一种适用于高速串行接口的线性均衡器的制作方法

文档序号:11959938阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种适用于高速串行接口的线性均衡器,包括由第一NMOS晶体管M1,第二NMOS晶体管M2组成的差分输入对管,由第三NMOS晶体管M3,第四NMOS晶体管M4组成的偏置电流源,一对差分输入信号VINP,VINN和一对差分输出信号VOUTP,VOUTN,其特征在于:还包括由可变电阻RS,可变电容CS组成的电容电阻负反馈均衡电路和由电阻RG和第五NMOS晶体管M5组成的有源电感与两个负载电阻RL共同形成输出负载,电容电阻负反馈均衡电路的可变电容CS和有源电感分别产生一个高于通道带宽的零点。

2.根据权利要求1所述的适用于高速串行接口的线性均衡器,其特征在于:所述第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2均为大小相同的NMOS晶体管,第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的漏极分别接一对差分输出信号VOUTN,VOUTP的输出端,第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的栅极分别接一对差分输入信号VINP,VINN的输入端,第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的源极分别接偏置电流源管。

3.根据权利要求1所述的适用于高速串行接口的线性均衡器,其特征在于:所述第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4均为大小相同的NMOS晶体管,第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4的栅极相连并接到共同的偏置电压Vbias,第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4的漏极分别接第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的源极,第三NMOS晶体管M3和第四NMOS晶体管M4的源极均接地。

4.根据权利要求1所述的适用于高速串行接口的线性均衡器,其特征在于:所述电容电阻负反馈均衡电路中可变电阻RS由通过栅极接控制电压Vctrl控制导通关闭的NMOS晶体管阵列组成,可变电容CS由漏极和源极短接的NMOS晶体管阵列组成,可变电阻RS和可变电容CS两端分别连接到第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的源极。

5.根据权利要求4所述的适用于高速串行接口的线性均衡器,其特征在于:所述电容电阻负反馈均衡电路在传输函数所有极点之前产生一个零点,使电路的频率响应在零点之后上升,直至零点的作用被主极点抵消。

6.根据权利要求1所述的适用于高速串行接口的线性均衡器,其特征在于:所述有源电感两端分别接到第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的漏极,两个负载电阻RL一端分别接到第一NMOS晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的漏极,另一端接电源。

7.根据权利要求6所述的适用于高速串行接口的线性均衡器,其特征在于:所述有源电感中电阻RG一端接第一NMOS晶体管M1的漏极,另一端接第五NMOS晶体管M5的栅极;第五NMOS晶体管M5的栅极接电阻RG,第五NMOS晶体管M5的源极接第二NMOS晶体管M2的漏极,第五NMOS晶体管M5的漏极接第一NMOS晶体管M1的漏极。

8.根据权利要求6所述的适用于高速串行接口的线性均衡器,其特征在于:所述有源电感可以引入并联感性负载。

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