1.一种电容式MEMS设备，包括：
第一电极结构，包括第一导电层；以及
第二电极结构，包括第二导电层，
其中所述第二导电层至少部分地与所述第一导电层相对，以及
其中所述第二导电层包括在所述第二导电层的至少三个部分之间提供电隔离的多分段。
2.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第二导电层的多分段包括：
多个间隙，位于所述第二导电层中，一个间隙提供所述第二导电层的两个相邻部分之间的电隔离；以及
非导电连接结构，具有用于机械地连接所述第二导电层的相邻部分的隔离材料。
3.根据权利要求2所述的电容式MEMS设备，其中所述间隙布置在所述第二导电层的圆周区域中。
4.根据权利要求2所述的电容式MEMS设备，其中所述间隙以彼此等距的配置布置在所述第二导电层中。
5.根据权利要求2所述的电容式MEMS设备，其中所述第二导电层中的所述间隙布置在所述第二导电层的分段区域中，并且其中所述分段区域形成在所述第二导电层的圆周、边界区域中。
6.根据权利要求2所述的电容式MEMS设备，其中所述间隙均具有100至1000nm之间或者200至500nm之间的宽度。
7.根据权利要求5所述的电容式MEMS设备，其中所述第二导电层在所述分段区域中具有厚度D1，并且其中所述间隙具有D1/2和2*D1之间的宽度W。
8.根据权利要求2所述的电容式MEMS设备，其中所述间隙完全填充有所述非导电连接结构的材料。
9.根据权利要求2所述的电容式MEMS设备，其中所述非导电连接结构具有100至1000nm之间的厚度。
10.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述多分段在所述第二导电层的第一部分、第二部分和第三部分之间提供电隔离，并且其中所述第一部分是所述第二导电层的中心部分，所述第二部分是所述第二导电层的边界部分，并且所述第三部分是所述第二导电层的位于所述第二导电层的第一部分和第二部分之间的中间部分。
11.根据权利要求10所述的电容式MEMS设备，其中所述第二导电层的第二部分至少部分地由机械支持结构所支持。
12.根据权利要求10所述的电容式MEMS设备，其中所述第二导电层的第一部分形成所述第二电极结构的可偏移区域。
13.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述多分段包括双分段，所述双分段具有两个间隙以及所述第二导电层的位于所述第二导电层的第一部分和第二部分之间的一个中间部分。
14.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述多分段包括三分段，所述三分段具有所述第二导电层的两个相邻中间部分，并且其中所述三分段具有三个间隙。
15.根据权利要求14所述的电容式MEMS设备，其中所述三分段在所述第二导电层的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分之间提供电隔离，并且其中所述第一部分是所述第一导电层的中心部分，所述第二部分是所述第二导电层的边界部分，并且所述第三部分和所述第四部分是所述第二导电层的位于所述第二导电层的第一部分和第二部分之间的相邻中间部分。
16.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述多分段包括四分段，所述四分段具有所述第二导电层的三个相邻中间部分，并且其中所述四分段具有四个间隙。
17.根据权利要求16所述的电容式MEMS设备，其中所述四分段在所述第二导电层的第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分之间提供电隔离，并且其中所述第一部分是所述第一导电层的中心部分，所述第二部分是所述第一导电层的边界部分，并且所述第三部分、所述第四部分和所述第五部分是所述第二导电层的位于所述第二导电层的第一部分和第二部分之间的相邻中间部分。
18.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第二电极结构的边界部分由支持结构所支持，并且保持在与所述第一电极结构隔开的位置中。
19.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第一电极结构的所述第一导电层形成薄膜，并且其中所述第二电极结构的所述第二导电层相对于所述薄膜形成对电极。
20.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第一电极结构的所述第一导电层相对于所述第二电极结构的所述第二导电层的偏转导致所述第一电极结构和所述第二电极结构之间的电容的改变。
21.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第一导电层包括在所述第一导电层的至少三个部分之间提供电隔离的又一多分段。
22.根据权利要求21所述的电容式MEMS设备，其中所述又一多分段在所述第一导电层的第一部分、第二部分和第三部分之间提供电隔离，并且其中所述第一部分是所述第一导电层的中心部分，所述第二部分是所述第一导电层的边界部分，并且所述第三部分是所述第一导电层的位于所述第一导电层的第一部分和第二部分之间的中间部分。
23.根据权利要求21所述的电容式MEMS设备，其中所述第一导电层中的多个间隙被布置在所述第一导电层的第一分段区域中，其中所述第二导电层中的多个间隙布置在所述第二导电层的第二分段区域中，并且其中所述第一分段区域和所述第二分段区域以至少部分重叠的配置布置在垂直投影中。
24.根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，还包括：
第三电极结构，包括第三导电层。
25.根据权利要求24所述的电容式MEMS设备，其中所述第三导电层包括在所述第三导电层的至少第一部分、第二部分和第三部分之间提供电隔离的又一多分段，其中所述第一部分是所述第三导电层的中心部分，所述第二部分是所述第三导电层的边界部分，以及所述第三部分是所述第三导电层的位于所述第三导电层的第一部分和第二部分之间的中间部分，并且其中所述第二导电层包括第一薄膜元件且所述第三导电层包括第二薄膜元件。
26.根据权利要求25所述的电容式MEMS设备，还包括：
参考电位源，用于利用参考电位V极化所述第一导电层；以及
读出电路，用于差分地读出所述第一薄膜元件的第一部分和所述第二薄膜元件的第一部分。
27.根据权利要求25所述的电容式MEMS设备，还包括：
第一参考电位源，用于利用第一参考电位V1极化所述第一薄膜元件的第一部分；
第二参考电位源，用于利用第二参考电位V2极化所述第二薄膜元件的第一部分；以及
读出电路，用于差分地读出所述第一薄膜元件的第一部分和所述第二薄膜元件的第一部分。
28.根据权利要求27所述的电容式MEMS设备，其中所述第一薄膜元件的第一部分和所述第二薄膜元件的第一部分没有电连接，并且其中所述第一参考电位和所述第二参考电位V1、V2是不同的。
29.一种MEMS麦克风，包括：根据权利要求1所述的电容式MEMS设备，其中所述第一电极结构的所述第一导电层相对于所述第二电极结构的所述第二导电层的偏移被进入的声压改变所影响。
30.一种形成电容式MEMS设备的方法，所述方法包括：
以堆叠配置提供第一导电层、第二导电层以及位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的支持层；
在所述第二导电层中形成多个间隙，用于在所述第二导电层的至少三个部分之间提供电隔离；
在所述第二导电层上以及所述第二导电层中的间隙中沉积介电层；以及
在所述第一导电层和所述第二导电层之间部分地去除支持材料，使得支持结构保持在所述第一导电层和所述第二导电层的外围区域中。
31.根据权利要求30所述的方法，所述方法还包括：
过蚀刻所述支持层。
32.根据权利要求30所述的方法，所述方法还包括：
结构化所述介电层，用于提供用于机械地连接所述第二导电层的隔离部分的非导电连接结构。
33.根据权利要求30所述的方法，其中沉积所述介电层包括以接近所述间隙的沉积厚度沉积所述介电层。
34.根据权利要求30所述的方法，其中沉积所述介电层包括在所述第二导电层上以及在所述第二导电层的间隙中共形地沉积所述介电层。
35.根据权利要求30所述的方法，其中沉积所述介电层包括将所述介电层沉积为所述间隙的宽度的至少一半的厚度。
36.一种操作电容式MEMS设备的方法，其中所述电容式MEMS设备包括：第一电极结构，包括第一导电层；以及第二电极结构，包括第二导电层，其中所述第二导电层至少部分地与所述第一导电层相对，并且其中所述第二导电层包括在所述第二导电层的至少三个部分之间提供电隔离的多分段，所述方法包括：
单端或差分地读出所述第二电极结构。
37.根据权利要求36所述的方法，其中所述电容式MEMS设备还包括第三电极结构，所述第三电极结构包括第三导电层，其中所述第三导电层包括在所述第三导电层的至少第一部分、第二部分和第三部分之间提供电隔离的又一多分段，其中所述第一部分是所述第三导电层的中心部分，所述第二部分是所述第三导电层的边界部分，以及所述第三部分是所述第三导电层的位于所述第三导电层的第一部分和第二部分之间的中间部分，并且其中所述第二导电层包括第一薄膜元件且所述第三导电层包括第二薄膜元件，所述方法还包括：
利用参考电位V极化所述第一导电层；以及
差分地读出所述第一薄膜元件的第一部分和所述第二薄膜元件的第一部分。
38.根据权利要求36所述的方法，其中所述电容式MEMS设备还包括第三电极结构，所述第三电极结构包括第三导电层，其中所述第三导电层包括在所述第三导电层的至少第一部分、第二部分和第三部分之间提供电隔离的又一多分段，其中所述第一部分是所述第三导电层的中心部分，所述第二部分是所述第三导电层的边界部分，并且所述第三部分是所述第三导电层的位于所述第三导电层的第一部分和第二部分之间的中间部分，并且其中所述第二导电层包括第一薄膜元件且所述第三导电层包括第二薄膜元件，所述方法还包括：
利用第一参考电位V1极化所述第一薄膜元件的第一部分以及利用第二参考电位V2极化所述第二薄膜元件的第一部分；以及
差分地读出所述第一薄膜元件的第一部分和所述第二薄膜元件的第一部分。
39.根据权利要求38所述的方法，其中所述第一薄膜元件的第一部分和所述第二薄膜元件的第一部分没有电连接，并且其中所述第一参考电位V1和所述第二参考电位V2是不同的。