专利名称：高频电路铜箔及其制法和设备、使用该铜箔的高频电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及在高频用途中降低导体损耗且对基体材料的粘接强度优良的铜箔，特别是涉及作为高频电路用的优良的铜箔，例如，对具有IC卡的天线等的高频电路的最适合的铜箔。此外，还涉及该铜箔的制造方法及制造设备。
背景技术：
作为处理高频信号的电路板的基体材料，其树脂使用聚酰亚胺树脂、变性聚酰亚胺树脂、氟树脂、聚苯乙烯、聚乙烯、聚亚苯基硫醚、聚二苯醚、聚四氟乙烯等，作为导体电路通常使用导电率高且难以生锈等的铜箔。
作为高频电路用印刷电路板，为了维持并确保信号的品质，力求降低传输损耗。若从构成导体电路基底的铜箔来看传输损耗，则存在下述问题，一个是导体损耗中传输损耗增加，第二个是伴随着用于抑制电介质损耗的基体材料的低介电常数和低介电损耗因数化的与树脂的粘接力的降低(铜箔与电路基板的粘接强度降低)。
其中导体损耗与铜箔直接有关，随着信号高频化和表面电阻的增加而损耗增大。在高频率中，根据集肤效应(由于在导体交流流动和磁束的变化，在导体中心部产生反电动势难以流过电流)，电流流向导体表面部分。因此，可流过电流的有效截面积减少，电阻上升。
铜箔中的频率与电流流过的深度(表皮深度)的关系计算出，为在10MHz中约20μm，在0.5GHz中约3μm，在1GHz中约2μm，在10GHz中约0.6μm，因伴随着表面稍微粗糙和含有不纯物而降低导电率产生了大的影响。
因此，在铜箔表面的形状(剖面)对传输损耗有很大影响，粗糙度大的铜箔，信号的传播距离变长，就产生信号衰减和延迟的问题。即，越平滑则导体损耗越小。
电介质损耗由基体材料树脂的介电常数和介电损耗因数来决定。若在电路中流过脉冲信号，则在电路周围的电场中引起变化。该电场变化的周期(频率)若接近树脂分极的缓和时间，就在电位移中产生滞后。此时在树脂内部产生分子摩擦，发生热量，该热量变为电介质损耗。这样，高频基体材料的树脂最好采用难以引起由电场变化的分极，即减少极性大的置换基，或者没有置换基的树脂。但是，另一方面，极性大的置换基有助于树脂与铜箔的化学粘接性。为了降低介电常数和介电损耗因数而减少了极性大的置换基的树脂，与铜箔的紧密性变差，电路的剥离强度(剥皮强度)极端地降低。一般使用的FR-4材料因凝聚破坏(树脂内)而得到高剥皮强度，但在低介电损耗因数基体材料中，界面破坏(铜箔和树脂的界面)也不能得到高剥皮强度。在该种低剥皮强度中，有可能在印刷电路板的制造工序中引起电路剥离和最外层中的安装部件的脱落。
可以通过使用粗糙度大的铜箔来回避剥皮强度，但在高频用途中，如前所述，由于增大传输损耗而难以使用。其结果，所述的剥皮强度和传输损耗是难以兼容的特性。
在近年的高功能电子设备中，按小型化和处理速度的高速化的要求，用于该电路配线的基体材料一般是利于窄间距化和轻量化的薄型，并且要求对高频电流的阻抗低。其一例就是IC卡。
由于IC卡将IC装在卡内，因此可以进行更高度的判断和复杂的运算，存储容量大到磁卡的100倍左右，具有可读写信息的安全性高的特征。在该IC卡的信息传递方法中，除了利用对接点的物理性接触进行交换信息的接触型之外，有能够使用电磁波等在最大几米的空间距离中进行交换信息的非接触型的。
产生了上述特征的接触型IC卡可以利用于例如ID卡、乘车卡、月票、电子货币、高速公路收费通行券、健康保险证、身份证、医疗卡、物流管理卡等非常广泛的范围。
此外，非接触型IC卡根据其交换信息距离，分为紧密型(交换信息距离约2mm)、接近型(约10cm)、附近型(约70cm)、微波型(几米)的四种类型，交换信息频率在紧密型中是4.91MHz，在接近型和附近型中是13.56MHz，在微波型中是2.45及5.8GHz的即从MHz到GHz的范围。
该非接触型IC卡的基本结构由绝缘座、天线、IC芯片构成，在IC芯片中装入强电介质存储器、不挥发性存储器、ROM、RAM、调制解调电路、电源电路、加密电路、控制电路等。作为天线部件，有被覆铜线绕线、银糊剂、铝箔、铜箔等，根据匝数、用途、制造成本等分别使用。在需要匝数少且高导电性的情况下，作为天线材料多情况使用轧制铜箔和电解铜箔。
但是，作为标准结构材料等而使用的高强度高导电性铜合金，具有比纯铜箔高的材料强度，但近年来应对信号传递的高速化、小型化、高可靠性等要求的措施不够充分。从而，为了对应进一步的窄间距和轻量化，提出了使用各种提高了这些现有的铜合金的特性的铜合金的方案(例如，参照日本专利特开2002-167633号公报)，但作为天线用材料，还没能达到足够的与树脂的粘接强度和满足降低高频区域中的传输损失的特性。
发明内容
本发明为了解决上述的现有技术的问题，其目的在于，提供一种降低高频区域中的传输损失，与树脂基板的粘接强度优良的高频电路用铜箔，及其制造方法、制造装置。
本发明者为了解决上述课题，锐意研究，结果开发出了高频区域中的传输损失小且具有与树脂基板高粘接强度的铜箔，及其制造方法、制造装置。
本发明的高频电路用铜箔在厚度方向中具有粒状层和柱状层的至少两种层。
此外，本发明的高频电路用铜箔的特征在于，在由粒状层构成的铜箔表面的至少单面上形成柱状层。
此外，本发明的高频电路用铜箔的特征在于，在由柱状层构成的铜箔表面的至少单面上形成粒状层。
上述本发明的高频电路用铜箔的特征在于，最好粒状层的厚度A与柱状层的厚度B的关系是A/(A+B)＝40～99％。
上述本发明的高频电路用铜箔的特征在于，最好至少在单面的表面上进行粗化处理。
上述本发明的高频电路用铜箔的特征在于，最好至少在单面的表面上进行镀Ni、Zn、Cr和这些合金的处理、铬酸盐处理、有机防锈处理和硅烷耦合剂处理的至少一种处理。
本发明的高频电路用铜箔的制造方法的特征在于，在电解槽内浸渍并旋转制箔滚筒，在该制箔滚筒表面形成了粒状层之后，在其至少单面侧上电镀柱状层。
此外，本发明的高频电路用铜箔的制造方法的特征在于，在电解槽内浸渍并旋转制箔滚筒，在该制箔滚筒表面形成了柱状层之后，在其至少单面侧上电镀粒状层。
本发明的高频电路用铜箔的制造设备的特征在于，在粒状层和柱状层制箔用电解槽内浸渍并旋转制箔滚筒，使粒状层和柱状层两者连续电沉积在该制箔滚筒上，实施上述本发明的高频电路用铜箔的制造方法。
本发明的高频电路的特征在于，使用上述本发明的高频电路用铜箔，或者，用上述本发明的高频电路用铜箔的制造方法进行制造，或者，使用由上述高频电路用铜箔的制造装置制造的高频电路用铜箔来制成。
图1是示出本发明的第一实施例的电解铜箔制造装置的结构的说明图；图2是示出本发明的第二实施例的电解铜箔制造装置的结构的说明图；图3是示出本发明的第三实施例的电解铜箔制造装置的结构的说明图；图4是示出本发明的第四实施例中的电解铜箔的表面处理装置的说明图；图5是示出本发明的第五实施例中的电解铜箔的表面处理装置的说明图。
具体实施例方式
在铜箔表面，一般的，柱状层的厚度增厚后，其表面粗糙度就增大。另一方面，粒状层有平滑化的倾向。因此，难以只控制这些单独层中的表面粗糙度和实际表面积比。
若对铜箔通高频电，则因集肤效应而电阻极端地增大，导致阻抗增大，有时不能收发正常的信号。分析该现象的结果表明，若使用现有的铜合金轧制材料，则与纯铜等相比，由于导电率低，因而在集肤效应中影响大，能够使用的范围极窄。
此外，在表面粗糙度变粗糙的情况下，也发生上述故降。作为表面粗糙度的指标，Rz、Ra两者和外表表面积与实际表面积的比对其有影响。
即，关于Rz，最好在5.0μm以下，Ra在0.5μm以下，另一方面，若表面粗糙度过于平滑，则由于与树脂的粘接力降低，因此最好Rz在1μm以上，Ra在0.2μm以上。
例如可以用キ-エンス公司VK8500型的超深度形状测定显微镜，按下面的条件来测定Rz、Ra、外表表面积与实际表面积的比。
测定条件透镜倍率 2000倍RUN MODE 彩色超深度灵敏度 黑白Gamma3彩色 Gamma1PITCH 0.05μm在本发明中，得到的研究结果表明，要制成上述铜箔表面的粗糙度和实际表面积比，就要在铜箔的厚度方向中，用粒状层和柱状层的至少两层来构成，最好粒状层的厚度A与柱状层的厚度B的关系为A/(A+B)是40～99％，特别是50％～99％。
粒状层与柱状层的分开制造，便于改变电解液后进行电镀，但也可以在同一电解液中，改变电流密度来生成两层。
研究结果还认为，根据高频特性，不希望对表面进行粗化处理、防锈处理等，但在要求与树脂等的粘接性和耐腐蚀性的情况下，有时最好牺牲一部分高频特性。
所述粗化处理，是利用如后所述的图4中示出的装置，使由Cu、或Cu和Co、Ni、Fe、Cr构成的微细颗粒，或者它们与V、Mo、W等元素的氧化物的混合物进行电解沉积，在其上面镀平滑的Cu，防止颗粒落下，通常按照0.01mg/dm2以上的附着量，使与基板树脂的粘接力提高。
此外，也可以进一步在其上面进行防锈处理和硅烷耦合处理。作为防锈处理，一般的有效方法是镀Ni、镀Zn和镀Cr、或者镀这些的合金和铬酸盐处理，或者苯并三唑等有机处理。此外，根据使用乙烯基系、环氧系等基板的材质，适当地实施硅烷耦合剂处理。
图1示出制造本发明的高频电路用铜箔的装置的一实施例，1是构成阴极的Ti制的电解滚筒，该滚筒1以旋转轴为中心，按一定速度旋转。3是馈电部，其通过使电解滚筒1成为阴极的电流。4是第一电镀槽，在该电镀槽4中填充电解液A1，该电解液A1使成为粒状层的电解箔沉积在电解滚筒1的表面。5是设置在该电镀槽4中的成为阳极的电极。6是第二电镀槽，在该电镀槽6中填充使柱状层电沉积的电解液A2。7是设置在上述电镀槽6中的成为阳极的电极。
如图所示，使电解滚筒1旋转，使得连续通过第一电镀槽4和第二电镀槽6，沉积在滚筒1上的铜箔10刚刚从第二电镀槽6出来，就从滚筒1上剥下，成为产品。这样，通过旋转电解滚筒1就能连续制造在粒状层上形成了柱状层的铜箔。
此外，利用调换电解液A和A2，就可以制造在形成了柱状层之后形成粒状层的铜箔。
图2示出制造本发明的高频电路用铜箔的第二实施例，在与图1通用的部分上标记同一符号。图2是电镀液通用，改变阳极的电流密度沉积粒状层和柱状层的铜箔的制造装置。电解滚筒1浸入到电镀液A中后，立即由第一阳极电极5，按形成粒状层的电流密度进行电沉积，接着，由第二电极7，按形成柱状层的电流密度进行电沉积，从电解滚筒1上剥下生成的铜箔10后就成为产品。
此外，通过使阳极的电流密度与上述相反，就能够制造在形成了柱状层之后形成了粒状层的铜箔。
图3示出制造本发明的高频电路用铜箔的第三实施例，在与图1和图2相同的部分上标记同一符号。图3中，利用使电解滚筒1在第一电镀槽4内旋转，在滚筒1上形成粒状层(或柱状层)，在将已形成在滚筒1上的铜箔30从第一电镀槽4中取出之后，立即从滚筒1上剥下，接着，浸渍到电解槽31中。电解槽31由成为阳极的电极32、35及使铜箔30为阴极的馈电部33构成，在电解槽31内填充着电镀液B。
再有，在电极32，35使电镀层在铜箔的单面沉积时，对某一个规定的电极通电，在使电镀层在铜箔的两面沉积时，对两方的电极通电，制造由粒状层和柱状层构成的铜箔。
在图3中，要制造铜箔，就通过旋转电解滚筒1，连续制造由粒状层(或柱状层)构成的铜箔30，接着，向电解槽31中导入铜箔30，在其单面或两面上形成柱状层(或粒状层)，成为产品。
图4示出制造本发明的高频电路用铜箔的第四实施例，在与图2相同的部分上标记同一符号。图4示出用图2的装置制造的铜箔的后处理工序，41是电镀槽，由成为阳极的电极42和把铜箔10作为阴极的馈电部43构成。向电镀槽41填充的电镀液C必须要与铜箔的表面处理相配合，例如，填充Cu、Ni、Zn、Cr等电镀液。
再有，符号45是成为阳极的电极，利用分开使用电极42和45，就能够在铜箔的某一单面或两面上进行粗化处理等后处理。
利用图4中示出的装置，从电解滚筒1剥离后的铜箔10被连续导入到电镀槽41中，在电镀槽41中后处理其表面。
图5示出本发明的第五实施例，在与图1和图4相同的部分上标记同一符号。图5示出用图1的装置制造的铜箔的后处理工序，从电解滚筒1剥离后的铜箔10被连续导入到电镀槽41中，在电镀槽41中后处理其表面。
再有，图3～图5示出了将从电解滚筒1剥离下的铜箔在一条直线上进行后处理的工序，但也可以将从电解滚筒1剥离下的铜箔先卷在轴上，之后再根据需要进行粗化处理等。
实施例下面，基于实施例说明本发明。
该实施例所记载的内容以本发明的一般说明为目的，不具有某种限定的意思。
1.实施例中的电镀、表面处理条件(1)粒状层的电镀条件电镀液Cu 90g/升H2SO4110g/升3-巯基1-丙磺酸钠 1ppm羟乙基纤维素 5ppm低分子量胶(分子量3000)5ppm氯化物离子30ppm电流密度50A/dm2(2)柱状层的电镀条件电镀液Cu 80g/升H2SO4100g/升Cl(氯离子) 50ppm
电流密度30A/dm2(3)粗化处理条件接着第一处理进行第二处理。将其进行两次。
第一处理电镀液Cu20g/升H2SO4100g/升液温度25℃电流密度30A/dm2第二处理电镀液Cu60g/升H2SO4100g/升液温度60℃电流密度15A/dm2(4)镀Ni处理电镀液NiSO4·7H2O300g/升NiCl2·6H2O60g/升H3BO340g/升电流密度4A/dm2(5)镀锌处理电镀液ZnO8g/升NaOH 90g/升电流密度0.7A/dm2(6)铬酸盐处理处理液K2Cr2O75g/升电流密度0.1A/dm2(7)硅烷耦合剂处理3-氨基丙基三乙氧基硅烷 0.2％溶液 涂覆(8)苯并三唑处理千代田化学制チオライトC-71AT 10％水溶液 浸渍5秒2.剥皮强度和高频传输损耗的测定(1)剥皮强度的测定在常温下测定剥皮强度(2)高频传输损耗的测定高频传输损耗的测定是在树脂基体材料上层叠了各铜箔之后，生成配线长1000mm、线宽0.16mm的图形，用网络分析器(アジレント技术公司8753ET)测定了85℃、5GHz时的传输损耗。
实施例1将用#2000抛光辊平滑研磨后的Ti制的电解滚筒作为阴极，用粒状层电镀生成28μm的铜箔，从电解滚筒剥离后，在该光泽面(与电解滚筒粘接的面)上进行2μm的柱状层电镀(粒状层约93％)，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
实施例2与实施例1同样，用粒状层电镀生成26μm的铜箔，从电解滚筒剥离后，在该光泽面上进行4μm的柱状层电镀(粒状层约87％)，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
实施例3与实施例1同样，用粒状层电镀生成24μm的铜箔，从电解滚筒剥离后，在该光泽面上进行6μm的柱状层电镀(粒状层约80％)，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
实施例4与实施例1同样，用粒状层电镀生成22μm的铜箔，从电解滚筒剥离后，在该光泽面上进行8μm的柱状层电镀(粒状层约73％)，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
实施例5与实施例1同样，用粒状层电镀生成26μm的铜箔，从电解滚筒剥离后，在该光泽面上进行4μm的柱状层电镀(粒状层约87％)，进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
实施例6与实施例1同样，用粒状层电镀生成26μm的铜箔，从电解滚筒剥离后，在该光泽面上进行4μm的柱状层电镀(粒状层约87％)，进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，同时进行苯并三唑处理和硅烷耦合剂处理。
实施例7与实施例1同样，用粒状层电镀生成22μm的铜箔，从电解滚筒剥离后，在其两面进行4μm的柱状层电镀(粒状层约73％)，对制箔时的光泽面侧进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
实施例8与实施例1同样，用粒状层电镀生成8μm的铜箔，从电解滚筒剥离后，在其无光泽面(与光泽面的相反面)上进行22μm的柱状层电镀(粒状层约27％)，进行0.4g/dm2的粗化处理之后，进行了铬酸盐处理。
实施例9将平滑研磨后的Ti制的电解滚筒作为阴极，用柱状层电镀生成22μm的铜箔，接着，对其无光泽面进行8μm的粒状层电镀(粒状层约27％)，进行Ni电镀后进行Zn电镀，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
比较例1将用#2000抛光辊平滑研磨后的Ti制的电解滚筒作为阴极，用粒状层电镀生成30μm的铜箔，对光泽面进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
比较例2与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行硅烷耦合剂处理。
比较例3与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，同时进行了苯并三唑处理和硅烷耦合剂处理。
比较例4与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理。
比较例5与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行了铬酸盐处理。
比较例6将用#2000抛光辊平滑研磨后的Ti制的电解滚筒作为阴极，用柱状层电镀生成30μm的铜箔，对光泽面进行Ni电镀后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理。
在实施例1～9和比较例1～6中，测定后处理(粗化处理、防锈处理、硅烷耦合剂处理)前的铜箔的表面形状(Rz、表面积比)、剥皮强度及传输损耗，在表1中示出其结果。再有，传输损耗是作为对各比较例的传输损耗比来示出的。
表1见下页在表1中比较各实施例和比较例，实施例1～4是在粒状层的铜箔的光泽面上电镀柱状层，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理，与进行了同样的后处理的比较例1相比，柱状层越厚，Rz和表面积比(实质/外观)越增大，剥皮强度也上升。
此外，在实施例4中，与比较例6(由柱状层构成的铜箔)比较，剥皮强度相同，但传输损耗比变小。
在实施例5中，在粒状层26μm的铜箔的光泽面上电镀4μm的柱状层，进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理，但与进行了同样的后处理的比较例2相比，剥皮强度上升了。
在实施例6中，在粒状层26μm的铜箔的光泽面上电镀4μm的柱状层，进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，同时进行了苯并三唑处理和硅烷耦合剂处理，但与进行了同样的后处理的比较例3相比，剥皮强度上升了。
在实施例7中，在粒状层22μm的铜箔的两面上分别电镀4μm的柱状层，对其单面进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理，但与进行了同样的后处理的比较例4相比，剥皮强度上升了。
在实施例8中，在粒状层8μm的铜箔的无光泽面上电镀22μm的柱状层，进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行了铬酸盐处理，但与进行了同样的后处理的比较例5相比，剥皮强度上升了。
表1铜箔的剥皮强度和传输损耗①
实施例1)～4)与比较例1)(表面处理相同，不带柱状层组织)进行比较。
实施例5)与比较例2)(表面处理相同，不带柱状层组织)进行比较。
实施例6)与比较例3)(表面处理相同，不带柱状层组织)进行比较。
实施例7)与比较例4)(表面处理相同，不带柱状层组织)进行比较。
实施例8)与比较例5)(表面处理相同，不带柱状层组织)进行比较。
实施例9)与比较例6)(表面处理相同，不带粒状层组织)进行比较。
比较例6)与比较例1)(表面处理相同，由粒状层构成铜箔)进行比较。
在实施例9中，在柱状层22μm的铜箔的光泽面上电镀8μm的粒状层，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理，但与进行了同样的后处理的比较例6相比，传输损耗比变小了。
比较例6在柱状层30μm的铜箔的光泽面上进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理，但根据Rz的不同，比较例6与比较例1相比，传输损耗比变大了。
比较例7与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.1g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理。
比较例8与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.2g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理。
比较例9与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.3g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理。
比较例10与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理。
比较例11与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.6g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理。
比较例12与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.6g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，同时进行了苯并三唑处理和硅烷耦合剂处理。
比较例13
与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.6g/dm2的粗化处理之后，进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理。
比较例14与比较例1同样，生成30μm的铜箔，对光泽面进行了0.8g/dm2的粗化处理之后，进行了铬酸盐处理。
在上述实施例1～8和比较例7～14中，测定后处理前的铜箔的表面形状(Rz、表面积比)、剥皮强度及传输损耗，在表2中示出了其结果。再有，传输损耗是作为对各比较例的传输损耗比来示出的。
表2见下页从表2可知，在实施例1～4中，在粒状层的铜箔的光泽面上电镀柱状层，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理，但与取代柱状层电镀进行了粗化处理的比较例7～10相比，传输损耗比小。(实施例1与比较例7、实施例2与比较例8、实施例3与比较例9、实施例4与比较例10进行比较)此外，示出了剥皮强度越高，传输损耗比越小的倾向。
在实施例5中，在粒状层26μm的铜箔的光泽面上电镀4μm的柱状层进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理，但与没有柱状层电镀而进行了0.6g/dm2的粗化处理的比较例11相比，传输损耗比变小了。
在实施例6中，在粒状层26μm的铜箔的光泽面上电镀4μm的柱状层，进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Ni后进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，同时进行了苯并三唑处理和硅烷耦合剂处理，但与没有柱状层电镀而进行了0.6g/dm2的粗化处理的比较例12相比，传输损耗比变小了。
在实施例7中，在粒状层22μm的铜箔的两面上分别电镀4μm的柱状层，对其单面进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行镀Zn，另外，铬酸盐处理后，进行了硅烷耦合剂处理，但与没有柱状层电镀而进行了0.6g/dm2的粗化处理的比较例13相比，传输损耗比变小了。
在实施例8中，在粒状层8μm的铜箔的光泽面上电镀22μm的柱状层，进行了0.4g/dm2的粗化处理之后，进行了铬酸盐处理，但与比较例14相比，传输损耗比变小了。
表2铜箔的剥皮强度和传输损耗②
为了比较高频特性，作为比较箔，表面附着物相同，施行了粗化处理，使得成为同程度的剥皮强度。
实施例1)与比较例7)进行比较。
实施例2)与比较例8)进行比较。
实施例3)与比较例9)进行比较。
实施例4)与比较例10)进行比较。
实施例5)与比较例11)进行比较。
实施例6)与比较例12)进行比较。
实施例7)与比较例13)进行比较。
实施例8)与比较例14)进行比较。
发明的效果本发明如上所述，通过将铜箔的表面设为粒状层和柱状层的两层结构，能够不降低高频特性而提高剥皮强度，能够提供一种适于精细图形印刷电路板(特别是高频用)的铜箔、其制造方法、制造装置及利用该铜箔的高频电路。
再有，本发明的铜箔作为COF用和PDP用，可以给予很高的评价，从而，不特别限定其用途。
权利要求
1.一种高频电路用铜箔，在厚度方向中具有粒状层和柱状层的至少两种。
2.一种高频电路用铜箔，其特征在于，在由粒状层构成的铜箔表面的至少单面上形成柱状层。
3.一种高频电路用铜箔，其特征在于，在由柱状层构成的铜箔表面的至少单面上形成粒状层。
4.如权利要求2所述的高频电路用铜箔，其特征在于，粒状层的厚度A与柱状层的厚度B的关系是A/(A+B)＝40～99％。
5.如权利要求3所述的高频电路用铜箔，其特征在于，粒状层的厚度A与柱状层的厚度B的关系是A/(A+B)＝40～99％。
6.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其特征在于，至少在单面的表面上进行粗化处理。
7.如权利要求2所述的高频电路用铜箔，其特征在于，至少在单面的表面上进行粗化处理。
8.如权利要求3所述的高频电路用铜箔，其特征在于，至少在单面的表面上进行粗化处理。
9.如权利要求4所述的高频电路用铜箔，其特征在于，至少在单面的表面上进行粗化处理。
10.如权利要求5所述的高频电路用铜箔，其特征在于，至少在单面的表面上进行粗化处理。
11.如权利要求1～10中任一项所述的高频电路用铜箔，其特征在于，至少在单面的表面上进行镀Ni、Zn、Cr及这些合金的电镀处理、铬酸盐处理、有机防锈处理和硅烷耦合剂处理中的至少一种处理。
12.一种高频电路用铜箔的制造方法，其特征在于，在电解槽内浸渍并旋转制箔滚筒，在该制箔滚筒表面形成了粒状层之后，在其至少单面侧上电镀柱状层。
13.一种高频电路用铜箔的制造方法，其特征在于，在电解槽内浸渍并旋转制箔滚筒，在该制箔滚筒表面形成了柱状层之后，在其至少单面侧上电镀粒状层。
14.一种高频电路用铜箔的制造设备，其实施权利要求12或13所述的高频电路用铜箔的制造方法，其特征在于，在粒状层和柱状层制箔用电解槽内浸渍并旋转制箔滚筒，使粒状层和柱状层两者连续电沉积在该制箔滚筒上。
15.一种高频电路，其特征在于，使用权利要求1～10所述的高频电路用铜箔来制成。
16.一种高频电路，其特征在于，使用权利要求11所述的高频电路用铜箔来制成。
17.一种高频电路，其特征在于，使用用权利要求12或13所述的高频电路用铜箔的制造方法制造的高频电路用铜箔来制成。
18.一种高频电路，其特征在于，使用用权利要求14所述的高频电路用铜箔的制造设备制造的高频电路用铜箔来制成。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种高频电路用铜箔，及其制造方法、制造装置。该铜箔作为高频用基体材料，降低高频下的传输损失，与树脂基板的粘接强度优良。本发明的铜箔在厚度方向中具有粒状层和柱状层的至少两层，特别作为高频电路用性能优良；其在由粒状层构成的铜箔表面的至少单面上形成柱状层，或者，在由柱状层构成的铜箔表面的至少单面上形成粒状层。另外，最好该铜箔中的粒状层的厚度A与柱状层的厚度B的关系为A/(A+B)＝40～99％。
文档编号H05K1/02GK1543292SQ200410035238
公开日2004年11月3日 申请日期2004年2月4日 优先权日2003年2月4日
发明者茂木贵实, 二, 铃木裕二, 弘, 星野和弘, 作, 筱崎健作, 松田晃 申请人:古河电路铜箔株式会社