专利名称：一种混合集成电路组装的球栅阵列引出方法
技术领域：
本发明涉及一种混合集成电路组装的球栅阵列引出方法，该方法将传统的混合电路组装工艺与球栅阵列引出封装形式相结合，实现了从四边引线封装到焊点阵列封装的进步。
背景技术：
中国专利03154606.4公开一种半导体封装件及用于封装半导体的方法，该封装件具有高可靠性。本发明的半导体封装件包括第一衬底，在该第一衬底上形成有电路图形和电极焊盘；第二衬底，该第二衬底粘结在第一衬底上并在该第二衬底上形成有孔；以及焊球，该焊球通过形成在第二衬底上的孔粘结在电极焊盘上。而且，第二衬底被用作焊料阻挡层。由此，因为第一衬底和第二衬底由相同的材料形成，所以可以防止烧结时BGA封装件开裂和产生不均匀。该发明是在一种陶瓷衬底上形成球栅阵列，而对厚膜电路和混合集成电路如何形成球栅阵列没有提及。因此，需要提出一种混合集成电路组装的球栅阵列引出方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种混合集成电路组装的球栅阵列引出方法，该方法克服了现有的混合集成电路的四边引线封装技术不能满足高密度引出脚数的不足，适应高密度组装的发展要求，将传统的混合电路组装工艺与球栅阵列引出封装形式相结合，实现了从四边引线封装到焊点阵列封装的进步。
本发明的目的是由下述技术方案实现的一种混合集成电路组装的球栅阵列引出方法，其特征在于A、采用氧化铝陶瓷基片作为载体，用混合电路成膜工艺在所述陶瓷基片上生成厚膜；B、在所述陶瓷基片的焊盘处印刷焊锡膏或助焊膏；C、用摄子夹取或真空吸头吸取锡球放置于已印刷好焊膏的焊盘处进行植球；D、把植好锡球的所述陶瓷基片放入再流焊炉或其它加热装置上进行锡球的焊接。
本发明的有益效果是将混合电路成膜工艺与球栅阵列(BGA)封装技术相结合，大大提高了混合电路的组装密度，实现了从四边引线封装到焊点阵列封装的进步，为电子产品的小型化又开辟了一条道路。
以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
图1为厚膜工艺成膜的电阻网络BGA封装引出示意2为LTCC工艺成膜基片的BGA封装引出示意图具体实施方式
实施例一一种混合集成电路组装的球栅阵列引出方法，其具体操作步骤是A、采用氧化铝陶瓷基片作为载体，用混合电路成膜工艺在所述陶瓷基片上生成厚膜，所述的混合电路成膜工艺是常规的工艺；B、在所述陶瓷基片的焊盘处印刷焊锡膏或助焊膏；C、用摄子夹取或真空吸头吸取锡球放置于已印刷好焊膏的焊盘处进行植球；D、把植好锡球的所述陶瓷基片放入再流焊炉或其它加热装置上进行锡球的焊接。焊接时用普通的再流焊温度曲线即可。
若对电路要求焊接外观效果或精度较高，阻焊层的制作可以采用光刻工艺进行，焊球可以选择高温锡球。
参见图1及图2，本实施例采用氧化铝陶瓷基片作为载体，用混合电路成膜工艺成膜(厚膜工艺或LTCC工艺)，外引出脚采用BGA焊球引出，即在阵列焊盘处植入锡球。为了保证焊接完成后锡球的一致性，可以选用高温锡球。根据电路需求，BGA锡球可以焊接在电路基板的正面或背面。图1及图2只是简单列举了在混合集成电路中BGA封装引出的应用实例，与此类似，其它的混合集成电路也能采用BGA方式引出，以提高布线密度，从而达到电子产品的小型化。
实施例一所述的方法适用于试验型或小批量，如果进行较大规模的生产应当采用植球器植球，所述锡球是高温锡球。
权利要求
1.一种混合集成电路组装的球栅阵列引出方法，其特征在于A、采用氧化铝陶瓷基片作为载体，用混合电路成膜工艺在所述陶瓷基片上生成厚膜；B、在所述陶瓷基片的焊盘处印刷焊锡膏或助焊膏；C、用摄子夹取或真空吸头吸取锡球放置于已印刷好焊膏的焊盘处进行植球；D、把植好锡球的所述陶瓷基片放入再流焊炉或其它加热装置上进行锡球的焊接。
2.根据权利要求1所述的混合集成电路组装的球栅阵列引出方法，其特征在于采用植球器植球，所述锡球是高温锡球。
全文摘要
本发明涉及一种混合集成电路组装的球栅阵列引出方法，其特征在于A、采用氧化铝陶瓷基片作为载体，用混合电路成膜工艺在所述陶瓷基片上生成厚膜；B、在所述陶瓷基片的焊盘处印刷焊锡膏或助焊膏；C、用镊子夹取或真空吸头吸取锡球放置于已印刷好焊膏的焊盘处进行植球；D、把植好锡球的所述陶瓷基片放入再流焊炉或其它加热装置上进行锡球的焊接。本发明将混合电路成膜工艺与球栅阵列(BGA)封装技术相结合，大大提高了混合电路的组装密度，实现了从四边引线封装到焊点阵列封装的进步，为电子产品的小型化又开辟了一条道路。
文档编号H05K3/34GK1761041SQ200410081189
公开日2006年4月19日 申请日期2004年10月12日 优先权日2004年10月12日
发明者许国春, 贺志新 申请人:北京七星华创电子股份有限公司