形成的多个基材层进行层叠的部件，在其背面还设置有端子Pl P4、用于安装的NC端子P5。这里，参照图四和图32，说明内置于上述层叠体MO的阻抗变换元件235的具体例。该具体例与图5所示的层叠结构基本相同，并标注有与图5相同的标号。S卩，在最上层的基材层51a上形成有导体61，在第二层的基材层51b上形成有成为第一及第二线圈元件Lll、L12的导体62，在第三层的基材层51c上形成有成为第一及第二线圈元件Lll、L12的两个导体63、64。在第四层的基材层51d上形成有成为第三及第四线圈元件L13、L14的两个导体65、66，在第五层的基材层51e上形成有成为第三及第四线圈元件L13、L14的导体67。此外，在第六层的基材层51f上形成有导体68，在第七层的基材层51g的背面形成有端子Pl P4。另外，在最上层的基材层51a上层叠有未图示的无图案基材层。通过层叠上述基材层51a 51g，各自的导体61 68以及端子Pl P4通过层间连接导体(过孔导体)相连接，形成图^(A)所示的等效电路。即，端子Pl通过过孔导体45a、导体61、以及过孔导体4 与线圈图案63的一端相连接，线圈图案63的另一端通过过孔导体45c与线圈图案62a的一端相连接。此外，线圈图案6 的另一端与线圈图案62b的一端相连接，线圈图案62b的另一端通过过孔导体45d与线圈图案64的一端相连接。线圈图案64的另一端通过过孔导体4 与导体68相连接，导体68通过过孔导体45f与端子P2相连接。即，利用线圈图案63以及线圈图案6 构成第一线圈图案、即线圈元件L11，利用线圈图案62b以及线圈图案64构成第二线圈图案、即线圈元件L12。此外，端子P3通过过孔导体45g与线圈图案65的一端相连接，线圈图案65的另一端通过过孔导体45h与线圈图案67a的一端相连接。此外，线圈图案67a的另一端与线圈图案67b的一端相连接，线圈图案67b的另一端通过过孔导体45i与线圈图案66的一端相连接。线圈图案66的另一端通过过孔导体45j与端子P4相连接。即，利用线圈图案65以及线圈图案67a构成第三线圈图案、即线圈元件L13，利用线圈图案67b以及线圈图案66构成第四线圈图案、即线圈元件L14。而且，如图四和图32所示，第一及第二线圈图案以第一线圈图案的卷绕轴和第二线圈图案的卷绕轴成平行的方式相邻配置，第三及第四线圈图案以第三线圈图案的卷绕轴和第四线圈图案的卷绕轴成平行的方式相邻配置。此外，第一及第三线圈图案配置成第一线圈图案的卷绕轴和第三线圈图案的卷绕轴大体成为同一直线，第二及第四线圈图案配置成第二线圈图案的卷绕轴和第四线圈图案的卷绕轴大体成为同一直线。另外，虽然各线圈图案利用一匝的环状导体来构成，但也可以利用多匝的环状导体来构成。此外，第一及第三线圈图案无需配置成各线圈图案的卷绕轴严格地成为同一直线，只要在俯视时第一及第三线圈图案的线圈开口相互重叠、即公共的磁通通过各线圈图案那样卷绕即可。同样地，第二及第四线圈图案无需配置成各线圈图案的卷绕轴严格地成为同一直线，只要在俯视时第二及第四线圈图案的线圈开口相互重叠、即公共的磁通通过各线圈图案那样卷绕即可。像以上那样，通过将线圈元件Lll L14内置于由介质或磁性体形成的层叠体M0，特别是将成为一次侧串联电路236和二次侧串联电路237的耦合部的区域设置在层叠体240的内部，从而构成阻抗变换元件235的元件的元件值、甚至一次侧串联电路236和二次侧串联电路237的耦合度难以受到来自与层叠体240相邻配置的其他电子元件的影响。在实施例10的阻抗变换元件235中，如图30所示，从端子Pl输入的高频电流像箭头a所示的那样流动，像箭头c、d所示的那样导向第一线圈元件Lll (导体62、63)，并进一步像箭头e、f所示的那样导向第二线圈元件L12 (导体62、64)，从端子P2像箭头1所示的那样流出。通过由一次电流(箭头c、d)产生的磁场C，在第三线圈元件L13(导体65、67)中像箭头g、h所示的那样激励出高频电流，流过感应电流(二次电流)。同样地，通过由一次电流(箭头e、f)产生的磁场C，在第四线圈元件L14(导体66、67)中像箭头i、j所示的那样激励出高频电流，流过感应电流(二次电流)。其结果是，箭头k所示的高频电流流过端子P3，箭头m所示的高频电流流过端子P4。另外，若流过端子Pl的电流(箭头a)是
19相反方向，则其他电流也沿相反方向流动。此外，因第一线圈元件Lll与第三线圈元件L13之间的电场耦合而流动的位移电流沿与感应电流相同的方向流动。此外，对于第二线圈元件L12与第四线圈元件L14也同样，因各自的电场耦合而流动的位移电流沿与感应电流相同的方向流动。此外，第一线圈元件Lll和第二线圈元件L12通过未图示的电极图案进行电容耦合，电流沿与一次电流(箭头d、e)相同的方向流动。第三线圈元件L13和第四线圈元件L14也同样地通过未图示的电极图案进行电容耦合，电流沿与二次电流(箭头h、i)相同的方向流动。在一次侧串联电路236中，第一及第二线圈元件Lll、L12相互以相反相位进行耦合，在二次侧串联电路237中，第三及第四线圈元件L13、L14相互以相反相位进行耦合，各自形成闭合磁路。因此，能减少第一线圈元件Lll与第二线圈元件L12之间、以及第三线圈元件L13与第四线圈元件L14之间伴随着阻抗变换的能量损耗。另外，若使第一及第二线圈元件L11、L12的电感值、第三及第四线圈元件L13、L14的电感值实质上为相同元件值，则闭合磁路的泄漏磁场减少，能进一步减少能量损耗。此外，由一次侧串联电路236中的一次电流所激励的磁场C、和由二次侧串联电路237中的二次电流所激励的磁场D，是以通过感应电流抵消彼此之间的磁场的方式产生。通过利用感应电流来减少能量损耗，第一及第三线圈元件L11、L13、以及第二及第四线圈元件L12、L14以高耦合度进行耦合。即，一次侧串联电路236和二次侧串联电路237通过高耦合度进行耦合。(实施例11、参照图33及图34)在图33中表示实施例11的阻抗变换元件235。该阻抗变换元件235是在上述一次侧串联电路236和二次侧串联电路237的基础上设置又一个二次侧串联电路238的元件。构成二次侧串联电路238的第五线圈元件L15和第六线圈元件L16相互以相反相位进行耦合。第五线圈元件L15与第一线圈元件Lll以相反相位进行耦合，第六线圈元件L16与第二线圈元件L12以相反相位进行耦合。第五线圈元件L15的一端与端子P3相连接，第六线圈元件L16的一端与端子P4相连接。参照图34，说明将该阻抗变换元件235作为层叠体240而构成的具体例。该具体例是在上述图32所示的层叠体240上，进一步层叠形成有成为二次侧串联电路238的第五及第六线圈元件L15、L16的导体71、72、73的基材层51i、51j。即，与上述第一 第四线圈元件Lll L14相同，利用线圈图案形成第五及第六线圈元件L15、L16，并且，将构成第五及第六线圈元件L15、L16的线圈图案以该线圈元件L15、L16所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕。本实施例11的动作与上述实施例10基本相同。在本实施例11中，通过利用两个二次侧串联电路237、238夹着一次侧串联电路236，从一次侧串联电路236到二次侧串联电路237、238的高频电流的能量传输损耗减少。(实施例12、参照图35及图36)实施例12的阻抗变换元件235是作为图35所示的贴片型的层叠体240而构成。该层叠体240是将由介质或磁性体形成的多个基材层进行层叠的部件，其结构与图17所示的层叠体140基本相同，标注与图17相同的标号。即，在第一层的基材层151a上形成有端子Pl P4，在第二层的基材层151b上形成有成为第一及第三线圈元件L11、L13的导体161、163，在第三层的基材层151c上形成有成为第二及第四线圈元件L12、L14的导体162、164。作为导体161 164，可将以银或铜等导电性材料作为主要成分的糊料进行丝网印刷、或对金属箔进行蚀刻等而形成。作为基材层151a 151c，若是介质，则可使用玻璃陶瓷材料、环氧类树脂材料等，若是磁性体，则可使用铁氧体陶瓷材料或含有铁氧体的树脂材料等。通过层叠上述基材层151a 151c，各自的导体161 164以及端子Pl P4通过层间连接导体(过孔导体)相连接，形成上述图^(A)所示的等效电路。即，端子Pl通过过孔导体16 与导体161 (第一线圈元件Lll)的一端相连接，导体161的另一端通过过孔导体16 与导体162(第二线圈元件L12)的一端相连接。导体162的另一端通过过孔导体165c与端子P2相连接。导体163(第三线圈元件L13)的一端通过过孔导体16 与端子P3相连接，导体163的另一端通过过孔导体165d与导体164 (第四线圈元件L14)的一端相连接，导体164的另一端通过过孔导体165f与端子P4相连接。在本实施例12中，通过将第一线圈元件Lll和第三线圈元件L13设置在层叠体240的同一层(基材层151b)，将第二线圈元件L12和第四线圈元件L14设置在层叠体240的同一层(基材层151c)，从而层叠体240的厚度变薄。此外，由于可通过同一工序(例如，导电性糊料的涂布)来分别形成相互耦合的第一线圈元件Lll和第三线圈元件L13、以及第二线圈元件L12和第四线圈元件L14，因此，可抑制因层叠偏移等而引起的耦合度的偏差，提高可靠性。在该阻抗变换元件235中，如图36所示，从端子Pl输入的高频电流在第一及第二线圈元件L11、L12(导体161、162)中像箭头a所示的那样流动。通过由该一次电流(箭头a)产生的磁场，在第三及第四线圈元件L13、L14(导体163、164)中激励出箭头b所示的高频电流，流过感应电流(二次电流)。另一方面，若流过第一及第二线圈元件L11、L12(导体161,162)的电流的方向与箭头a相反，则在第三及第四线圈元件L13、L14 (导体163、164)中流过方向与箭头b相反的电流。在一次侧串联电路236中，第一及第二线圈元件Lll、L12相互以相反相位进行耦合，在二次侧串联电路237中，第三及第四线圈元件L13、L14相互以相反相位进行耦合，各自形成闭合磁路。因此，能减少能量损耗。另外，若使第一及第二线圈元件L11、L12的电感值、第三及第四线圈元件L13、L14的电感值实质上相同，则闭合磁路的泄漏磁场减少，能进一步减少能量损耗。此外，由一次侧串联电路236中的一次电流所激励的磁场、和由二次侧串联电路237中的二次电流所激励的磁场，是以通过感应电流抵消彼此之间的磁场的方式产生。通过利用感应电流来减少能量损耗，第一及第三线圈元件L11、L13、以及第二及第四线圈元件L12、L14以高耦合度进行耦合。即，一次侧串联电路236和二次侧串联电路237通过高耦合度进行耦合。(实施例13、参照图37)实施例13的阻抗变换元件235是如下元件如图37所示，在层叠体MO内，将第一线圈元件Lll和第二线圈元件L12靠近配置在同一平面上，并将第三线圈元件L13和第四线圈元件L14靠近配置在同一平面上，各线圈元件Lll L14分别卷绕三匝。此外，第一线圈元件Lll的卷绕轴与第三线圈元件L13的卷绕轴配置在大体同一直线上，第二线圈元件L12的卷绕轴与第四线圈元件L14的卷绕轴配置在大体同一直线上。本实施例13的等效电路与图^(A)所示的实施例10相同，其作用效果也与实施例10相同。特别是在实施例13中，通过增加线圈元件Lll L14的匝数，提高耦合值。(其他实施例)另外，本实用新型所涉及的高频器件及通信终端设备不限于上述实施例，可以在其要点范围内进行各种变更。例如，本实用新型不仅用于移动数字电视或对应多频带的移动无线通信系统，还可用于蓝牙或W-LAN之类的近距离无线系统(2. 4GHz频带)、GPS系统(1. 5GHz频带)等各种通信系统。此外，稳频电路、高频器件的方式除作为贴片型的层叠体而构成之外，也可作为与带状线路等其他元件形成一体化的模块、装载或内置于设置有发射元件的印刷布线基板的模块而构成。此外，稳频电路、高频器件除将一次侧串联电路和二次侧串联电路设置成一套以外，还可组合多套而形成为多级。也可将像实施例2所示那样的利用二次侧串联电路夹着一次侧串联电路的结构作为一套而形成为多级。通过形成为多级，能减少高频信号的能量传输损耗，使回程损耗(return loss)急剧衰减。此外，一次侧串联电路、二次侧串联电路中的线圈元件(电抗元件)的元件数量也可为三个以上。作为供电方式，在将第一发射元件及第二发射元件分别视为发射元件的情况下是平衡供电型，在将第一发射元件视为发射元件、将第二发射元件视为接地的情况下是非平衡供电型。此外，上述阻抗变换元件可用于升压/降压电路、变流/分流电路、平衡-非平衡变换电路等。在上述阻抗变换元件中，通过适当设定一次侧串联电路的电感值和二次侧串联电路的电感值(例如，线圈元件中的环状图案的匝数)，可任意设定阻抗的变换比。工业上的实用性如上所述，本实用新型对于高频器件及通信终端设备是有用的，特别是在稳定高频信号的频率这一点较优。标号说明1、2 便携式通信终端10 第一壳体11 第一发射元件IlaUlb分岔单极型天线20 第二壳体21 第二发射元件30 供电电路35 稳频电路36 一次侧串联电路37、38 二次侧串联电路40 层叠体135 高频器件[0218]140 层叠体235 阻抗变换元件Ll L6 电感元件Lll L16 线圈元件
权利要求1.一种高频器件，其特征在于，包括层叠体，该层叠体是将多个介质层或磁性体层层叠而成；供电端子，该供电端子设置于所述层叠体，并与供电电路相连接；天线端子，该天线端子设置于所述层叠体，并与发射元件相连接；一次侧串联电路，该一次侧串联电路设置于所述层叠体，包括第一线圈元件、以及与该第一线圈元件串联连接的第二线圈元件，并与所述供电端子相连接；以及二次侧串联电路，该二次侧串联电路设置于所述层叠体，包括与所述该第一线圈元件耦合的第三线圈元件、以及与所述第三线圈元件串联连接且与所述第二线圈元件耦合的第四线圈元件，并与所述天线端子相连接，所述第一及第二线圈元件以这些线圈元件所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕，所述第三及第四线圈元件以这些线圈元件所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕。
2.如权利要求1所述的高频器件，其特征在于，所述层叠体还包括接地的接地端子。
3.如权利要求1或2所述的高频器件，其特征在于，还包括电容元件，该电容元件装载于所述层叠体的一个主面。
4.一种通信终端设备，其特征在于，包括高频器件、供电电路、以及发射元件，所述高频器件包括层叠体，该层叠体是将多个介质层或磁性体层层叠而成；供电端子，该供电端子设置于所述层叠体；天线端子，该天线端子设置于所述层叠体；一次侧串联电路，该一次侧串联电路设置于所述层叠体，包括第一线圈元件、以及与该第一线圈元件串联连接的第二线圈元件，并与所述供电端子相连接；以及二次侧串联电路，该二次侧串联电路设置于所述层叠体，包括与所述该第一线圈元件耦合的第三线圈元件、以及与所述第三线圈元件串联连接且与所述第二线圈元件耦合的第四线圈元件，并与所述天线端子相连接，所述第一及第二线圈元件以这些线圈元件所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕，所述第三及第四线圈元件以这些线圈元件所产生的磁场形成闭合磁路的方式进行卷绕，所述供电电路与所述供电端子相连接，所述发射元件与所述天线端子相连接。
专利摘要本实用新型公开一种高频器件及通信终端设备，该高频器件及通信终端设备能不受发射元件或壳体的形状、靠近元器件的配置状况等的影响，稳定高频信号的频率特性。高频器件包括第一及第二发射元件(11、21)、与该发射元件(11、21)分别连接的供电电路(30)、设置在供电电路(30)与第一发射元件(11)之间的稳频电路(35)。稳频电路(35)包括与供电电路(30)相连接的一次侧串联电路(36)、以及通过电场或磁场与该一次侧串联电路(36)进行耦合的二次侧串联电路(37)。第一及第二电感元件(L1、L2)串联连接，第三及第四电感元件(L3、L4)串联连接。第一及第三电感元件(L1、L3)相互耦合，第二及第四电感元件(L2、L4)相互耦合。
文档编号H04B1/38GK202178378SQ20112002909
公开日2012年3月28日 申请日期2011年1月19日 优先权日2010年1月19日
发明者加藤登 申请人:株式会社村田制作所