本实用新型涉及一种电路，具体是指一种光电接收电路。
背景技术：
随着微电子技术与通信技术的发展，光电接收技术已被广泛应用到电信、电力、智能小区、校园网、政府网站、有线电视、石油以及移动基站等场合。然而，传统的光电接收电路容易受到干扰信号的影响，导致其接收到的信号不稳定，无法达到人们的需求。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服传统的光电接收电路容易受到干扰信号的影响，导致其接收到的信号不稳定的缺陷，提供一种光电接收电路。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种光电接收电路，包括光电二极管VD，放大器P2，一端与光电二极管VD的N极相连接、另一端接电源的电阻R1，正极与光电二极管VD的N极相连接、负极接地的电容C1，一端与光电二极管VD的P极相连接、另一端接地的电阻R2，与光电二极管VD的P极相连接的放大电路，负极与放大器P2的负极相连接、正极与放大电路相连接的电容C3，串接在电容C3的正极和放大器P2的输出端之间的电阻R6，一端与放大器P2的负极相连接、另一端接地的电阻R7，以及与放大器P2的输出端相连接的跟随电路；所述放大器P2的正极与其输出端相连接。
进一步的，所述放大电路包括放大器P1，一端与放大器P1的负极相连接、另一端接地的电阻R5，串接在放大器P1的负极和输出端之间的电阻R4，一端与放大器P1的正电源端相连接、另一端接电源的电阻R3，以及正极与放大器P1的正电源端相连接、负极接地的电容C2；所述放大器P1的正极与光电二极管VD的P极相连接、其负极电源端接地的、输出端则与电容C3的正极相连接。
所述跟随电路包括场效应管MOS，正极与放大器P2的输出端相连接、负极与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C4，串接在场效应管MOS的栅极和漏极之间的电阻R8，一端与极性电容C4的负极相连接、另一端接地的电阻R9，一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R10，以及一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端作为输出端的电阻R11；所述场效应管MOS的漏极接电源。
本实用新型较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
(1)本实用新型通过放大电路将信号进行放大，提高信号的强度。
(2)本实用新型可以对信号中的干扰信号进行过滤，排除干扰信号的影响，使接收信号更加稳定。
(3)本实用新型的跟随电路起到缓冲的作用，其可以使输入的电压与输出的电压相同，避免输出的信号出现损耗。
附图说明
图1为本实用新型的电路结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式并不限于此。
实施例
如图1所示，本实用新型的光电接收电路，包括光电二极管VD，放大器P2，一端与光电二极管VD的N极相连接、另一端接5V电源的电阻R1，正极与光电二极管VD的N极相连接、负极接地的电容C1，一端与光电二极管VD的P极相连接、另一端接地的电阻R2，与光电二极管VD的P极相连接的放大电路，负极与放大器P2的负极相连接、正极与放大电路相连接的电容C3，串接在电容C3的正极和放大器P2的输出端之间的电阻R6，一端与放大器P2的负极相连接、另一端接地的电阻R7，以及与放大器P2的输出端相连接的跟随电路。所述放大器P2的正极与其输出端相连接。
具体的，该光电二极管VD工作在光电导模式，光电二极管VD接收到光信号后，在放大电路的输入端产生信号电压，该信号电压输入到放大电路。其中，光电二极管VD的型号为BPW34，电阻R1的阻值为100KΩ，电阻R2的阻值为4.7KΩ，电容C1的容值为0.1μF。
该放大电路可以很好的对信号电压进行放大，如图1所示，该放大电路包括放大器P1，一端与放大器P1的负极相连接、另一端接地的电阻R5，串接在放大器P1的负极和输出端之间的电阻R4，一端与放大器P1的正电源端相连接、另一端接5V电源的电阻R3，以及正极与放大器P1的正电源端相连接、负极接地的电容C2。所述放大器P1的正极与光电二极管VD的P极相连接、其负极电源端接地的、输出端则与电容C3的正极相连接。
信号电压输入到放大器P1，由放大器P1进行放大。该电阻R4为放大器P4的负反馈电阻，其可以稳定电路的工作点。其中，该放大器P1的型号为OPA27，电阻R3的阻值为100KΩ，电容C2的容值为0.1μF，电阻R5的阻值为4.7KΩ，电阻R4的阻值为115KΩ。
另外，该放大器P2、电容C3以及电阻R7共同构成一个滤波器，该滤波器的截止频率为100Hz，其可以对信号中的干扰信号进行过滤，排除干扰信号的影响，使信号更加稳定。该放大器P2的型号为LM102，电阻R6和电阻R7的阻值均为110KΩ，电容C3的容值为0.01μF。
该跟随电路起到缓冲的作用，其可以使输入的电压幅度与输出的电压幅度相同，避免输出的信号出现损耗，使输入到下一级电路的信号保持不变。该跟随电路包括场效应管MOS，极性电容C4，电阻R8，电阻R9，电阻R10以及电阻R11。
具体的，该极性电容C4的正极与放大器P2的输出端相连接、其负极与场效应管MOS的栅极相连接，电阻R8串接在场效应管MOS的栅极和漏极之间，电阻R9的一端与极性电容C4的负极相连接、其另一端接地，电阻R10的一端与场效应管MOS的源极相连接、其另一端接地，电阻R11的一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端作为输出端。所述场效应管MOS的漏极接5V电源。
该电阻R8和电阻R9为场效应管MOS的偏置电阻，电阻R8和电阻R9的阻值均为100KΩ。极性电容C4为耦合电容，起耦合作用，该极性电容C4的容值为1μF。电阻R10的阻值为56KΩ，电阻R11的阻值为10KΩ。信号从场效应管MOS的栅极输入，并从场效应管MOS的源极输出，经电阻R11后输出给下一级电路。该场效应管MOS为N沟道场效应晶体管，其型号为MPF102。
如上所述，便可很好的实现本实用新型。