硅钙镁晶须的制备方法

文档序号:8168719
专利名称:硅钙镁晶须的制备方法
技术领域
本发明涉及一种晶须的生产方法,特别是一种长径比大、性能稳定、生产成本低的晶须材料的制备方法。
背景技术
晶须(whisker)指长径比L/d≥10的呈短纤维状的微米或亚微米级单晶体。通常L约为10um~100um,d约为0.01~10um,典型值1μm左右,是一维优势发育的单晶。其晶格缺陷很少,是目前已知强度最大的固体,强度接近理论值。晶须具有优良的力学性质,如机械强度高,能弹性地承受较大的应变而无永久变形,高温强度损失很小,无疲劳效应。晶须具有显微增强和填充能力,它的尺寸细微,不影响复合材料成型流动性,接近于无填充物的树脂。晶须可在基体中分布得很均匀,使极薄、极狭小甚至边角部位都能得到增强填充,适合制作精密的增强工程塑料零部件及超薄壁的零部件,甚至可以做成20um的超薄壁部件。优良的表面平滑性及高的尺寸精度和稳定性。晶须增强的工程塑料部件膨胀系数及成型收缩率小,具有极高的尺寸精度和光洁的平滑的表面,超过碳纤和玻纤增强材料制品。增强复合材料再生循环使用性能好。用晶须增强的塑料复合材料有良好的重复使用性。晶须材料通常作为复合材料的增强与改性成分。改善树脂,塑料、水泥等材料原有的性能。制成各种耐热、耐磨、耐腐蚀、高强度新型尖端材料;广泛应用于机械、电子、汽车、冶金、塑料、陶瓷等工业领域,特别是航空、航天、先进武器装备系统方面的关键材料。晶须的优良性能使得其应用潜力巨大,但传统的晶须制备方法原材料成本高、生产工艺复杂、工艺条件难以控制。传统的晶须制备方法目前国内外晶须均由化学纯物质作原料制备,用气相,液相,熔融法和其他方法制备,故原材料成本和制作成本居高不下,难以进入工业和民用市场。

发明内容
本发明旨在克服现有技术的不足,提供一种原材料成本低,制造工艺简单,生产工艺条件容易控制,生产成本低的硅钙镁晶须的制备方法。
本发明的内容是一种硅钙镁晶须的制备方法,其特征在于所述的工艺为原矿破碎将透闪石矿经过鄂式破碎与辊式破碎两级破碎;筛分将破碎好的矿料经过振动筛来除掉矿中的杂质和不符合要求的颗粒;湿法分散将筛分好的矿料颗粒用输送带输到分散罐中加水和分散剂进行分散;提纯除杂将原矿中含有的硬质二氧化硅和软质的粘土等杂质除掉,将分散好的浆料通过跳筛、沉沙盘、除砂器等提纯设备提纯;化学培育将经过提纯的浆料放入培育池中,加入化学助剂进行晶须培育;脱水将培育好的浆料用泵打入脱水设备进行脱水,使水分含量≤20%干燥将脱水后的饼料用兼具干燥和打散功能的多功能干燥机进行干燥和打散。
本发明内容中所述的分散剂是指焦磷酸钠、六偏磷酸钠、三聚磷酸钠;分散剂的用量为矿石重量的1~2%。
本发明内容中所述的化学助剂是指十二烷基苯磺酸盐,化学助剂的用量为原矿重量的1~2%。


图1是本发明的工艺流程见说明书附图。
实施方式本发明的内容是一种硅酸盐晶须的制备方法,其特征在于所述的工艺为原矿破碎将透闪石矿经过鄂式破碎与辊式破碎两级破碎;筛分将破碎好的矿料经过振动筛来除掉矿中的杂质和不符合要求的颗粒;湿法分散将筛分好的矿料颗粒用输送带输到分散罐中加水和分散剂进行分散;提纯除杂将原矿中含有的硬质二氧化硅和软质的粘土等杂质除掉,将分散好的浆料通过跳筛、沉沙盘、除砂器等提纯设备提纯;化学培育将经过提纯的浆料放入培育池中,加入化学助剂进行晶须培育;脱水将培育好的浆料用泵打入脱水设备进行脱水,使水分含量≤20%干燥将脱水后的饼料用兼具干燥和打散功能的多功能干燥机进行干燥和打散。
权利要求
1.一种硅钙镁晶须的制备方法,其特征在于所述的工艺为原矿破碎将透闪石矿经过鄂式破碎与辊式破碎两级破碎;筛分将破碎好的矿料经过振动筛来除掉矿中的杂质和不符合要求的颗粒;湿法分散将筛分好的矿料颗粒用输送带输到分散罐中加水和分散剂进行分散;提纯除杂将原矿中含有的硬质二氧化硅和软质的粘土等杂质除掉,将分散好的浆料通过跳筛、沉沙盘、除砂器等提纯设备提纯;化学培育将经过提纯的浆料放入培育池中,加入化学助剂进行晶须培育;脱水将培育好的浆料用泵打入脱水设备进行脱水,使水分含量≤20%;干燥将脱水后的饼料用兼具干燥和打散功能的多功能干燥机进行干燥和打散。
2.根据权利要求1所述的硅钙镁晶须的制备方法,其特征在于所述的分散剂是指焦磷酸钠、六偏磷酸钠、三聚磷酸钠;分散剂用量为矿石重量的1~2%。
3.根据权利要求1所述的硅钙镁晶须的制备方法,其特征在于所述的化学助剂是指十二烷基苯磺酸盐、化学助剂的用量为原矿重量的1~2%。
全文摘要
本发明涉及一种晶须的生产方法,特别是一种长径比大、性能稳定、生产成本低的晶须材料的制备方法。一种硅钙镁晶须的制备方法,其特征在于所述的工艺为原矿破碎、筛分、湿法分散、提纯除杂、化学培育、脱水、干燥。本发明旨在克服现有技术的不足,提供一种原材料成本低,制造工艺简单,生产工艺条件容易控制,生产成本低的硅钙镁晶须的制备方法。
文档编号C30B7/00GK1782147SQ20041008135
公开日2006年6月7日 申请日期2004年11月30日 优先权日2004年11月30日
发明者孙传敏, 汪建军, 钱忠良, 雷斌, 尹显庸 申请人:绵阳市仁智奇微新材料有限公司
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