隔，从而防止了振膜层3和导体背极层12直接接触或因异物接触，避免了短路、放电等的发生，提高了工作的可靠性。
[0033]如图1和图3所示，本实施例提供了一种具体的背极层I结构，不管是背极层I在振膜层3上方，还是振膜层3在背极层I上方，本实施例中的背极层I的绝缘背极层11覆盖于导体背极层12的靠近振膜层3的一侧表面，绝缘背极层11和导体背极层12的面积相同，完全覆盖叠加在一起。
[0034]如图2所示，本实施例提供了另一种背极层I结构，对于背极层I位于振膜层3上方的布置形式，导体背极层12设置于绝缘背极层11的上方，为了防止振膜层3与背极层I发生吸膜现象，优选地在导体背极层12的背极区的靠近振膜层3的一侧表面设置有指向振膜层3的若干第一凸起部14，第一凸起部14与导体背极层12为一体结构。为了阻止振膜层3与导体背极层12接触，同时不影响背极层I自身刚性，本实施例中的背极层I只在导体背极层12的与第一绝缘层2相接的边缘位置以及第一凸起部14的端部覆盖绝缘背极层11，其余地方不覆盖绝缘背极层U。根据芯片的尺寸大小确定第一凸起部14的大小和排布密度，只要能够阻止振膜层3与背极层12粘连吸附即可。
[0035]如图5所示，作为优化，设置于第一凸起部14的端部的绝缘背极层11的形状为圆形或多边形。只要能够将第一凸起部14的端部覆盖即可。
[0036]如图1和图2所示，对于背极层I位于振膜层3上方的布置结构，在本实施例中，MEMS麦克风芯片还包括第二绝缘层4，第二绝缘层4上覆盖于声腔501的部位开设有贯通上下表面的通孔，第二绝缘层4固定于振膜层3的边缘和基底层5的边缘之间，从而将振膜层3与基底层5隔离，振膜层3的边缘通过第一绝缘层2和第二绝缘层4夹固，提高了振膜层3的固定强度。
[0037]如图4所示，本实施例提供了又一种背极层I结构，对于振膜层3位于背极层I上方的布置形式，绝缘背极层11设置于导体背极层12的上方，为了防止振膜层3与背极层I发生吸膜现象，优选地在振膜层3的有效振动区的靠近背极层I的一侧表面设置有指向背极层I的若干第二凸起部31，第二凸起部31与振膜层3为一体结构。为了阻止振膜层3与导体背极层12接触，同时不影响背极层I自身刚性，本实施例中的背极层I只在导体背极层12的与第一绝缘层2相接的边缘位置以及导体背极层12的对应各个第二凸起部31的位置覆盖绝缘背极层11，其余地方不覆盖绝缘背极层U。根据芯片的尺寸大小确定第二凸起部31的大小和排布密度，只要能够阻止振膜层3与背极层I粘连吸附即可。
[0038]如图5所示，作为优化，对应各个第二凸起部31设置的绝缘背极层11的形状为圆形或多边形。只要能够阻止振膜层3的第二凸起部31的端部与导体背极层12接触即可。
[0039]如图3和图4所示，对于振膜层3位于背极层I上方的布置结构，在本实施例中，MEMS麦克风芯片还包括第二绝缘层4，第二绝缘层4上覆盖于声腔501的部位开设有贯通上下表面的通孔，第二绝缘层4固定于背极层I的边缘和基底层5的边缘之间，从而隔离背极层I和基底层5，同时背极层I的边缘通过第一绝缘层2和第二绝缘层4夹固，提高了背极层I的固定强度。
[0040]在本实施例中，导体背极层12的材质为多晶硅、铜、铝、银、金、铜铝合金、银铜合金、金铜合金、银铝合金或金银合金。只要为导电材质即可，并不局限于本实施例所列举的材料。
[0041]本实用新型实施例还提供了一种MEMS麦克风，包括MEMS麦克风芯片，其中，MEMS麦克风芯片为以上全部实施例所描述的MEMS麦克风芯片。由于采用了上述的MEMS麦克风芯片，因此提尚了MEMS麦克风的可靠性。
[0042]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0043]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种MEMS麦克风芯片，包括基底层(5)、背极层(I)、振膜层(3)和第一绝缘层(2)，所述第一绝缘层(2)固定于所述背极层(I)的边缘和所述振膜层(3)的边缘之间，其特征在于，所述背极层(I)包括导体背极层(12)和绝缘背极层(11)，所述绝缘背极层(11)位于所述振膜层(3)和所述导体背极层(12)之间，用于阻隔所述导体背极层(12)和所述振膜层(3)，所述背极层(I)通过所述绝缘背极层(11)与所述第一绝缘层(2)固定。2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述绝缘背极层(11)覆盖于所述导体背极层(12)的靠近所述振膜层(3)的一侧表面上。3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，由下至上依次为所述基底层(5)、所述振膜层(3)、所述第一绝缘层(2)和所述背极层(I);所述导体背极层(12)的背极区的靠近所述振膜层(3)的一侧表面设置有指向所述振膜层(3)的若干第一凸起部(14)，所述绝缘背极层(11)设置于述导体背极层(12)的与所述第一绝缘层(2)相接的边缘位置以及所述第一凸起部(14)的端部。4.根据权利要求3所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，设置于所述第一凸起部(14)的端部的所述绝缘背极层(11)的形状为圆形或多边形。5.根据权利要求3所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，还包括第二绝缘层(4)，所述第二绝缘层(4)固定于所述振膜层(3)的边缘和所述基底层(5)的边缘之间。6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，由下至上依次为所述基底层(5)、所述背极层(I)、所述第一绝缘层(2)和所述振膜层(3);所述振膜层(3)的有效振动区的靠近所述背极层(5)的一侧表面设置有指向所述背极层(I)的若干第二凸起部(31)，所述绝缘背极层(11)设置于所述导体背极层(12)的与所述第一绝缘层(2)相接的边缘位置以及对应所述第二凸起部(31)的位置上。7.根据权利要求6所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，对应所述第二凸起部(31)设置的所述绝缘背极层(11)的形状为圆形或多边形。8.根据权利要求6所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，还包括第二绝缘层(4)，所述第二绝缘层(4)固定于所述背极层(I)的边缘和所述基底层(5)的边缘之间。9.根据权利要求1-8任一项所述的MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述导体背极层(12)的材质为多晶硅、铜、铝、银、金、铜铝合金、银铜合金、金铜合金、银铝合金或金银合金。10.一种MEMS麦克风，包括MEMS麦克风芯片，其特征在于，所述MEMS麦克风芯片为如权利要求1-9任一项所述的MEMS麦克风芯片。
【专利摘要】本申请公开了一种MEMS麦克风芯片，包括基底层、背极层、振膜层和第一绝缘层，第一绝缘层固定于背极层的边缘和振膜层的边缘之间，背极层包括导体背极层和绝缘背极层，绝缘背极层位于振膜层和导体背极层之间，用于阻隔导体背极层和振膜层，背极层通过绝缘背极层与第一绝缘层固定。本MEMS麦克风芯片中，背极层的导体背极层通过绝缘背极层与振膜层阻隔，防止了振膜层和导体背极层的接触，避免了短路和放电现象的发生，提高了工作可靠性。本实用新型还公开了一种包含该MEMS麦克风芯片的MEMS麦克风。
【IPC分类】H04R19/04
【公开号】CN205283815
【申请号】CN201520987396
【发明人】蔡孟锦, 邱冠勋
【申请人】歌尔声学股份有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年11月30日