待机控制电路及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种待机控制电路及显示装置。
【背景技术】
[0002]在大尺寸显示产品(如电视机)的设计过程中，电源功率往往很大，输出电压组数增加，且线路设计相对复杂。大功率电源板结构复杂、取样信号多、保护功能多，造成较大的待机损耗；而由多块电源板组成的拼接板电源除线路复杂外，还具有较单块电源板成倍的待机损耗问题。
[0003]为解决大功率电源板、拼接板待机功耗超标的问题，现有的一种解决方案是增加触点开关(如继电器)来控制各路供电开关。但是继电器线路在使用上存在一定缺陷，系统从待机进入工作时，继电器会有很大声音，触点接触时易产生电火花，造成安全隐患；同时开机瞬间具有较大的冲击电流，容易误触发保护装置，影响用户的操作体验。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种待机控制电路及显示装置，以解决大尺寸显示产品使用大功率电源板或多块电源板拼接时，待机功耗过高的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，作为本发明的第一个方面，提供一种待机控制电路，所述待机控制电路包括待机模块和至少一块电源板，所述待机控制电路还包括晶体管开关控制模块，所述晶体管开关控制模块包括至少一个晶体管开关，且所述晶体管开关的数量与所述电源板的数量相一致，每个所述晶体管开关均连接在一个所述电源板与市电输入端之间，所述晶体管开关能够在接收到所述待机模块发出的触发信号后导通，以使与该晶体管开关相连的所述电源板的输入端与所述市电输入端导通。
[0006]优选地，所述晶体管开关为可控硅器件，所述可控硅器件的第一极与所述市电输入端相连，所述可控硅器件的第二极与所述电源板的输入端的相连，所述可控硅器件的控制极用于接收所述触发信号。
[0007]优选地，所述可控硅器件为双向可控硅器件，当所述市电输入端输入正向电压信号且所述可控硅器件的控制极接收到所述触发信号时，所述可控硅器件导通；当所述市电输入端输入反向电压信号时，所述可控硅器件自行关闭。
[0008]优选地，所述待机模块能够接收使能信号，并利用所述使能信号产生使所述晶体管开关导通的触发信号。
[0009]优选地，所述待机模块包括光电親合器和第一晶体管，所述光电親合器包括发光器和受光器，所述发光器的第一端与高电平信号端相连，所述发光器的第二端与所述第一晶体管的第一极相连，所述第一晶体管的控制极用于接收所述使能信号，所述第一晶体管的第二极与低电平信号端相连，所述发光器能够将所述高电平信号端输入的电信号转换成光信号，所述受光器能够接收所述发光器产生的光信号，并将其再次转换为电信号后输出到所述晶体管开关控制模块。
[0010]优选地，所述发光器为光电二极管，所述光电二极管的阳极与所述高电平信号端相连，所述光电二极管的阴极与所述第一晶体管的第一极相连，所述受光器为光敏三极管，所述光敏三极管的基极用于接收所述发光器产生的光信号，所述光敏三极管的集电极与所述市电输入端相连，所述光敏三极管的发射极用于输出转换后的电信号。
[0011]优选地，所述高电平信号端的电压在5-10V之间，所述低电平信号端为接地端。
[0012]优选地，所述待机控制电路包括两块所述电源板，两块所述电源板分别为第一电源板和第二电源板，所述晶体管开关控制模块包括两个晶体管开关，两个所述晶体管开关分别为第一可控硅器件和第二可控硅器件，所述第一可控硅器件连接在所述市电输入端和所述第一电源板的输入端之间，所述第二可控硅器件连接在所述市电输入端和所述第二电源板的输入端之间；
[0013]所述晶体管开关控制模块还包括延时单元，所述延时单元与所述第一可控硅器件的控制极及所述第二可控硅器件的控制极相连，用于控制所述第一可控硅器件及所述第二可控硅器件的导通时序。
[0014]优选地，所述晶体管开关控制模块还包括第二晶体管，所述延时单元包括第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；
[0015]所述第二晶体管的控制极与所述受光器的用于输出转换后的电信号的输出端相连，所述第二晶体管的第一极与所述市电输入端相连，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管及所述第四晶体管的控制极相连，所述第三晶体管的第一极与所述第一可控硅器件的控制极相连，所述第三晶体管的第二极与所述低电平信号端相连，所述第四晶体管的第一极与所述第二可控硅器件的控制极相连，所述第四晶体管的第二极与所述低电平信号端相连；
[0016]所述第一电阻的一端与所述第二晶体管的第二极相连，所述第一电阻的另一端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述低电平信号端相连，所述第二电阻的一端与所述第二晶体管的第二极相连，所述第二电阻的另一端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述低电平信号端相连。
[0017]作为本发明的第二个方面，还提供一种显示装置，所述显示装置包括本发明所提供的上述待机控制电路。
[0018]本发明将待机模块单独做出，与电源板分开，通过晶体管开关来控制电源板与市电的导通或关断状态，能够有效降低电路的待机功耗，解决大功率电源板或多块电源板拼接造成的待机功耗过高的问题。此外，本发明可实现对各个电源板进行分时序控制，从而解决开机时冲击电流过大的问题。
【附图说明】
[0019]附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。
[0020]图1是本发明实施例所提供的待机控制电路的模块示意图；
[0021]图2是本发明实施例所提供的待机控制电路的详细电路图；
[0022]在附图中，1-待机模块；2_电源板；21_第一电源板；22_第二电源板；3_晶体管开关控制模块；31_晶体管开关；32_延时单元。
【具体实施方式】
[0023]以下结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0024]本发明首先提供了一种待机控制电路，如图1所示，所述待机控制电路包括待机模块1、至少一块电源板2、以及晶体管开关控制模块3。晶体管开关控制模块3包括至少一个晶体管开关31，且晶体管开关31的数量与电源板2的数量相一致，每个晶体管开关31均连接在一个电源板2与市电输入端之间。晶体管开关31能够在接收到待机模块I发出的触发信号后导通，以使与该晶体管开关31相连的电源板2的输入端与所述市电输入端导通。
[0025]这里的市电输入端是指市电中的火线端。
[0026]本发明将待机模块i单独做出，与电源板2分开，通过晶体管开关31来控制电源板2与市电的导通或关断状态，能够有效降低电路的待机功耗，解决大功率电源板或多块电源板拼接造成的待机功耗过高的问题。
[0027]并且，本发明中的晶体管开关31具有工作噪音小、瞬态冲击电流小的优点，因此能够有效降低安全隐患，提升用户操作体验。
[0028]优选地，晶体管开关31为可控硅器件，所述可控硅器件的第一极与所述市电输入端相连，所述可控硅器件的第二极与电源板2的输入端的相连，所述可控硅器件的控制极用于接收所述触发信号。
[0029]以可控硅器件的第一极为阳极，第二极为阴极为例，可控硅器件的工作原理为:当在可控硅器件的阳极与阴极之间外加正向电压，并且在可控硅器件的控制极与阴极之间输入一个正向触发电压，可控硅器件即可导通；去掉触发电压之后，当在可控硅器件的阳极与阴极之间外加负向电压，则可控硅器件关断。
[0030]在本发明中，晶体管开关31可以采用双向可控硅器件，双向可控硅器件的第一极和第二极均可以是阳极或者阴极，当所述市电输入端向所述第一极输入正向电压信号且所述可控硅器件的控制极接收到所述触发信号时，所述双向可控硅器件导通；当所述市电输入端向所述第一极输入反向电压信号时，所述双向可控硅器件自行关闭。也就是说，当市电提供的交流电压进入负半周期时，双向可控硅会自行关断，此时电源板2无输出，解决了待机功耗超标的技术问题。
[0031]进一步地，待机模块I能够接收使能信号，并利用所述使能信号产生使晶体管开关31导通的触发信号。以电视机为例，这里的使能信号可以是来自遥控器的遥控信号，或者是来自机壳按键的按键信号等。
[0032]以图2为例，待机模块I包括光电耦合器和第一晶体管Tl，所述光电耦合器包括发光器PC2B和受光器PC2A，发光器PC2B的第一端与高电平信号端V+相连，发光器PC2B的第二端与第一晶体管Tl的第一极相连，第一晶体管Tl的控制极用于接收使能信号Von，第一晶体管Tl的第二极与低电平信号端相连。
[0033]发光器PC2B能够将高电平信号端V+输入的电信号转换成光信号，受光器PC2A能够接收发光器PC2B产生的光信号，并将其再次转换为电信号后输出到晶体管开关控制模块3。
[0034]进一步地，发光器PC2B为光电二极管，所述光电二极管的阳极与高电平信号端V+相连，所述光电二极管的阴极与第一晶体管Tl的第一极相连，受光器PC2A为光敏三极管，所述光敏三极管的基极用于接收发光器PC2B产生的光信号，所述光敏三极管的集电极与所述市电输入端(即图2中火线L)相连，所述光敏三极管的发射极用于输出转换后的电信号。
[0035]可以理解的是，在图2所示的实施例中，发光器PC2B的阳极相当于所述光电耦合器的输入端，受光器PC2A的发射极相当于所述光电耦合器的输出端。并且，该输出端与晶体管开关控制模块3相连，受光器PC2A的发射极输出的电信号为使能信号Von所产生的中间信号，该中间信号用于进一步产生使可控硅器件导通的触发信号。
[0036]优选地，高电平信号端V+的电压在5-lOv之间，所述低电平信号端为接地端。
[0037]进一步地，以图2为例，所述待机控制电路包括两块电源板，两块电源板分别为第一电源板21和第二电源板22，晶体管开关控制模块3包括两个晶体管开关，两个晶体管开关分别为第一可控硅器件TRl和第二可控硅器件TR2。其中，第一