技术总结
本实用新型涉及图像像素和图像传感器。所述图像像素包括：具有第一组至少一个光电二极管的第一子像素组；具有第二组至少一个光电二极管的第二子像素组；以及至少一个选通晶体管，所述至少一个选通晶体管在电荷聚积在所述第二光电二极管中时将溢出电荷从所述第二光电二极管路由到至少一个存储节点。本实用新型解决的一个技术问题是为成像设备改善图像像素。本实用新型解决的一个技术效果是提供改善的图像像素和改善的图像传感器。
技术研发人员：M·米利纳尔;T·格蒂斯;M·H·因诺森特
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201720480663
技术研发日：2017.05.03
技术公布日：2018.05.15