专利名称：带盖石墨坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型属于晶体生长技术，主要是采用坩埚下降法生长晶体时。
背景技术：
目前，在熔盐法和提拉法生长晶体时，用到的坩锅主要有铂金和铱金等贵金属，它们不但昂贵而且加工不方便。而在坩锅下降法中用到的也有铂金，它不但昂贵、加工不方便，而且晶体生长完后，由于铂金和晶体的热膨胀系数接近，不利于晶体的取出，通常只能将坩锅锯开，这样不但不能重复使用，而且要支付加工费，给生长和实验带来高成本。况且，铂金在高温下容易软化，不能用以生长温度超过1400度的体系。
发明内容
本实用新型提供一种带盖坩埚是用石墨加工而成，可耐高温(温度可达1800度)，有利于减少挥发，且价格便宜，加工方便，操作简单，使用方便。
本实用新型的具体结构由附图给出，其构造特征是由坩埚3和坩锅盖1两部分组成。坩埚以无碳化石墨棒为材料，加工成圆桶锥型，底部是锥型，并且壁要足够薄，以利于成核成单晶和散热，上部有一个小洞2，用以排除原料中的气体和水分。坩埚盖是采用无碳化石墨棒为材料加工成，既通过螺纹起到连接坩锅和外部籽晶杆的作用，又起到密闭坩锅，起到减少挥发作用。
此外本实用新型有以下优点加工方便，可耐高温，操作简单，便于晶体的倒出，使用方便，成本低，可根据需要设计坩锅的形状，而且可重复使用。
本实用新型的另一特点是必须在惰性气氛下使用(如N2气等)。
由于该坩锅可耐高温，抗老化，操作简单，使用方便，成本低，可根据需要设计各种形状，加工方便，使用效果理想，因而采用本发明后，在晶体生长尤其是坩锅下降法生长晶体时更方便。
附图即是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
实施例1根据说明书所述原理加工一个带盖石墨坩锅，并用于坩锅下降法生长新型激光材料硼酸镧钪的实验中，按照说明书中介绍的方法，将事先合成好的硼酸镧钪装到坩锅里，对中后，将坩锅安装到事先做好的生长炉中，抽真空，冲入氮气，保持一定的正压，进行生长实验。缓慢升温到1700度恒温5小时，让原料充分反应后，将温度继续恒在1700度，开始以15rpm转速、1mm/h的速率下降坩锅，经过40小时，停止下降，开始退火(以5～15rpm转速、10～50度/小时降温速率)，实验结束后，得到了硼酸镧钪晶体。
实施例2我们还将其用于坩锅下降法生长激光材料LiYF4的实验中，按照说明书中介绍的方法，将事先合成好的LiYF4原料装到坩锅里，对中后，采用中频感应加热坩锅，抽真空，冲入氮气，保持一定的正压，进行生长实验。缓慢升温到1100度恒温3小时，让原料充分反应后，将温度继续恒在1100度，开始以15rpm转速、1mm/h的速率下降坩锅，经过40小时，停止下降，开始退火(以5～15rpm转速、10～50度/小时降温速率)，实验结束后，得到了LiYF4晶体。
权利要求1.一种带盖石墨坩埚，是用无碳化石墨作为原材料加工成的，其特征在于由坩埚(3)和坩埚盖(1)两部分组成，坩埚以石墨棒为材料，加工成圆桶锥型；坩埚底部是锥型，坩埚上部有一个小洞(2)。
专利摘要带盖石墨坩埚，主要用于生长技术，主要是采用坩埚下降法生长晶体时。该坩埚是用无碳化石墨作为原材料加工成的，由坩埚(3)和坩埚盖(1)两部分组成，坩埚以石墨棒为材料，加工成圆桶锥型；坩埚底部是锥型，坩埚上部有一个小洞(2)。该坩埚以无碳化石墨棒为材料，可耐高温，加工方便，价格便宜，需在惰性气氛下使用(如N
文档编号C30B15/10GK2737808SQ20042008972
公开日2005年11月2日 申请日期2004年8月30日 优先权日2004年8月30日
发明者王国富, 林州斌, 胡祖树 申请人:中国科学院福建物质结构研究所