专利名称：曝光装置及曝光方法和配线印制电路板的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种不通过掩模(无掩模)向感光性树脂上直接描绘曝光图案的曝光装置及曝光方法和使用该曝光方法制造配线印制电路板的配线印制电路板制造方法。
背景技术：
近年来，印刷配线印制电路板的多品种少量生产化有所进展，低成本化、高生产能力的要求提高。
在现有技术的印刷配线板等的图案形成中，被称为保护膜的各种类的感光性树脂在各工序中被使用。具体地，将感光性液态保护膜或干式胶片保护膜在印制电路板上成膜后，通过光掩模进行曝光，经显像工序，进行腐蚀加工、电镀处理等形成图案。
取而代之，1990年代引进了利用以氩离子激光器等的气体激光器为光源的可见光的无掩模直接曝光技术。由于该方法不需要制造光掩模，所以能大幅度地节约掩模制造设备费、材料费，且具有可以高精度曝光的特征，被认为是印刷配线印制电路板、半导体组件等的制造工序革新的技术。
关于无掩模直接曝光技术，以改善气体激光器的维护性的目的，提案了以不需要供给流程气体的半导体激光二极管为光源使用的方案。例如，特开2004-85728号公报(专利文献1)上记载有在含有红外吸收色素的特定组成的感光性树脂上直接曝光波长750nm～1200nm的激光的方法。
另一方面，作为照射方法的改善方案，取代用多面反射镜反射激光光线扫描保护膜的方法，作为通用性高的光学系统利用DMDDigital MicromirrorDevice(数字微反射器)的直接曝光方法引起人们的注目。DMD是由通过微型机械技术在半导体芯片上集成化了的反射镜阵列构成的空间光调制装置。各反射镜根据数字信息高速动作。DMD组合微型透镜阵列或衍射光栅等的光学系作为DMD引擎使用。例如，特开昭62-21220号公报(专利文献2)、特开2004-157219号公报(专利文献3)、特开2004-39871号公报(专利文献4)等上有采用DMD的无掩模曝光方法的记载。
另一方面，在曝光完成后且在显像前加热印制电路板使保护膜高灵敏度化的技术是众所周知的。例如，在特开2004-71624号公报(专利文献5)上，记载了具有用于在涂抹了感光材料的印制电路板上通过光掩模照射光线进行曝光的曝光单元和用于将曝光完成后且在显像前的上述印制电路板实施加热处理的烘烤单元的曝光装置，特开2002-296402号公报(专利文献6)上有为了加热处理也可以使用红外线灯的记载。
以上介绍了上述现有技术，鉴于近来的低成本化、制品短交付期化、制造流程稳定化(高品质化)的要求水准，需要进一步改善；鉴于通用的感光性树脂材料价格或采购容易性、感光特性等，可知上述现有技术中在使用于图案描绘曝光的调制光的波长或强度上需要进一步改善。
在配线印制电路板的大量生产工厂通用的感光性树脂的感光波长，是考虑了大量生产作业性的设计，在灵敏度变低的组成中，使用的可见光范围是400nm～800nm。在参考之前，通用的感光性树脂的典型的感光灵敏度的例子以图4表示。另外，红外光线光量子的能量低，且由于电子迁移的量子收获率低，所以不会高效率引起感光反应，当然，与紫外线光照射的场合比较，感光反应速度慢。因而，在使用红外激光器的专利文献1中，感光材料在到达期望的硬化度前需要将照射时间变长，或者使用含有红外吸收性色素的特殊感光材料，或者使用高输出的高价的激光源，但不能充分对应实现短时间且低成本、高品质的曝光这一目的。
另一方面，专利文献2～4使用的DMD装备的紫外线光耐性寿命不能说充分，不能不在保护膜灵敏度相对低的可见光波长区域(超过400nm)使用，在这种场合，在感光材料达到期望的硬化度之前需要将照射时间变长，或者不得不使用高辉度光源，这也与短时间曝光、低成本这样的目的不一致。其结果，难于对应近来越来越高的短交付期要求。
在专利文献3中记载为了增大曝光能力而增大光源辉度的技术，但由于所谓的相反则不轨的曝光·感光反应特有的现象，即使光源辉度为2倍化，反应速度也不能变成2倍，因此，取得抵消光源成本增加的生产能力增大的结果未必容易。
另一方面，通过曝光完成后的印制电路板加热使保护膜高灵敏度化并增大生产能力的专利文献5或专利文献6的技术，与进行光束扫描并曝光的无掩模直接曝光技术组合未必容易。在专利文献5的“要解决的问题”中，有从曝光到加热的时间控制具有流程稳定化的效果的记载，暗示着流程不稳定性是该技术应用在大量生产上的现实问题。
在进行光束扫描描绘曝光图案的曝光技术中，从在印制电路板一方的端部开始光束扫描曝光到在印制电路板另一端完成光束扫描曝光之前需要一些时间。其结果，曝光完成从曝光装置取出印制电路板后立即更换到下一个工序时，在印制电路板面内难于一定地保持曝光至下一个工序的时间。因而，在曝光完成后插入印制电路板加热的工序的场合，难于控制从曝光到加热的时间，招致曝光流程的不稳定化，合格率变低的危险性提高。在曝光完成暂时静置后，如果进行印制电路板加热的工序，就能避免流程的不稳定化，但存在牺牲曝光生产能力的问题。
正如至此的说明，在不使用掩模使扫描曝光的扫描曝光法中，为了增大曝光生产能力，到现在公知的技术中有①保护膜的高灵敏度化、②光束辉度增大和③曝光后加热中的任意一个。可是，如上所述，①如果保护膜高灵敏度化，就产生大量生产作业性低下的问题；②如果增大光束辉度，在费用对比效果的点上就变差；③如果曝光后加热，就产生曝光流程合格率变低的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而诞生的，在将调制成为期望的图案的光束进行扫描并曝光的所谓的无掩模曝光技术中，提供一种完全实现低成本化、高生产能力化、制造流程稳定化的曝光装置及该曝光方法和配线印制电路板的制造方法。
发明者们在调查感光性树脂的光硬化反应的过程中，发现在与紫外～近紫外光(300nm～410nm)同时照射可见光～红外线光的场合，与紫外～近紫外光单独照射时比较，容易取得大一些的硬度，另外，易以稍少些的曝光量取得期望的膜厚的现象。这，换言之，意味着通过向感光性树脂上同时照射紫外～近紫外光和可见光～红外线光能高效率地促进光反应。这种现象通过下述装置应用于无掩模曝光技术中而成为本发明。
在本发明提供的将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置中，具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；用于将上述第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的第1照射光学系；发出含有波长450nm～2500nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源；在为使至少含有由上述第1照射光学系曝光描绘的第1照射区域而设定的第2照射区域上将上述第2光源发出的光束导光的第2照射光学系。
在本发明中，上述第1光源能使用各种光源，例举了由半导体激光器构成的光源，例如，将多个半导体激光器并列设置而成的激光器阵列。其它的光源，也可以是灯状光源，例如，水银灯、金属卤化物灯、氙灯、紫外线荧光灯等。在使用这些光源的场合，希望用滤光器等限制发射光的波长或强度。
利用本发明的其它装置在将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置中，具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；用于将上述第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的第1照射光学系；发出含有波长2500nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源；在为使至少含有由上述第1照射光学系曝光描绘的第1照射区域而设定的第2照射区域上将从上述第2光源发出的光束导光的第2照射光学系。
希望该装置的第1光源是将多个半导体激光二极管并列设置的激光二极管阵列。
在本发明的曝光装置中，希望上述的装置的第1照射光学系具有将上述第1光源发出的光束基于上述被曝光图案的数据调制每个像素形成曝光图案的2维光调制光学系和将由该2维光调制光学系形成的图案光在上述感光性树脂上成像的成像光学系。
在本发明的曝光装置中，别的希望的照射光学系具有扫描上述第1光源发出的光束的光束扫描光学系和使由该光束扫描光学系形成的图案光在位于上述载物台的上述感光性树脂上成像的成像光学系。
在本发明的曝光装置中，希望设置有用于使上述第1光源发出的光束和上述第2光源发出的光束实际同时地照射位于上述载物台上的上述感光性树脂层的光束控制机构。
希望上述光束控制机构含有用于控制供给光源的电力的电力控制机构，或者设置在照射光学系的光学路径的途中的遮光机构中的一个。
另外，本发明其它的装置是将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置，具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；发出含有波长450nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源；将上述第1光源发出的光束的至少一部分与上述第2光源发出的光束的至少一部分合波的合波光学系；用于将通过上述合波光学系合波的光基于期望的被曝光图案数据调制，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的照射光学系。
另外，本发明其它的装置是将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置，具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；用于将上述第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制的第1调制光学系；发出含有波长450nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源；用于将上述第2光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制的第2调制光学系；用于将上述第1调制光学系发出的光束与上述第2调制光学系发出的光束合波，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的照射光学系。
另外，本发明提供的其它的感光性树脂曝光方法，包括将发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案的数据调制，照射在形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板上的第1照射工程；将发出含有波长450nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源发出的光束照射在形成有感光性树脂层的被曝光印制电路板上的第2照射工程。
另外，本发明提供的感光性树脂的曝光方法，其特征在于，上述第2照射工程照射的被曝光印制电路板上的区域至少含有上述第1照射工程照射的区域，且上述第2照射工程与上述第1照射工程实际同时进行。
另外，在本发明中，上述感光性树脂也可以是在配线形成流程中使用的电镀保护膜、腐蚀保护膜、钎焊保护膜中的任意一个，那种场合，通过使用本发明提供的曝光方法，也能提供制造配线印制电路板的方法。
如以上说明，根据本发明，可以提供完全实现低成本化、高生产能力、制造流程稳定化的无掩模直接曝光装置及其曝光方法和配线印制电路板制造方法。
图1是表示本发明涉及的曝光装置第1实施例的概略构成图。
图2是表示使用本发明涉及的曝光装置的图案描绘例的要点的图。
图3是表示使用本发明涉及的曝光装置的图案其它的描绘例的要点的图。
图4是表示感光性树脂典型的感光灵敏度特性的一例的图。
图5是在本发明涉及的曝光机上使用的第2光源的分光放射特性的一例。
图6是表示利用本发明涉及的曝光装置的被曝光物的受光强度状态的一例的概念图。
图7是表示利用本发明涉及的曝光装置的被曝光物的受光强度状态另一例的概念图。
图8是表示利用本发明涉及的曝光装置的被曝光物的受光强度状态另一例的概念图。
图9是表示本发明涉及的曝光装置其它的实施例的概略构成图。
图10是表示本发明涉及的曝光装置其它的实施例的概略构成图。
符号说明
1 第1光源 2 第2光源 3 遮光微缝4 合波光学系 5 调制光学元件6 光束扫描光学系7 成像光学系 8 光束成形光学系 9 调制控制部10 被曝光印制电路板10a感光性树脂层11 载置台(载物台)13 载物台控制器15 合波光束16 合波光照射光系统17 合波光导波光系统18 合波光调制光学系19 合波光成像光学系20 调制波合波光学系21 调制波合波光束 30 主控制部31 存储装置32 数据显示装置33 数据输入装置35 生产计划·管理系统 38 CAD系统 39 网络50 第1照射光学系 52 第1导光光学系 53 第1调制光学系54 第1调制光 55 第1光源发出的光束 56 多面反射镜57 f-θ透镜58 音响光学元件60 第2照射光学系61 胶片62 第2导光光学系 63 第2调制光学系64 第2调制光 65 第2光源2发出的光束具体实施方式
对本发明涉及的无掩模曝光装置、曝光方法及配线印制电路板制造方法的实施例采用附图进行说明。
图1是表示本发明涉及的无掩模曝光装置第1实施例的概略构成图。该曝光装置具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层10a的被曝光印制电路板10走行的载物台11，发出含有青紫光(400nm～410nm)范围的波长成分的光的第1光源1，用于在将上述第1光源1发出的光束55基于期望的被曝光图案的数据调制之后装载在载物台11上的被曝光印制电路板10的感光性树脂层10a上使图案成像并曝光描绘的第1照射光学系50，发出含有在可视～近红外光(波长450nm～2500nm)范围内波长成分的至少一部分的光的第2光源2，在为使含有由上述第1照射光学系50曝光描绘的第1照射区域而设定的第2照射区域上将上述第2光源2发出的光束65导光的第2照射光学系60。
适宜本发明的感光性树脂10a，作为配线印制电路板制造用是一般使用的感光性树脂，无论是以365nm(i线)为感光主波长的组成，还是以405nm(h线)为感光主波长的组成都没关系，另外，无论是底片型还是正片型都可以。在本实施例中，鉴于材料价格及当前的大量生产实绩的观点，作为最适宜的感光性树脂10a使用调整为以365nm(i线)为感光主波长的组成的通用的底片型感光性材料，在被曝光物(例如配线印制电路板)的表面通过规定的方法在适宜成膜后进行曝光。感光性树脂10a的形状无论是干式胶片状，还是液状，在本实施例中都没有特别问题能够使用，但适宜本发明的感光性树脂层10a成膜后的膜厚大概约2微米～100微米的范围，特别适宜的膜厚范围为10微米～80微米，最小加工尺寸(线宽)2微米左右。适宜本发明的感光性树脂层10a的组成是变性丙稀酸酯系或变性甲基丙稀酸酯系单体，特别希望酚醛丙稀酸酯系、酚醛甲基丙烯酸酯系、环氧丙稀酸酯系、环氧甲基丙稀酸酯系。若也考虑材料价格、生产能力、流程稳定性等的观点，含有约10％以上环氧丙稀酸酯系单体的感光材料最适宜本发明。根据被曝光物的构造或用途，也能使用这里例示以外的感光性材料的组成，无需再指出。例如，在使用以含有感光性聚酰亚胺、感光性苯并环丁烯(BCB)、感光性聚对苯撑苯并双恶唑、感光性卡尔德丙烯酸酯等为主要成分的感光性树脂的场合，关于各自的材料在求出对应其用途或目的的恰当的处理条件后适用。再者，在配线制造工序中的感光性树脂上的各种用途是众所周知的，具体地有腐蚀保护膜、电镀保护膜、钎焊保护膜、配线保护层等，但对应各自的用途、目的，成膜、曝光、显像各条件稍微不同。再有，根据发明者的实验，认为在本实施例中，在单体主成分为非变性丙稀酸酯系或甲基丙稀酸酯系感光性树脂的场合与变性单体比较，存在硬化反应促进效果比较小的倾向。另外，在本发明中，在钎焊堰(钎焊保护膜)等用途上使用的底片型永久保护膜，有比在配线形成工序中作为腐蚀保护膜或电镀保护膜使用的非永久保护膜或正片型保护膜易取得更适宜的结果的倾向。另外，在本发明中，从精密性的观点希望正片型、从流程安全系数的观点希望底片型的情况多，在需要形成高清晰图像(最小加工尺寸＝约1微米)的场合适用正片型，在通用用途(加工尺寸＝10～1000微米)中，当适用底片型时，取得实用上的最大效果的情况多。
再者，认为在向感光性树脂照射紫外～近紫外线光同时照射可见光～红外线光的场合引起的光反应促进现象影响光化学反应初期过程中的反应活性种的动作。在曝光工程中，在感光性树脂内部感光性分子吸收紫外～近紫外线光，生成反应活性种(自由基等)，认为刚生成后的反应活性种的反应性由于可见光～红外线光的照射而增大。在感光性树脂内部由于多数的基本反应过程同时竞相进行，所以反应机构的解析不容易，因而，不能明确阐述反应机构，作为可见光～红外线光的作用机构，认为与①利用光基本反应过程(photo elementary reaction；明反应)的机构和②利用非光基本反应过程(non-photo elementary reaction；暗反应)的机构至少任意一个有关系。
利用光基本反应过程的机构是，感光性分子吸收紫外～近紫外线光生成的反应活性种通过进一步吸收可见光～红外线光再活性化的机构，感光性树脂通过吸收可见光～红外线光在最低电子激发状态范围有可能达到高阶的振动·旋转能力水平。或者，反应活性种通过吸收可见光～红外线光诱发某些能量移动或电子移动，其结果上述反应活性种也有可能向更高阶的电子激发状态激发。
一般，由于化学反应的速度以浓度、温度、时间的函数表示，所以为了不改变在光基本反应过程生成的反应活性种(自由基等)的浓度而增大光基本反应过程的反应速度，也有认为提高温度就能实现的观点。自由基具有最大活性是在刚产生之后，由紫外～近紫外线光刚激发之后如果能提高反应活性种周围的温度，就能高效率地加速光化学反应，其结果能增大曝光工程中的表面感光灵敏度。另外，由于感光性树脂一般为固体或冻胶状，所以分子运动被限制，但也许由于红外线光照射粘合料聚合体的粘度降低，分子容易扩散，聚合伸长过程加速。
利用非光基本反应过程的机构是，在以感光性分子吸收紫外～近紫外线光生成的反应活性种(自由基等)为起点的反应伸长过程中出现某些反应促进效果的机构。反应促进机构在当前是不明确的，但既有可能起因于活性种的扩散性增大，或者也可能起因于感光性树脂中的非感光成分(粘性料聚合体、粘结剂等)的反应性增大。
在本发明的第1光源1上能使用发出含有波长范围为300nm～410nm的紫外～近紫外线范围的波长成分的光的光源。具体地，既可以将多个固体激发激光光源并列构成，或者，也可以使用水银灯或金属卤化物灯、氙灯、紫外线荧光灯等，最好的实施例是将多个青紫光激光二极管(发射波长为405nm±5nm)并列设置而成的激光二极管阵列。激光光源辉度高，容易形成光束，由于波长分布狭窄，所以不需要另外设置光学滤光器。另外，激光二极管光源寿命长，消耗电力比较少，在小型等的观点上也很优越，可以说是作为本发明中的第1光源1最实用的光源。图1例示的第1光源1是激光二极管阵列。再者，在使用激光二极管阵列以外的光源的场合，希望具备用于只取出特定波长范围，或者删除特定波长范围的光学的机构(无图示)。因为可以排除由于特定波长的光照射引起的不希望的副反应·副作用发生的危险性。
如上所述，在本实施例中使用的第1光源1是青紫光激光二极管(发射波长为405nm±5nm)，另一方面，本实施例使用的感光性树脂10a的感光主波长如上所述为365nm。因而，在只由第1光源1发出的光中，有时该感光性树脂10a的感光反应不充分进行。在本发明中，作为用于解决该问题的方法，将来自另外设置的第2光源2的射出光65照射在该感光性树脂10a上。在本发明中，如此地设置2个系统的光源，使由第1照射光源1的只选择图案形状的描绘照射和由第2照射光源2的非图案形状的面状照射组合，通过将被曝光物10曝光，引起两者光能量相乘效果，其结果抑制了由第1照射光源的选择地图案描绘照射中的相反则不轨现象，实现了现有技术中不可能的曝光时间缩短、曝光生产能力增加的问题。
本实施例中使用的第2光源2是发出含有波长范围450nm～2500nm的可见～近红外线范围的波长成分的光的光源。具体地，既可以将多个可见至红外光的半导体激光光源并列构成，或者也可以是卤素灯、氙灯、金属卤化物灯等也没关系。例如，取代红外激光光源，如果使用卤素灯，就可以降低光源价格。另外，作为可见光光源也可以使用氙灯或金属卤化物灯。在使用这些灯光源的场合，预先通过光学滤光器61除去不需要的紫外线光成分。通过在第2光源2上安装滤光器预先除去紫外线成分，含有紫外线光感光成分的感光性树脂层10a只接受由第2光源2发出的光就不会诱发电子激发，其结果光反应完全不进行。在本实施例中，使用安装了用于除去450nm以下波长成分的波长滤光器的金属卤化物灯。在本实施例中，图5所示为作为第2光源2使用的附带波长滤光器的金属卤化物灯的分光放射分布。
再者，在使用金属卤化物灯以外的光源的场合，在使用在波长范围500nm～850nm、1300nm～1700nm、1900nm～2500nm的至少任意一种波长区域范围具有分光放射强度的光源的场合给予了希望的结果。含有这里列举的波长成分的光源给予了希望的结果的理由现在还不明确，但本实施例使用的感光性树脂10a含有的某些成分有可能在这些近红外区域具有吸收带。或者，由于在感光性树脂10a的感光反应需要的光量子能量(E365)、第1光源1的射出光的光量子能量(E405)和第2光源2的射出光的光量子能量(E2000)之间，关系式E365E365+E2000成立，所以在只由第1光源1的光照射中供给不足的光量子能量也许能从第2光源2补充供给。顺便，作为一般使用的感光性树脂的成分之一的粘结剂聚合物分子具有羰基或者羟基的情况多，由于这些官能基的倍音吸收带、2倍音吸收带、3倍音吸收带位于上述区域，所以即使本实施例使用的感光性树脂10a以外的感光材料，在使用在上述波长范围(500nm～850nm、1300nm～1700nm、1900nm～2500nm的至少任意一种)具有很大的分光强度分布的光源时，给予希望的结果的可能性也很高。
再者，为了在成膜了感光性树脂10a的印制电路板10的面内取得均匀的曝光成果，将用于导光来自第2光源2的光束65的第2导光光学系62(无图示)，能将由第1照射光学系50曝光描绘的第1照射区域不遗漏且均匀照射地配置是很重要的，无需再次指出。
本实施例使用的载物台11至少在2个轴方向上扫描，通过载物台控制器13精确地控制其扫描方向、扫描速度。另外，为成为由成像光学系7连接焦点的位置具有z轴方向的位置调节功能。而且，为能在感光性树脂层10a上描绘期望的图案，设置有作为第1照射光学系50的一部分的调制光学元件5的调制和载物台11的扫描联合动作的机构。(详细下述)在本实施例中，第1光源1发出的光束55经过适宜设计的第1导光光学系(52a、52b、52c)及用于调整光束强度分布及光束形状的光束成形光学元件8，通过用于调制该成形了的光束的光调制光学元件5变换成具有期望的图案形状的光束，然后，通过由多个光学部件(7a、7b、7c、7d)构成的成像光学系7在感光性树脂层10a上成期望图案的像。光调制光学元件5由调制控制部9进行数字控制，为使在通过成像光学系7后成期望的描绘图案的像，调制入射的光束。作为光调制光学元件5可以使用通常的光调制元件，但在本实施例中适宜的光调制光学元件5，例如2维光调制元件，具体例举DMD。另外，作为构成成像光学系7的光学部件之一，如果使用微型透镜阵列，就有能增大光的利用效率的情形。
光调制光学元件5的调制动作通过调制控制部9高速且精确地控制，为了将调制控制部9和载物台控制器13结合控制，设置有该曝光装置的主控制部30。
主控制部30基于来自生产计划·管理系统35的指示接收规定的描绘数据，或者基于该接收的数据控制调制控制部9和载物台控制器13等，是担任控制该曝光装置整体的主控制功能的单元。具有作为辅助系统的调制控制部9和载物台控制器13之间的通信装置，相对第1光源1及第2光源2也具有发送光量和开灯的控制信号的功能。当主控制部30接收来自生产计划·管理系统35的指示时，对于存储装置31或CAD(Computer Aided Design)系统38需要规定的描绘数据或各种控制程序。再者，规定的描绘图案数据，预先在CAD系统38设计后，通过网络39传送给主控制部30，存储在存储了各种控制程序或运算程序、数据库等的存储装置31内。再者，在本实施例中，具备用于向该曝光装置的主控制部30直接输入数据的数据输入装置33和用于显示数据的数据显示装置32，不论从该数据输入装置33直接输入描绘数据，或者使用数据输入装置33直接输入开始描绘数据获得动作的指示都没关系。
上述网络39可以是公众通行回路或者经由其的通信网，也可以离开CAD系统38和利用本发明的曝光装置的设置场所都没关系。在使用制品的场所，所谓的消费地附近设置制造基地，通过在该制造基地设置利用本发明的曝光装置，能将制造基地与消费地之间的制品搬运时间最短化，其结果削减制品搬运成本，而且有助于制品在库及流通在库的最小化、削减销售机会损失、实现需要顺应生产。在这种商业模式中，需要从设置在设计基地的CAD系统38向设置在制造基地的曝光装置发送包含设计信息的图案数据，但通常在这样的数据中多含有制造上的经验或营业信息等应该保密的信息，因此为了在通信途中不被窃听或者串改，预先实施遵照特定程序的密码化处理。再有，为了缩短通过通信网的时间减少窃听·串改的可能性，希望在密码化之前预先压缩图案数据减少数据容量，而且，为了排除由于人工的失误引起的输入错误，当然不用说希望设置用于自动地处理数据压缩～密码化和密码破译～数据恢复的信息处理装置。
另外，这里无图示，希望具备用于运行存储在存储装置31内的控制程序和运算程序的运算处理部。另外，在该图中被省略了，但本发明的曝光装置具备用于测量被曝光印制电路板10，或在其表面形成的特定形状的位置、形状、尺寸的测量装置，通过该测量装置获得的测量结果，与从CAD系统38发送并存储在存储装置31上的规定的数值比较，算出用于微调整光调制光学系5及载物台11的移动的修正值而被使用。
在本发明中，为了使第1光源1发出的光束55和第2光源2发出的光束65实际同时照射感光性树脂层10a而控制光束，设置至少控制1个系统的光束的机构，使第1光源1发出的光束55与调制的调制光学元件5的调制动作连动。在本发明中可以使用通常的光束控制机构，但在将适宜本发明的光束控制装置具体地例示时，例举了设置在光束路径上的遮光装置和向光源供给电力的电源控制装置等。
关于设置在光束路径上的遮光装置进一步具体说明，在光束路径(由导光光学系、调制光学系和成像光学系构成的照射光学系)的任意一个场所设置快门，或者在照射光学系与被曝光物10之间设置快门和遮光裙。通过这些装置能简便地遮光。
在光束路径上设置机械地动作的快门的场合，为了使由快门动作引起的振动相对位于快门周围的透镜或反射镜等光学部件不产生不好的影响，希望设置振动吸收机构或缓冲机构。再者，可以省略振动吸收机构的EO调幅器(Electro-Optic Modulator)或AO调幅器(Acoustjc-O ptic Modulator)等适用按小径光束快门的场合。
根据光源的种类，向光源供给电力的控制方法不同，在本发明中，能使用对应各自的光源的电力供给控制装置。在变更供给电力后至射出光量变化之前产生若干的时间滞后的光源的场合，希望与上述遮光装置组合使用。
由于本实施例最适宜的第1光源1是将多个青紫光激光二极管并列设置而成的激光二极管阵列，所以对应其的最适宜的光束控制装置是向光源的供给电力控制(无图示)。激光二极管的ON/OFF控制能在10纳秒左右实现，而且能购入小型且廉价的控制回路。
另一方面，在本实施例中作为第2光源2使用的附带波长滤光器的金属卤化物灯，在电力供给后稳定开灯前需要1秒左右。因此，本实施例最适宜的光束控制装置是遮光裙或遮光微缝3。这些光束控制装置如果在第2光源2发出的光束65的路径中，无论设置在哪里都没妨碍，但本实施例设置在被曝光物10与第2照射光学系60之间。再有，或者与金属卤化物以外的光源组合，供给不完全断开供给的电力所谓的备用电力，与机械的快门或微缝并用等也不妨碍。
在本发明中，取代将第1光源1及第2光源2连续开灯，也可以使任意一方或两方的光源高速地ON/OFF开灯，在所谓的模拟连续开灯状态使用。例如，第1光源1使用脉冲开灯的激光光源，或者第2光源使用转换开关开灯的荧光灯。这种场合，例如，在只第1光源1以高速脉冲模拟连续开灯，使第2光源2连续开灯的场合，在例示感光性树脂层10a受光的光强度的一例时，摸索如图6所示的时间经过。图7是在第1光源1和第2光源2两者模拟连续打开光源的场合得到的受光强度的一例。在使用如这些例子所示的光源的场合，当将时间细细地划分严格地观察时，就发现了来自第1光源1的光与来自第2光源2的光没同时照射的时间带，但在本发明中视为实际同时照射。这是因为能得到与第1光源1及第2光源2任何一个连续开灯严格地同时照射同等的光反应促进效果。
在本发明中视为实际同时照射的范围，是在存在第1光源1照射印制电路板10的时间带与第2光源2照射被曝光印制电路板10的时间带至少一部分重合的状态的场合。例如，在利用第1光源1照射前通过第2光源2照射的场合(图8(a))，和相反利用第2光源2照射前的场合(图8(b))也是在本发明说的情况实际同时照射的一例。即使没有同时照射的时间带的场合(图8(c))，在第1光源1照射印制电路板10的时间带与第2光源2照射被曝光印制电路板10的时间带的间隔(Δt)没有大大地超过10秒的场合，在本发明中实际也包含在同时照射内。
在本实施例中，由于只作为第1光源1的激光二极管阵列高速地ON/OFF，金属卤化物灯连续开灯，所以可以说实际同时照射。再者，第1光源1与第2光源2至少任意一方模拟连续开灯的场合为实际同时照射。另外，无需再次指出，即使严格地同时照射也没妨碍。
接下来，关于使用利用本发明的上述曝光装置的感光性树脂的曝光方法说明。如上述，利用本发明的曝光装置能适用于通常的感光性树脂的曝光方法，但在本实施例中，作为被曝光印制电路板10使用在表层预先配线形成了的玻璃环氧印制电路板，在其最上层作为感光性树脂10a将感光性钎焊保护膜(太阳インキ制造(株)制PSR4000)成膜(膜厚约20微米)，将该感光性钎焊保护膜曝光形成保护膜图案。再者，在本实施例中使用的感光性钎焊保护膜PSR4000是在很多的配线印制电路板制造工厂使用的底片型感光性树脂，其感光主波长为365nm。
图2例示的实验结果是使用本发明涉及的曝光装置得到的图案描绘例的要点的一部分。在该实验中使用本发明涉及的曝光装置，描绘开口径50微米～1000微米的钎焊凸起用的开口图案，以规定条件显像，测定出得到的保护膜形状。横轴是图案描绘需要的时间，纵轴是保护膜厚度，表示增加曝光量的同时进行保护膜的硬化反应，膜厚增加的情况。再者，在该实验中图案描绘需要的时间与曝光量大概成比例地设定。
图2是表示在第1光源1与第2光源2同时照射曝光形成图案的场合，与只使用第1光源1照射图案的场合比较，图案描绘时间缩短到约30％，明确了通过来自第2光源2的照射，促进了保护膜的曝光反应。另一方面，利用第1光源1曝光后，放置1小时以上之后实施第2光源2的照射的场合，不过是描绘时间比只使用第1光源1有若干缩短。另外，在只来自第2光源2的照射中，保护膜的硬化反应完全不进行。
对于在上述工序中得到的被曝光印制电路板10，在进行规定的后处理，具体地，保护膜的后加热处理、钎焊凸起台的表面处理后，在钎焊保护膜的开口部印刷填充钎焊膏，然后通过钎焊回流，能制造期望的配线印制电路板。在该配线印制电路板中，由于钎焊保护膜的硬化不足引起的起浮或剥离等不良现象完全看不到。
再者，通过使用本发明涉及的曝光装置得到的图案描绘时间的缩短作用受各种原因的影响变动的情况无需再次指出。根据使用的感光性树脂10a的种类和膜厚、第1光源1的照射方法、第2光源2的种类等，由于描绘时间的缩短率有可能在10％～90％左右的范围内变动，所以在实用化前确认曝光条件是很重要的。另外，即使膜厚及材质相同，由于在现有的掩模曝光装置中适用的曝光条件与在本发明涉及的曝光装置中适用的曝光条件不同的情况很多，所以为了避免印制电路板大量生产时的作业混乱，做成曝光条件换算表的数据库，在预先自动参照时很方便。当然也可以数据库化保存在存储装置31内。
图3例示的实验结果，是使用本发明涉及的曝光装置描绘图案的结果的另一部分。在该实验中，与上述实验相同使用本发明涉及的曝光装置描绘图案并以规定条件显像，但取代测定得到的保护膜膜厚而是测定硬度。横轴是图案描绘需要的时间，纵轴是保护膜的硬度，在该图中，图案描绘需要的时间与曝光量大概成比例。
该图3表示在第1光源1与第2光源2并用形成图案的场合，与只使用第1光源1照射图案的场合比较，硬度急剧增大的情况，其加速率约为2倍。
接下来，与上述实验相同，作为被曝光印制电路板10使用预先形成了配线的玻璃环氧印制电路板，在其最上层作为感光性树脂10a将感光性钎焊保护膜(太阳インキ制造(株)制PSR4000)成膜，通过光掩模曝光，使用所谓的掩模曝光机进行曝光，调查与上述实验结果的不同。
感光性钎焊保护膜PSR4000是在很多配线印制电路板制造工厂使用的底片型感光性树脂，利用掩模曝光机的图案形成能没有特别问题地实施。可是，当通过掩模照射紫外线时，刚刚照射从金属卤化物灯发出的光线，发生图案相对位置偏移显著增大的问题。认为这是由于被曝光物10和光掩模吸收包含在来自金属卤化物的照射光中的红外线成分，引起徐徐热膨胀的缘故。在预先形成了配线的印制电路板的场合，由于配线的疏密引起在印制电路板面内产生热膨胀系数不同的位置，其结果引起不均匀的热膨胀。被曝光物10和光掩模热膨胀系数不同也例举了原因。由于该不均匀的膨胀引起的配线印制电路板的歪斜和变形在曝光当中发生，并且由于变形时刻变化，所以即使预先修正掩模上的图案，也不能完全对应。而且，也发生受来自设置在曝光装置内部的金属卤化物灯的排热的影响，装置内部变热，在透镜或反射镜上产生歪斜的问题。该光学系统的歪斜不能控制。该实验结果明确显示了不能将掩模曝光方法与利用第2光源的曝光反应加速单纯地组合。
图9是表示本发明涉及的无掩模曝光装置其它的实施方式的概略构成图。该曝光装置具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层10a的被曝光印制电路板10走行的载物台11，发出包含紫外线(350nm～390nm)范围的波长成分的光的第1光源1，用于将上述第1光源1发出的光束55基于期望的被曝光图案的数据做扫描的同时使图案在装载在载物台11上的被曝光印制电路板10的感光性树脂层10a上成像并描绘曝光的第1照射光学系50，发出含有在可见光～红外线光(450nm～25000nm)范围波长成分的至少一部分的光的第2光源2，为使不遗漏地照射由上述第1照射光学系50曝光描绘的第1照射区域、将上述第2光源2发出的光束65导光的第2照射光学系60。
与图1所示的实施方式的不同是①第1光源1发出的光的波长，②图案的描绘方法，③第2光源2发出的光的波长范围。作为配线印制电路板制造用，一般使用的感光性树脂，通常考虑其感光主波长为365nm(i线)，在本实施例中，将发出与一般使用的感光性树脂的感光特性相符的光的光源作为第1光源1使用。在图1所示的实施方式中，为了调制第1光源1发出的光束，将DMD作为光学调制系，但当前能大量且廉价地购入的DMD紫外线光耐性寿命不能说充足。因此，在本实施例中取代用DMD调制使用利用多面反射镜56的光束扫描光学系6。因此，本实施例中的第1照射光学系，是将第1导光光学系52、音响光学元件58、多面反射镜56和f-θ透镜57组合构成。当然也可以使用多面反射镜以外的光束扫描光学系，例如电动镜面，但作为能廉价地实现高速光束扫描的光学系多面反射镜是最适宜的。如果能大量且廉价地购入紫外线光耐性寿命高的DMD或者DMD以外的2维光调制元件，例如GLV(Grating Light Valve)、SLM(Spatial Light Modulator)，也可以使用这些空间调制元件。
在本实施例中，光束扫描光学系6通过调制控制部9能精确且高速地控制，为使能在感光性树脂层10a上描绘期望的图案，设置有使作为第1照射光学系50的一部分的光束扫描光学系6的扫描与载物台11的扫描联合动作的机构。
另外，与图1所示的实施方式相比，是第1光源1发出的光的波长向短波长侧偏移了的结果，入射的光量子的能量增大，来自第2光源2的照射光引起的光量子能量小并充足。其结果，来自第2光源2的照射光与图1所示的实施方式相比，用长波长侧的波长成分为好。无需再次指出，本实施例即使是与图1所示的实施方式相同的第2光源2也没关系。
在具体地例示本实施例的第1光源1时，例举固体激励激光光源(YAG-3H)、超高压水银灯等，但在小型并节省能源的观点上紫外线二极管光源(LED和LD)最适宜。当前，由于难于用紫外线二极管光源取得高功率的紫外线光，所以在本实施例中通过与来自第2光源2的辅助照射的相乘效果确保实用的曝光生产能力。
在本实施例中使用的第2光源2是发出含有波长范围2500nm～25000nm红外范围波长成分的光的光源。具体地，既可以将多个红外线半导体激光器光源并列构成，或者也可以用卤素光源、氙灯、金属卤化物灯等。另外，如果使用激光光源高速光束扫描，就能节省遮光裙等的设置。
上述以外的构成，具体地，被曝光印制电路板10及感光性树脂10a、载物台11及载物台控制器13、主控制部30、存储装置31、数据显示装置32、数据输入装置33、生产计划·管理系统35、CAD系统38、网络39等与图1例示的实施方式相同。
图10是表示本发明涉及的无掩模曝光装置其它的实施方式的概略构成图。该曝光装置具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层10a的被曝光印制电路板10走行的载物台11，发出包含青紫光线(400nm～410nm)范围的波长成分的光的第1光源1，发出含有在可见光～红外线光(波长为450nm～2500nm)范围波长成分的至少一部分的光的第2光源2，用于将上述第1光源1发出的光束55与上述第2光源2发出的光束65合波的合波光学系4，用于将合波了的合波光束15基于期望的被曝光图案数据调制后使图案在装载在载物台11上的被曝光印制电路板10的感光性树脂层10a上成像并曝光描绘的合波光照射光学系16。再者，合波光照射光学系16由合波光导光光学系17、合波光调制光学系18和合波光成像光学系19构成。
在本实施例中，作为合波调制光学系18，能使用2维光调制元件等。具体地，是DMD等光调制元件。在入射合波调制光学系18的合波光中，由于不含有紫外光成分(＜400nm)，所以不需要紫外线耐光寿命，从能廉价且大量地购入的观点，DMD最适宜。
在本实施例中，由于在将波长分布大不相同的2个系统的光束合波后成像，所以在合波光成像之际产生色像差，合波光束15的成分内，来自第1光源1的光束55与来自第2光源2的光束65对焦位置不同。在本实施例中，以来自作为更短波长侧成分的第1光源1的光束55的焦点位置为基准实施载物台11的对位及对准高度。即，由于来自第1光源1的光束55使被曝光印制电路板10的感光性树脂层10a的感光分子活性化，所以在来自第1光源1的光束55的成像位置进行感光反应，能得到对应成像形状的图案。另一方面，来自第2光源2的光束不含有使感光性树脂层10a的感光分子电子激发的光量子成分，因而，来自第2光源2的光束65的成像位置和成像形状对感光反应的进行没有直接的关系(间接地有关系)。换言之，来自第2光源2的光束65的成像位置和成像形状，如果在来自第1光源1的光束55的成像位置附近就没有问题。
在本实施例中，如上所述，由于使从第1光源1发出的光束55与从第2光源2发出的光束65合波后成像，所以来自2个系统的光源的光成分必然能大体同时照射同一场所。
再有，如果是与上述图1、图9、图10例示的构成类似的曝光装置，就能没有问题地适用本发明。例如，可以认为具备装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层10a的被曝光印制电路板10走行的载物台11，发出包含青紫光线(400nm～410nm)范围的波长成分的光的第1光源1，调制来自第1光源1的光束55的第1调制光学系53，发出含有在可见光～红外线光(波长为450nm～2500nm)范围内的波长成分的至少一部分的光的第2光源2，调制来自第2光源2的光束65的第2调制光学系63，用于将由上述第1调制光学系53调制而成的第1调制光54与由上述第2调制光学系63调制而成的第2调制光64合波的调制光合波光学系20，用于将由上述调制光合波光学系20合波成的调制合波光束21在装载在载物台11上的被曝光印制电路板10的感光性树脂层10a上成图案的像的调制合波成像光学系22的曝光装置(无图示)。该曝光装置的特征是将来自2个系统的光源的光束各自调制后合波。需要具备2个系统的调制系，但从能选择符合光源特性的调制系的观点来看是有利的。
再有，这里例示的构成，在不违反本发明目的的范围恰当组合，或者与通常的结构并用的曝光装置，使用在本发明上也没有特别的问题。
根据以上说明的实施例，使用无掩模直接曝光装置能增大曝光感光性树脂的曝光流程的生产能力。另外，通过使用本发明的无掩模直接曝光装置曝光，能增大制造配线印制电路板的生产能力。
权利要求
1.一种将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置，其特征在于，具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；用于将上述第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的第1照射光学系；发出含有波长450nm～2500nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源；在为使至少含有由上述第1照射光学系曝光描绘的第1照射区域而设定的第2照射区域上将上述第2光源发出的光束导光的第2照射光学系。
2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述第1光源由半导体激光器构成。
3.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述第1光源是灯光源。
4.一种将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置，其特征在于，具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；用于将上述第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的第1照射光学系；发出含有波长2500nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源；在为使至少含有由上述第1照射光学系曝光描绘的第1照射区域而设定的第2照射区域上将从上述第2光源发出的光束导光的第2照射光学系。
5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，上述第1光源由将多个半导体激光二极管并列设置的激光二极管阵列构成。
6.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述第1照射光学系具有将上述第1光源发出的光束基于上述被曝光图案的数据调制每个像素形成曝光图案的2维光调制光学系；将由该2维光调制光学系形成的图案光在上述感光性树脂上成像的成像光学系。
7.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，上述第1照射光学系具有将上述第1光源发出的光束基于上述被曝光图案的数据调制每个像素形成曝光图案的2维光调制光学系；将由该2维光调制光学系形成的图案光在上述感光性树脂上成像的成像光学系。
8.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述第1照射光学系具有扫描上述第1光源发出的光束的光束扫描光学系；使由该光束扫描光学系形成的图案光在位于上述载物台的上述感光性树脂上成像的成像光学系。
9.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，上述第1照射光学系具有扫描上述第1光源发出的光束的光束扫描光学系；使由该光束扫描光学系形成的图案光在位于上述载物台的上述感光性树脂上成像的成像光学系。
10.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，设置有用于使上述第1光源发出的光束和上述第2光源发出的光束实际同时地照射位于上述载物台上的上述感光性树脂层的光束控制机构。
11.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，设置有用于使上述第1光源发出的光束和上述第2光源发出的光束实际同时地照射位于上述载物台上的上述感光性树脂层的光束控制机构。
12.根据权利要求10所述的曝光装置，其特征在于，上述光束控制机构含有用于控制供给光源的电力的电力控制机构，或者设置在照射光学系的光学路径的途中的遮光机构的至少一个。
13.根据权利要求11所述的曝光装置，其特征在于，上述光束控制机构含有用于控制供给光源的电力的电力控制机构，或者设置在照射光学系的光学路径的途中的遮光机构的至少一个。
14.一种将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置，其特征在于，具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；发出含有波长450nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源；将上述第1光源发出的光束的至少一部分与上述第2光源发出的光束的至少一部分合波的合波光学系；用于将通过上述合波光学系合波的光基于期望的被曝光图案数据调制，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的照射光学系。
15.一种将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置，其特征在于，具有装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；用于将上述第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制的第1调制光学系；发出含有波长450nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源；用于将上述第2光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制的第2调制光学系；用于将上述第1调制光学系发出的光束与上述第2调制光学系发出的光束合波，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的照射光学系。
16.一种感光性树脂曝光方法，其特征在于，包括将发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案的数据调制，照射在形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板上的第1照射工程；将发出含有波长450nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源发出的光束照射在形成有感光性树脂层的被曝光印制电路板上的第2照射工程。
17.根据权利要求16所述的感光性树脂曝光方法，其特征在于，上述第2照射工程照射的被曝光印制电路板上的区域至少含有上述第1照射工程照射的区域，且上述第2照射工程与上述第1照射工程实际同时进行。
18.根据权利要求16所述的感光性树脂曝光方法，其特征在于，上述感光性树脂是在配线形成流程中使用的电镀保护膜、腐蚀保护膜、钎焊保护膜的任意一个。
19.根据权利要求17所述的感光性树脂曝光方法，其特征在于，上述感光性树脂是在配线形成流程中使用的电镀保护膜、腐蚀保护膜、钎焊保护膜的任意一个。
20.一种配线印制电路板的制造方法，其特征在于，至少在1个工程以上使用权利要求18所述的感光性树脂曝光方法制造配线印制电路板。
21.一种配线印制电路板的制造方法，其特征在于，至少在1个工程以上使用权利要求19所述的感光性树脂曝光方法制造配线印制电路板。
全文摘要
本发明提供的无掩模曝光装置，在将光源发出的光束按照被曝光图案调制，不通过光掩模直接描绘曝光的曝光装置中设置装载形成有对紫外线光具有灵敏度的感光性树脂层的被曝光印制电路板走行的载物台；发出含有波长300nm～410nm范围的至少一部分的波长成分的光的第1光源；用于将上述第1光源发出的光束基于期望的被曝光图案数据调制，在位于上述载物台上的上述感光性树脂层上使图案成像的第1照射光学系；发出含有波长450nm～25000nm范围的至少一部分波长成分的光的第2光源，在为使至少含有由上述第1照射光学系曝光描绘的第1照射区域而设定的第2照射区域上将上述第2光源发出的光束导光的第2照射光学系。也提供该无掩模曝光装置的曝光方法和配线印制电路板制造方法。
文档编号H05K3/06GK1837961SQ20061000803
公开日2006年9月27日 申请日期2006年2月23日 优先权日2005年3月22日
发明者山口欣秀, 小山洋 申请人:日立比亚机械股份有限公司